Abstract:
본 발명의 실시예에 따른 공기 청정 시스템을 구성하는 환풍구에는, 환풍구 속 망 및 겉 망과 그 사이에 필터가 구성되어 있으며, 이들을 결합시켜주는 조임 나사를 더 포함한다. 구체적으로, 라이브러리 내부에서 전체 설비 내부로의 공기 순환 통로가 되는 환풍구에는 환풍구의 크기보다 조금 넓은 환풍구 속 망이 환풍구를 덮고 있다. 그 상부에는, 환풍구 전체를 덮는 필터가 놓이며, 필터 상부에 필터를 완전히 덮는 넓이의 환풍구 겉 망이 필터를 감싸도록 속 망과 함께 맞물려 있다. 또한, 환풍구 속 망과 겉 망을 라이브러리 외측에 고정시키기 위한 수단으로 조임 나사가 각 모서리 마다 결착되어 있다. 여기서, 속 망과 겉 망은 스테인리스(Stainless) 재질이며, 필터는 0.1 마이크로 미터 이상의 파티클을 걸러내는 헤파 필터(HEPA filter)인 것이 바람직하다.
Abstract:
PURPOSE: A semiconductor device manufacturing apparatus having a wafer centering correction system and a wafer centering method are provided to be capable of precisely aligning the first center of a rotating spin chuck and the second center of a wafer for improving productivity. CONSTITUTION: A semiconductor device manufacturing apparatus(101) is provided with a spin chuck(105) for supporting a wafer(102), a main controller, an arm for transferring the wafer to the spin chuck, and a wafer centering system. At this time, the wafer centering system includes a CCD(Charge Coupled Device) light emitting device(103) for irradiating light through each pixel of a two-dimensional array and a CCD light receiving device(104) opposite to the CCD light emitting device.
Abstract:
본 발명은 광원의 광도변화나 광원의 수명에 의해 발생되는 문제를 미연에 방지할 수 있도록 개선한 반도체 제조용 오버레이 계측설비에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 제조용 오버레이 계측설비는 광원과, 상기 광원으로부터 나온 빔을 투과 및 반사시켜 제1 및 제2경로로 진행시키는 빔스플리터; 상기 빔스플리터를 투과한 제1경로의 빔을 반사시켜 상기 빔스플리터에 다시 입사시키는 기준미러; 상기 빔스플리터를 반사한 제2경로의 빔이 입사된 후 오버레이 측정 패턴에서 반사되어 상기 빔스플리터에 다시 입사되는 웨이퍼 스테이지; 상기 빔스플리터에 재입사되어 반사된 제1경로의 빔과, 상기 웨이퍼의 오버레이 측정 패턴에서 재반사된 후에 상기 빔스플리터에 재입사되어 투과된 제2경로의 빔을 촬상하는 오버레이 계측부; 상기 광원과 상기 빔스플리터 사이에 설치되어 상기 광원의 빔 세기를 조절하기 위한 필터부를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A spin coater is provided to prevent a rinse solution and a photoresist from rebounding on and infiltrating a wafer by using a rinse drain unit. CONSTITUTION: A spin coater comprises a wafer chuck(220) for holding a wafer, a driving unit(230,240) for rotating the wafer, a photoresist supply unit, and a wafer rinse unit(271,272,273) for rinsing an edge and a rear surfaces of the wafer by spraying a rinse solution on the wafer. The apparatus further comprises an exterior barrier(210) surrounding the edge of the wafer, an interior barrier(290) surrounding the space under the wafer, an exhaust unit(250,260) connected to the interior barrier, and a rinse drain unit(280). The exterior barrier prevents the photoresist and the rinse solution from flying away due to the centrifugal force of the rotating wafer. The interior barrier is used to gather the photoresist and the rinse solution which are bumped against the exterior barrier and flow down. The exhausting unit exhausts the photoresist, the rinse solution and dust particles floating around the interior barrier. The rinse drain unit compulsorily sucks and exhausts the photoresist and the rinse solution which are floating over the wafer.
Abstract:
PURPOSE: A wafer carrier apparatus for spinner equipment having an improved arm transfer unit is provided to prevent the generation of particles caused by the frictional force by using a magnetic levitation method. CONSTITUTION: A wafer carrier apparatus for spinner equipment having an improved arm transfer unit includes an indexer, a coater, a developer, an interface, and arm. The indexer is used for loading and unloading a wafer. The coater is used for coating a surface of the wafer. The developer is used for developing an exposed wafer. The interface is used for performing an interaction with an exposure device. The arm is used for loading the wafer to each other or unloading the wafer from each part. The arm is transferred by a magnetic levitation transfer unit(10).
Abstract:
PURPOSE: An apparatus for removing particles of a substrate is provided to securely remove the particles by detecting the particles generating in the surface of the substrate and by inspecting whether the particles are eliminated. CONSTITUTION: A main body(510) is so installed to be capable of being transferred by a transfer unit. A scan light source(521) irradiates inspection light, installed in the main body and transferring at a predetermined angle with the surface of the substrate. A recognition unit(522) recognizes the light source irradiated to the substrate to provide position information of the particles. A particle inspection unit(520) includes the scan light source and the recognition unit. A gas injection unit(531) injects gas to the particles attached to the surface of the substrate. A vacuum exhaust unit(532) exhausts the particles blown by the gas, confronting the gas injection unit. A particle removing unit(530) is composed of the gas injection unit and the vacuum exhaust unit. A control unit receives a detection signal of the particle inspection unit and outputs an operation signal to the transfer unit and the particle removing unit.
Abstract:
본 발명은 광원의 광도변화나 광원의 수명에 의해 발생되는 문제를 미연에 방지할 수 있도록 개선한 반도체 제조용 오버레이 계측설비에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 제조용 오버레이 계측설비는 광원과, 상기 광원으로부터 나온 빔을 투과 및 반사시켜 제1 및 제2경로로 진행시키는 빔스플리터; 상기 빔스플리터를 투과한 제1경로의 빔을 반사시켜 상기 빔스플리터에 다시 입사시키는 기준미러; 상기 빔스플리터를 반사한 제2경로의 빔이 입사된 후 오버레이 측정 패턴에서 반사되어 상기 빔스플리터에 다시 입사되는 웨이퍼 스테이지; 상기 빔스플리터에 재입사되어 반사된 제1경로의 빔과, 상기 웨이퍼의 오버레이 측정 패턴에서 재반사된 후에 상기 빔스플리터에 재입사되어 투과된 제2경로의 빔을 촬상하는 오버레이 계측부; 상기 광원과 상기 빔스플리터 사이에 설치되어 상기 광원의 빔 세기를 조절하기 위한 필터부를 포함한다.
Abstract:
반도체 포토 공정에서 포토레지스트 분사노즐의 효과적인 클리닝이 가능한 코팅 장치를 제공한다. 반도체 포토 공정용 코팅 장치는 포토레지스트 코팅 작업 시 웨이퍼에 포토레지스트를 분사하는 분사노즐, 코팅 작업을 수행하지 않는 동안 분사노즐을 대기시키는 대기 유니트 및 대기 유니트 내에 분사노즐과 대향하도록 설치되어 분사노즐 팁 말단에 응고된 포토레지스트를 제거하는 클리너를 공급하는 클리닝노즐을 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: Provided is a photoresist coating apparatus for the manufacture of a semiconductor, which simplifies constitutional elements and reduces processing steps to improve the work efficiency and to reduce the manufacturing cost. CONSTITUTION: The photoresist coating apparatus comprises: a coating unit(200) for carrying out coating of a photoresist on a wafer(70); a gathering tank(232) disposed inside of the coating unit(200) for gathering residual photoresist after the coating step; a drain line(220) connected to the gathering tank(232) at one end thereof for discharging the gathered photoresist; and storage tanks(242,244) connected to the other end of the drain line(220) for storing the photoresist discharged from the drain line(220). In the photoresist coating apparatus, a plurality of storage tanks(242,244) are provided to the number corresponding to the kinds of the photoresist used in the coating step. The drain line(220) is branched into each storage tank(242,244), wherein the branching point of the drain line is equipped with a changeover valve(260) for changing a path.