公开(公告)号：KR1020160128246A

公开(公告)日：2016-11-07

申请号：KR1020160052142

申请日：2016-04-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 왕,웨이-이 ,  로더,마크에스. ,  헤지,가네시 ,  보윈,크리스토퍼

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/764 ,  H01L29/045 ,  H01L29/161

Abstract: 실리콘게르마늄층을형성하는방법들은실리콘기판상에 SiGe의에피택시얼층을형성하되, 상기 SiGe의에피택시얼층은실리콘상의 SiGe내에관통전위들이형성되는임계두께(hc)보다작은두께를가지는것; 상기 SiGe의에피택시얼층을식각하여상기 SiGe의에피택시얼층 내에트렌치를정의하는 SiGe필라들을형성하되, 상기트렌치는높이와너비를가지며, 상기트렌치는적어도 1.5 이상의너비에대한높이의종횡비를가지는것; 및상기 SiGe필라들의상부들로부터 SiGe의서스펜디드층을에피택시얼하게성장시키되, 상기 SiGe의서스펜디드층은상기트렌치내의그리고상기 SiGe의서스펜디드층의아래의에어갭을정의하는것을포함한다.

Abstract translation: 形成硅锗层的方法包括在硅衬底上形成Si1-xGex的外延层，其中Si1-xGex的外延层的厚度小于在Si1中形成穿透位错的临界厚度hc -xGex硅; 蚀刻Si1-xGex的外延层以形成在Si1-xGex的外延层中限定沟槽的Si1-xGex柱，其中沟槽具有高度和宽度，其中沟槽具有高度与宽度的长宽比at 至少1.5; 并从Si1-xGex柱的上部外延生长Si1-xGex的悬浮层，其中悬浮层在Si1-xGex的悬浮层下方的沟槽中限定气隙。

公开(公告)号：KR1020160106519A

公开(公告)日：2016-09-12

申请号：KR1020160025231

申请日：2016-03-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 보윈,크리스토퍼

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/225 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/02 ,  G11C11/417

CPC classification number: H01L27/1116 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7376 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/882

Abstract: 반도체장치는제1 다이오드연결된제1 도전형의트랜지스터및 제2 다이오드연결된제2 도전형의트랜지스터를포함하되, 상기제1 다이오드연결된트랜지스터및 상기제2 다이오드연결된트랜지스터는직렬로연결되고, 상기제1 및제2 다이오드연결된트랜지스터들의각각은인가된전압에반응하여부성미분저항을나타낸다. 상기제1 다이오드연결된트랜지스터의제1 드레인영역및 제1 소스영역은상기제1 도전형의도펀트들을축퇴되는농도로포함하고, 상기제1 다이오드연결된트랜지스터의게이트는상기제2 도전형의도펀트들을포함하는반도체의일 함수에해당하는일 함수를갖는다. 상기제2 다이오드연결된트랜지스터의제2 드레인영역및 제2 소스영역은상기제2 도전형의도펀트들을축퇴되는농도로포함하고, 상기제2 다이오드연결된트랜지스터의게이트는상기제1 도전형의도펀트들을포함하는반도체의일 함수에해당하는일 함수를갖는다.

Abstract translation: 半导体器件包括：连接到第一二极管的第一导电型晶体管; 以及连接到第二二极管的第二导电型晶体管，其中连接到第一二极管的晶体管和连接到第二二极管的晶体管被​​串联连接，并且连接到第一和第二二极管的每个晶体管呈负极 响应于施加的电压的差分电阻。 连接到第一二极管的晶体管的第一漏极区域和第一源极区域包括浓度降低的第一导电型掺杂剂，并且连接到第一二极管的晶体管的栅极具有对应于功能的功函数的功函数 半导体包括第二导电型掺杂剂。 连接到第二二极管的晶体管的第二漏极区域和第二源极区域包括浓度降低的第二导电型掺杂剂，并且连接到第二二极管的晶体管的栅极具有对应于功函数 包括第一导电型掺杂剂的半导体。