公开(公告)号：KR1020010019172A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990035454

申请日：1999-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송영휘 ,  정선태

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A wafer cassette for sintering silica is provided to improve productivity and to minimize impurities inside the wafer cassette, by stacking a plurality of silica substrates. CONSTITUTION: Columns(104) are vertically installed at regular intervals between an upper plate(101) of a disc type and a lower plate(102) of a disc type. The columns have at least one stacking unit lengthwise to stack at least one silica substrate. A circular supporting plate is installed on the lower plate. A handle for carrying is installed in a predetermined position of the upper plate.

Abstract translation: 目的：提供用于烧结二氧化硅的晶片盒，以通过堆叠多个二氧化硅基底来提高生产率并最小化晶片盒内的杂质。 构成：在盘式的上板（101）和盘式的下板（102）之间以规则的间隔垂直安装柱（104）。 所述柱具有至少一个堆叠单元的长度方向以堆叠至少一个二氧化硅衬底。 圆形支撑板安装在下板上。 用于承载的把手安装在上板的预定位置。

公开(公告)号：KR100277362B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980028845

申请日：1998-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송영휘

IPC: G02B6/00

Abstract: 본 발명은 화염가수분해증착 방법을 사용하여, 더미층을 구비한 광도파로 형성방법 및 그 방법에 의하여 형성된 광도파로에 관한 것으로, 본 발명에 의한 광도파도 형성방법은, 기판상에 언더클래드층을 적층하여 광도파도를 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판 하부에 상기 언더클래드층에 형성될 물질과 동일한 조성 및 두께를 갖는 더미층을 형성하는 단계; 상기 더미층이 형성된 기판의 반대측에 상기 언더클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 언더클래드층 상에 코어층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여, 실리콘 기판의 하부에 언더클래드 층과 동일한 조성 및 두께를 갖는 더미층을 형성시킴으로써, 도파로 제작용 기판의 변형을 방지하고 또한 코어층 내 잔류응력을 감소시켜 그에 의한 복굴절을 제거할 수 있다.

公开(公告)号：KR100238182B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970034296

申请日：1997-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송영휘

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 화염가수분해 증착 공정에서 수소를 연소시켜 화염을 형성시키고 산화 및 가수분해 반응에 의해 실리카 입자를 발생시키는 실리카 입자 형성용 토치에 관한 것으로서, 화염원료기체와 화학반응기체를 각각 운반하기 위한 다수의 석영튜브; 다수의 석영튜브를 고정시키며 석영튜브의 삽입 및 탈착 가능한 구조를 갖는 몸체; 및 상기 몸체에 부착되어 화염원료기체와 화학반응기체를 공급하기 위한 가지형태의 공급배관으로 이루어진다.
본 발명에 의하면, 화염의 안정성을 높이고 부식성이 강한 화학반응기체에 의한 튜브내부의 오염을 방지하며 가수분해 반응의 부산물인 염산으로 인한 부식을 방지하여 고순도의 실리카 막을 얻을 수 있다. 또한 사용중 튜브보수 및 개조가 필요거나, 석영튜브 파손시 튜브만을 간단히 교체할 수 있어 유지보수가 용이하고, 튜브길이 조정이 필요한 경우 역시 석영튜브를 원하는 길이만큼 잘라 끼워넣을 수 있어 토치를 제작하는 데 소요되는 시간과 경비를 절감할 수 있다.

公开(公告)号：KR100377929B1

公开(公告)日：2003-03-29

申请号：KR1020010004812

申请日：2001-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송영휘

IPC: G02B6/10

Abstract: PURPOSE: An optical waveguide device and a fabrication method thereof are provided, which simplifies a fabrication process as reducing a degradation of an optical signal characteristics, and reduces a process time. CONSTITUTION: The optical waveguide device includes a silicon substrate(201), and a bottom clad layer(202) formed on the above silicon substrate, and a core layer formed on the above bottom clad layer, and a top clad layer(204) formed on the above core layer, and a glass plate(206) attached onto the top clad layer. The glass plate is attached to the top clad layer using an epoxy. The core layer includes a light device pattern(203). The bottom clad layer is deposited on the silicon substrate using a FHD(Flame Hydrolysis Deposition) method, and the light device pattern of a channel type is formed by etching and patterning in a photolithography.

Abstract translation: 目的：提供了一种光波导器件及其制造方法，其简化了制造过程以减少光信号特性的劣化，并且减少了处理时间。 本发明提供一种光波导装置及其制造方法，该光波导装置包括硅衬底（201）和在上述硅衬底上形成的底部包层（202），以及形成在上述底部包层上的芯层以及形成的顶部包层（204） 在上述芯层上，以及附着在顶部包层上的玻璃板（206）。 玻璃板使用环氧树脂连接到顶部包层。 核心层包括灯装置图案（203）。 使用FHD（火焰水解沉积）方法在硅衬底上沉积底部包层，并且通过在光刻中蚀刻和图案化来形成沟道类型的光器件图案。

公开(公告)号：KR1020020064398A

公开(公告)日：2002-08-09

申请号：KR1020010004812

申请日：2001-02-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송영휘

IPC: G02B6/10

Abstract: PURPOSE: An optical waveguide device and a fabrication method thereof are provided, which simplifies a fabrication process as reducing a degradation of an optical signal characteristics, and reduces a process time. CONSTITUTION: The optical waveguide device includes a silicon substrate(201), and a bottom clad layer(202) formed on the above silicon substrate, and a core layer formed on the above bottom clad layer, and a top clad layer(204) formed on the above core layer, and a glass plate(206) attached onto the top clad layer. The glass plate is attached to the top clad layer using an epoxy. The core layer includes a light device pattern(203). The bottom clad layer is deposited on the silicon substrate using a FHD(Flame Hydrolysis Deposition) method, and the light device pattern of a channel type is formed by etching and patterning in a photolithography.

Abstract translation: 目的：提供一种光波导器件及其制造方法，其简化了制造工艺，降低了光信号特性的劣化，缩短了处理时间。 构成：光波导装置包括硅基板（201）和形成在上述硅基板上的底部包层（202）和形成在上述下部包层的芯层，以及形成有顶部覆盖层（204） 在上述芯层上，以及附着在顶部包覆层上的玻璃板（206）。 使用环氧树脂将玻璃板附着到顶部包覆层。 芯层包括光装置图案（203）。 使用FHD（火焰水解沉积）方法将底部包层沉积在硅衬底上，并且通过在光刻中蚀刻和图案化形成沟道类型的光器件图案。

公开(公告)号：KR1020010019546A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990035994

申请日：1999-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태훈 ,  송영휘 ,  정선태

IPC: G02B6/10

Abstract: PURPOSE: A planar optical waveguide device and method of fabricating the device are provided which deposits a silica thin film on a lower cladding layer and an etched surface of a core to restrict diffusion of impurities, thereby minimizing waveguide transformation. CONSTITUTION: An optical waveguide device includes a planar substrate(10), a lower cladding layer(12) deposited on the flat substrate, and a passivation layer(14) deposited on the lower cladding layer to minimize transformation generated at the interface. The device further has an optical waveguide formed of a material having refractive index larger than that of the lower cladding layer on the passivation layer, and an upper layer(20) deposited on the optical waveguide and the passivation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种平面光波导器件及其制造方法，其在下包层和芯的蚀刻表面上沉积二氧化硅薄膜，以限制杂质的扩散，从而最小化波导变换。 构成：光波导器件包括平坦的衬底（10），沉积在平坦衬底上的下覆层（12）以及沉积在下敷层上的钝化层（14），以最小化在界面处产生的变换。 该器件还具有由钝化层上的折射率大于下包层的折射率的材料形成的光波导和沉积在光波导和钝化层上的上层（20）。

公开(公告)号：KR1019990011256A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970034297

申请日：1997-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송영휘 ,  신동욱 ,  김현수

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 화염가수분해증착 공정에서 수소를 연소시켜 화염을 형성시키고 산화 및 가수분해 반응에 의해 발생된 실리카 입자를 웨이퍼에 증착시키는 일차원 입자분포를 갖는 선형토치에 관한 것으로서, 그 토치의 노즐이 화염원료기체용 노즐 출구 및 화학반응기체용 노즐출구를 구비하며, 화학반응기체용 노즐출구의 한변이 웨이퍼의 직경보다 큰 구조를 갖는다. 또한 그 선형토치의 노즐 출구는 직사각형으로서, 중심축이 일치하는 복수의 직사각형 노즐 출구를 구비하고, 그 복수의 직사각형 노즐의 안쪽으로부터 바깥쪽을 향하여 화학반응기체용 노즐출구, 제1화염원료기체용 노즐출구 및 제2화염원료기체용 노즐출구가 위치하며, 화학반응기체용 노즐출구의 직사각형의 한 변이 웨이퍼의 크기보다 큼을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 입자의 분포가 일차원 선형분포를 가지므로 웨이퍼를 고정시키고 토치만을 이송시켜 균일한 막을 얻을 수 있다. 또한 입자의 분포가 원형노즐 출구를 갖는 경우보다 넓고 웨이퍼의 직경보다 큰 분포를 가지므로 일정한 두께를 얻는데 필요한 증착시간을 단축시킬 수 있으므로 대량 생산에 적합한 구조이다.

公开(公告)号：KR1020030093812A

公开(公告)日：2003-12-11

申请号：KR1020020031672

申请日：2002-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김희곤 ,  정선태 ,  송영휘 ,  조정환 ,  한동균 ,  유경희

IPC: G02B6/36

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an optical connecting element is provided to connect an optical block and an optical element of the different height and the different width to each other by optimizing structures of an input portion and an output portion of the optical connecting element. CONSTITUTION: A method for fabricating an optical connecting element includes a lower cladding forming process, a core layer forming process, a patterning process, and an annealing process. The lower cladding forming process is to form a lower cladding layer on a substrate. The core layer forming process is to form a core layer on the lower cladding layer. The patterning process is to pattern the core layer. The annealing process is to anneal the patterned core layer and optimize the height and the width of the optical connecting element.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造光学连接元件的方法，通过优化光学连接元件的输入部分和输出部分的结构，将光学块和不同高度和不同宽度的光学元件彼此连接。 构成：用于制造光学连接元件的方法包括下包层形成工艺，芯层形成工艺，图案化工艺和退火工艺。 下包层形成工艺是在衬底上形成下包层。 芯层形成工艺是在下包层上形成芯层。 图案化过程是对芯层进行图案化。 退火过程是退火图案化的芯层并优化光学连接元件的高度和宽度。

公开(公告)号：KR100294539B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019970057752

申请日：1997-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송영휘

IPC: C23C16/00

Abstract: PURPOSE: A flame hydrolysis deposition in which sizes of silica particles are controlled is provided which controls the sizes of the silica particles using chemical reaction gases required in forming silica particles together with an inert gas in a torch for FHD(flame hydrolysis deposition). CONSTITUTION: The flame hydrolysis deposition in which particle sizes are controlled comprises the steps of flowing out chemical reaction gases containing constituents of particles to be formed, oxygen and hydrogen through each nozzles(200,202,204) of a torch(206); flowing out the chemical reaction gases together with an inert gas through the nozzles(200,202,204), controlling flow rates of the inert gas and controlling a flame temperature of the torch(206) so that sizes of particles to be formed are controlled by reacting the chemical reaction gases with the oxygen or the hydrogen in the torch; depositing the produced particles on a substrate(208); and sintering the substrate(208) on which particles are deposited, wherein the inert gas is an argon gas.

公开(公告)号：KR1020000033383A

公开(公告)日：2000-06-15

申请号：KR1019980050227

申请日：1998-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태훈 ,  정선태 ,  송영휘

IPC: G02B6/02

Abstract: PURPOSE: An optical wave guide and a fabrication method therefor are provided to reduce birefringence generated due to residual stress during the fabrication of a silica optical wave guide and an optical device according to flame hydrolysis deposition (FHD), by employing a buffer layer. CONSTITUTION: An optical wave guide comprises: a lower cladding layer(203) formed on a wafer(201); a core layer(204) formed on the lower cladding layer(203); an upper cladding layer(205) formed on the core layer(204); and a buffer layer(202) for reducing birefringence resulting from residual stress between the wafer(201) and the lower cladding layer(203). A step for depositing the buffer layer(202) on the wafer(201) at an initial stage is added without changing the prior process for fabricating a device, thereby reducing birefringence. In addition, stress can be adjusted by controlling the kind and content of impurities in the buffer layer(202).

Abstract translation: 目的：提供一种光波导及其制造方法，用于通过采用缓冲层，减少在二氧化硅光波导和根据火焰水解沉积（FHD）的光学装置的制造期间残留应力产生的双折射。 构成：光波导包括：形成在晶片（201）上的下包层（203）; 形成在下包层（203）上的芯层（204）; 形成在所述芯层（204）上的上覆层（205）; 以及缓冲层（202），用于减小由晶片（201）和下包层（203）之间的残余应力引起的双折射。 添加在初始阶段将缓冲层（202）沉积在晶片（201）上的步骤，而不改变用于制造器件的现有工艺，从而减少双折射。 此外，可以通过控制缓冲层（202）中的杂质的种类和含量来调节应力。