公开(公告)号：KR1020150065005A

公开(公告)日：2015-06-12

申请号：KR1020130150015

申请日：2013-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황선규 ,  전우철 ,  황인준 ,  김준용 ,  송민건 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 노멀리오프고전자이동도트랜지스터가개시된다. 개시된노멀리오프고전자이동도트랜지스터는, 제1 질화물반도체로이루어진채널층과, 상기채널층상에서제2 질화물반도체로이루어지며, 상기채널층에 2차원전자가스를유발하는채널공급층과, 상기채널공급층의양측의소스전극및 드레인전극과, 상기채널공급층상에서상기 2차원전자가스의적어도일부영역에디플리션영역을형성하는디플리션형성층과, 상기디플리션형성층상에서상기디플리션형성층과접촉하며복수의개구부가형성된게이트전극을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种常关高电子迁移率晶体管。 所公开的常闭高电子晶体管包括由第一氮化物半导体构成的沟道层，在沟道层上由第二氮化物半导体构成的沟道供给层，并且在沟道层上引入2D电子气体，源电极 以及形成在沟道供给层的两侧的漏电极，在沟道供给层上的2D电子气体的至少一部分区域上形成耗尽区的耗尽形成层以及与沟道供给层的接触的栅电极 与耗尽层形成层并且在耗尽层上具有多个开口部分。