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公开(公告)号：KR1019990003276A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970027107
申请日：1997-06-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송학성
IPC: G02F1/1343
Abstract: 본 발명은 데이터선의 단선에 의한 결함을 줄이는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것으로서, 한 방향으로 이중 게이트선이 형성되어 있고, 데이터선이 이중 게이트선과 수직으로 교차하되 그 교차 부분이 이중선으로 형성되어 있기 때문에 데이터선의 이중선 중 한쪽이 단선되더라도 다른 한 선을 통해 데이터 신호를 전달함으로써, 데이터선 단선율이 상대적으로 줄어드는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100195193B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019950040691
申请日：1995-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 신규한 박막트랜지스터-액정표시소자의 제조방법이 개시되어 있다.
기판 상에 알루미늄 합금으로 이루어진 게이트 전극을 형성한 다음, 화학기상증착(CVD) 공정으로 절연막, 비정질실리콘막 및 불순물이 도우프된 비정질실리콘막을 연속적으로 형성함과 동시에 알루미늄 합금으로 이루어진 게이트 전극의 비저항을 감소시킨다. 결과물 상에 소오스/드레인 전극을 형성한 후, 그위에 화학기상증착 공정으로 보호막을 형성한다. 별도의 열처리 없이 알루미늄 합금막의 저저항화를 달성할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019930000879B1
公开(公告)日：1993-02-08
申请号：KR1019900006648
申请日：1990-05-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송학성
IPC: H01L21/32
Abstract: The thin film transistor is mfd. by forming a transparent electroconductive film on the glass substrate (1), patterning the transparent film to form a signal electrode (2), depositing a silicon oxide film (3) i.e. an insulating film by the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method, covering the transparent film on the film (3) and then patterning it to form a pixel electrode, and depositing a teflon mask (5) and a metal mask (6) on the pixel electrode (4).
Abstract translation: 薄膜晶体管是mfd。 通过在玻璃基板（1）上形成透明导电膜，构图透明膜以形成信号电极（2），通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法沉积氧化硅膜（3）即绝缘膜 覆盖薄膜（3）上的透明薄膜，然后将其图形化以形成像素电极，并且在像素电极（4）上沉积特氟隆掩模（5）和金属掩模（6）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100272249B1
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019960050390
申请日：1996-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송학성
IPC: H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating double layer type gate electrode is provided to be capable of simultaneously solving the problems that contaminants are generated on a glass substrate and fabricating costs are increased by forming the double layer type gate electrode using an improved continuous deposition technique. CONSTITUTION: First, a lower layer(21) of Al or Al alloy is deposited on a TFT substrate(1). Then, an upper layer(22) of Mo, Cr, etc. is continuously deposited at the same time with the completion of the deposition of the lower layer. At this time, the deposition steps of the lower and upper layers are performed under the condition of room temperature. Preferably, the deposition steps of the lower and upper layers are performed under the condition of 23.5 deg.C, and the lower and upper layers are deposited using an in-line type utility or a buried type utility.
Abstract translation: 目的：提供一种制造双层型栅电极的方法，以能够同时解决在玻璃基板上产生污染物的问题，并且通过使用改进的连续沉积技术形成双层型栅电极来增加制造成本。 构成：首先，将Al或Al合金的下层（21）沉积在TFT基板（1）上。 然后，在完成下层的沉积的同时，同时连续地沉积Mo，Cr等的上层（22）。 此时，下层和上层的沉积步骤在室温条件下进行。 优选地，在23.5℃的条件下进行下层和上层的沉积步骤，并且使用在线式实用程序或埋地式实用程序来沉积下层和上层。
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公开(公告)号：KR1019930005745B1
公开(公告)日：1993-06-24
申请号：KR1019900016831
申请日：1990-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송학성
IPC: H01L27/12
Abstract: The thin film transistor is mfd. by (a) depositing a tantalum (Ta) on the glass substrate (1) by the sputtering method, and then etching it to form gate electrodes (2,2'), (b) depositing a tantalum oxide (Ta2O) to form gate insulating films (3,3'), (c) coating a transparent electroconductive film on the films (3,3) to form a pixel electrode (10), (d) depositing an amorphous silicon film and silicon nitride film added with a phosphur (P), and then patterning it to form a semiconductor layer (4) and an ohmic layer (5), (e) forming a first source/drain electrode (6,7), (f) etching the ohmic layer (5) by the plasma etching method, (g) forming a protecting layer (8) and a contact hole (11), and (h) forming a light- shielding layer (9) and a second source/drain electrode (6',7').
Abstract translation: 薄膜晶体管是mfd。 通过（a）通过溅射法在玻璃基板（1）上沉积钽（Ta），然后蚀刻形成栅极（2,2'），（b）沉积氧化钽（Ta 2 O）以形成栅极 绝缘膜（3,3'），（c）在膜（3,3）上涂覆透明导电膜以形成像素电极（10），（d）沉积非晶硅膜和添加有磷的氮化硅膜 （P），然后将其图案化以形成半导体层（4）和欧姆层（5），（e）形成第一源极/漏极（6,7），（f）蚀刻欧姆层（5） 通过等离子体蚀刻方法，（g）形成保护层（8）和接触孔（11），以及（h）形成遮光层（9）和第二源极/漏极（6'，7' ）。
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公开(公告)号：KR1019970053595A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950046794
申请日：1995-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
Abstract: 본 발명은 공통 전극 기판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 컬러 필터 사이에 형성되어 있는 블랙 매트릭스를 몰리브덴으로 형성하여 반사율 및 공통 전극 저항이 감소되는 공통 전극 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 투명한 기판 일부 위에 일정한 간격으로 하부에는 산화 크롬, 상부에는 몰리브덴으로 이루어진 이층 구조의 블랙 매트릭스를 형성하고 기판 위에 공통 전극을 형성한다. 따라서 본 발명에 따른 공통 전극 기판에서는 동일한 두께 상에서 몰리브덴을 사용함으로서 반사율이 약 3/10정도로 감소되는 저반사율 블랙 매트릭스를 구현할 수 있고, 또한 동일한 두께 상에서 낮은 비저항을 갖는 몰리브덴을 사용함으로써 공통 전극 저항이 감소로 크로스토크를 줄일 수 있는 동시에 중금속이 크롬 대신 몰리브덴을 사용함으로써 환경에 대응하는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970030918A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950040691
申请日：1995-11-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 신규한 박막트랜지스터-액정표시소자의 제조방법이 개시되어 있다. 기판 상에 알루미늄 합금으로 이루어진 게이트 전극을 형성한 다음, 화학기상증착(CVD) 공정으로 절연막, 비정질실리콘막 및 불순물이 도우프된 비정질실리콘막을 연속적으로 형서함과 동시에, 알루미늄 합금으로 이루어진 게이트 전극의 비저항을 감소시킨다. 결과물 상에 소오스/드레인 전극을 형성한 후, 그 위에 화학기상증착 공정으로 보호막을 형성한다. 별도의 열처리 없이 알루미늄 합금막의 저저항화를 달성할 수 있다.
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