公开(公告)号：KR100128521B1

公开(公告)日：1998-04-07

申请号：KR1019930028241

申请日：1993-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창현 ,  전찬봉 ,  김종집 ,  송유선

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/322

Abstract: A recovery method of degradation of semiconductor devices is provided to improve reliability by preventing the degradation due to plasma process. The recovery method comprises the steps of providing multi-layer interconnections under atmosphere of plasma and depositing an insulating layer contained phosphorous of 1 weight percents and annealing at temperature of 400-500 degrees for 30 minutes in order to recovery the degradation due to the plasma demage. Thereby, it is possible to improve reliability of semiconductor devices by recovering the degradation due to the plasma damage for forming multi-layer interconnections.

Abstract translation: 提供半导体器件劣化的恢复方法，以通过防止由于等离子体处理引起的劣化来提高可靠性。 回收方法包括以下步骤：在等离子体气氛下提供多层互连，并沉积含有1重量百分比的磷的绝缘层，并在400-500度的温度下退火30分钟，以便恢复由于等离子体流失引起的退化 。 由此，可以通过恢复由于形成多层互连的等离子体损伤引起的劣化来提高半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：KR1019950019336A

公开(公告)日：1995-07-22

申请号：KR1019930028241

申请日：1993-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박창현 ,  전찬봉 ,  김종집 ,  송유선

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/322

Abstract: 본 발명은 다층배선 구조를 갖는 반도체 장치에 관한 것으로, 금속배선 공정 진행후 인이 함유된 산화막을 증착한뒤 소정 온도 이상에서 열처리하므로써 반도체 칩 제조 공정중 발생되는 플라즈마 손상에 의한 특성저하를 플라즈마 공정 진행 이전의 특성값으로 완전하게 회복시킬 수 있는 고신뢰성의 반도체 소자를 실현할 수 있게 된다.