公开(公告)号：KR100706236B1

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：KR1020040092020

申请日：2004-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상언 ,  이선용 ,  하상록 ,  허동철

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  B23K26/00

Abstract: 본 발명은 건식 클리닝 방법으로 웨이퍼의 표면 상의 이물질을 제거하는 장치이다. 장치 내에서 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 챔버 외부로 운반하는 운반기체의 기류는 수평방향으로 형성되고, 챔버의 상부벽은 운반기체가 웨이퍼의 상부에서 빠른 속도로 흐르도록 굴곡지게 형성된다. 이로 인해 웨이퍼로부터 이탈되어 웨이퍼 상부로 부유된 이물질이 다시 웨이퍼의 표면으로 떨어지는 것을 방지한다.
건식 클리닝, 웨이퍼, 운반기체, 기류

公开(公告)号：KR100590202B1

公开(公告)日：2006-06-15

申请号：KR1020030060261

申请日：2003-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박무용 ,  이종원 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/22 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26

Abstract: 본 발명은 연마제와 첨가제가 고정된 연마 패드 및 그 형성방법에 관한 것으로, 연마 패드 기판을 제공하는 단계; 및 상기 연마 패드 기판 상에 적어도 하나의 연마제층과 적어도 하나의 첨가제층이 혼합된 복수개의 기둥을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 상기 연마 패드 기판 상에 적어도 하나의 연마제층과 적어도 하나의 첨가제층이 혼합된 복수개의 기둥을 가진 연마 패드가 제조된다. 본 발명에 의하면, 연마 패드 상에 연마제층과 첨가제층이 이미 형성되어 있기 때문에 화학적 기계적 연마 공정시 연마제 및 첨가제 공급장치가 필요없게 된다. 따라서, 화학적 기계적 연마 공정 진행시 단순히 탈이온수만의 공급만이 필요하며, 연마제와 첨가제가 동시에 연마 패드 상에서 혼합됨으로써 참가제에 의한 고유한 특성이 연마 패드 상에서 바로 구현되는 것이다.

公开(公告)号：KR1020060044186A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020040092020

申请日：2004-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상언 ,  이선용 ,  하상록 ,  허동철

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0069 ,  H01L21/304

Abstract: 본 발명은 건식 클리닝 방법으로 웨이퍼의 표면 상의 이물질을 제거하는 장치이다. 장치 내에서 웨이퍼로부터 이탈된 이물질을 챔버 외부로 운반하는 운반기체의 기류는 수평방향으로 형성되고, 챔버의 상부벽은 운반기체가 웨이퍼의 상부에서 빠른 속도로 흐르도록 굴곡지게 형성된다. 이로 인해 웨이퍼로부터 이탈되어 웨이퍼 상부로 부유된 이물질이 다시 웨이퍼의 표면으로 떨어지는 것을 방지한다.
건식 클리닝, 웨이퍼, 운반기체, 기류

公开(公告)号：KR1020050041593A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：KR1020030076813

申请日：2003-10-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송효준 ,  하상록 ,  이성호

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 공기 청정 시스템을 구성하는 환풍구에는, 환풍구 속 망 및 겉 망과 그 사이에 필터가 구성되어 있으며, 이들을 결합시켜주는 조임 나사를 더 포함한다. 구체적으로, 라이브러리 내부에서 전체 설비 내부로의 공기 순환 통로가 되는 환풍구에는 환풍구의 크기보다 조금 넓은 환풍구 속 망이 환풍구를 덮고 있다. 그 상부에는, 환풍구 전체를 덮는 필터가 놓이며, 필터 상부에 필터를 완전히 덮는 넓이의 환풍구 겉 망이 필터를 감싸도록 속 망과 함께 맞물려 있다. 또한, 환풍구 속 망과 겉 망을 라이브러리 외측에 고정시키기 위한 수단으로 조임 나사가 각 모서리 마다 결착되어 있다. 여기서, 속 망과 겉 망은 스테인리스(Stainless) 재질이며, 필터는 0.1 마이크로 미터 이상의 파티클을 걸러내는 헤파 필터(HEPA filter)인 것이 바람직하다.

公开(公告)号：KR100486693B1

公开(公告)日：2005-05-03

申请号：KR1020030016433

申请日：2003-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손홍성 ,  하상록 ,  김일구 ,  오준환

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 금속의 리세스 또는 보이드와 같은 결함을 방지하기 위한 금속 매립 방법이 개시된다. 반도체 기판 상에 절연막, 제1 및 제2 마스크층을 순차적으로 형성하고, 포토레지스트 패턴을 마스크로 제1 및 제2 마스크층을 식각하여 제1 및 제2 마스크를 형성한다. 제1 마스크에 대해 높은 식각율을 갖는 에천트로 제1 마스크를 선택적으로 식각하여 확장된 개구부를 갖는 제3 마스크를 형성한 후, 다시 제2 마스크를 이용하여 절연막을 식각하여 홀을 형성한다. 금속층으로 홀 및 확장된 개구부를 매립하고, 평탄화 공정을 통해 제3 마스크 및 금속층을 제거하여 금속 플러그를 형성한다. 금속 리세스 또는 금속 플러그의 보이드가 크게 개선된 금속 플러그를 형성할 수 있으며, 금속의 갭 매립 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100485388B1

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：KR1020030012763

申请日：2003-02-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성배 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L27/10885 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/66181

Abstract: 원하는 치수의 트렌치를 용이하게 형성할 수 있는 트렌치 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판 상에 절연막을 형성하고, 절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하는 제1 식각 공정을 통해 절연막에 제1 치수를 가지는 트렌치를 형성하고, 트렌치를 포함하는 절연막을 제2 식각 공정을 통해 식각하여 제2 치수를 갖는 확장된 트렌치를 형성한다. 제1 식각 공정을 통하여 마스크인 포토레지스트 패턴의 구조적인 안정성을 유지하면서 제1 치수를 가지는 트렌치를 형성한 다음, 반도체 기판 또는 절연막의 종류에 따라 상이한 조성을 가지는 식각 용액을 사용하는 제2 식각 공정을 통하여 트렌치의 치수를 확장시킬 수 있다. 따라서, 확장된 구조를 가지는 트렌치 내에 요구되는 사이즈의 금속 배선이나 소자 분리막 또는 콘택 등을 정확하게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050007004A

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1020030047006

申请日：2003-07-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김일구 ,  하상록 ,  손세일 ,  이경우

IPC: H01L21/3205

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal interconnection layer is provided to control a pattern defect caused by a thickness difference of photoresist by forming a partial via hole while forming a photoresist layer or a buried material layer in the via hole. CONSTITUTION: The first stopper layer is formed on a semiconductor substrate(400) having the first conductive layer(402). An interlayer dielectric is formed on the first stopper layer(404). A hard mask layer functioning as an ARC(anti-reflective costing) is formed on the interlayer dielectric. The first photoresist pattern is formed on the hard mask layer to define a via hole(412) connected to the first conductive layer. The hard mask layer and the interlayer dielectric are partially etched to form a partial via hole. The remaining first photoresist pattern is removed. A photoresist layer is formed. The photoresist layer is left in the partial via hole while the second photoresist pattern for defining a trench interconnection region that at least partially overlaps the partial via hole is formed. The hard mask layer is etched to form a hard mask layer pattern. The remaining second photoresist pattern is removed. The interlayer dielectric is partially etched to form the trench interconnection region and a full via hole to which the partial via hole is extended. The first stopper layer exposed to the lower part of the full via hole is eliminated. The full via hole and the trench interconnection region are filled with the second conductive layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成金属互连层的方法，以在通孔中形成光致抗蚀剂层或掩埋材料层时，通过形成部分通孔来控制由光致抗蚀剂的厚度差引起的图案缺陷。 构成：第一阻挡层形成在具有第一导电层（402）的半导体衬底（400）上。 在第一阻挡层（404）上形成层间电介质。 在层间电介质上形成用作ARC（抗反射成本计算）的硬掩模层。 第一光致抗蚀剂图案形成在硬掩模层上以限定连接到第一导电层的通孔（412）。 硬掩模层和层间电介质被部分蚀刻以形成部分通孔。 剩下的第一光致抗蚀剂图案被去除。 形成光致抗蚀剂层。 光致抗蚀剂层留在部分通孔中，而形成用于限定与部分通路孔至少部分重叠的沟槽互连区域的第二光致抗蚀剂图案。 硬掩模层被蚀刻以形成硬掩模层图案。 去除剩余的第二光致抗蚀剂图案。 部分蚀刻层间电介质以形成沟槽互连区域和部分通孔延伸到的完整通孔。 消除了暴露于完整通孔下部的第一阻挡层。 全通孔和沟槽互连区填充有第二导电层。

公开(公告)号：KR1020040103554A

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：KR1020030034503

申请日：2003-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 복승일 ,  김일구 ,  하상록

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A wiring formation method using a metal mask to prevent a hard mask layer from being damaged is provided to improve the etching selectivity of a lower interlayer dielectric and a metal mask pattern by performing a plasma process for a surface of the metal mask pattern. CONSTITUTION: A metal mask pattern having an opening is formed on an upper surface of an interlayer dielectric(54). A plasma process for the metal mask pattern is performed by using a gas containing oxygen. The interlayer dielectric is etched by using the metal mask pattern as an etch mask. The metal mask pattern is formed with a metal material which can be etched by an anisotropic etching method.

Abstract translation: 目的：提供使用金属掩模以防止硬掩模层损坏的布线形成方法，以通过对金属掩模图案的表面进行等离子体处理来提高下层间电介质和金属掩模图案的蚀刻选择性。 构成：在层间电介质（54）的上表面上形成具有开口的金属掩模图案。 通过使用含氧气体来进行金属掩模图案的等离子体处理。 通过使用金属掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻层间电介质。 金属掩模图案由能够通过各向异性蚀刻方法蚀刻的金属材料形成。

公开(公告)号：KR1020040103553A

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：KR1020030034502

申请日：2003-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박완재 ,  김일구 ,  하상록

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A single damascene process is provided to enhance the reliability of a semiconductor device by using a hard mask layer having a metal element and etching an interlayer dielectric, twice. CONSTITUTION: An etch-stop layer, an interlayer dielectric(40), and a hard mask layer are sequentially stacked on a semiconductor substrate(10) having a conducting part(20). A hard mask(50a) is formed by patterning the hard mask layer by a photoresist pattern. The first temporary recess region(70b) including the interlayer dielectric having the first thickness is formed by etching the interlayer dielectric. The second temporary recess region for exposing the etch-stop layer is formed by etching the interlayer dielectric having the first thickness.

Abstract translation: 目的：通过使用具有金属元素的硬掩模层和蚀刻层间电介质两次来提供单个镶嵌工艺以增强半导体器件的可靠性。 构成：在具有导电部分（20）的半导体衬底（10）上依次层叠有蚀刻停止层，层间电介质（40）和硬掩模层。 硬掩模（50a）通过用光致抗蚀剂图案图案化硬掩模层而形成。 通过蚀刻层间电介质形成包括具有第一厚度的层间电介质的第一临时凹部区域（70b）。 通过蚀刻具有第一厚度的层间电介质形成用于暴露蚀刻停止层的第二临时凹部区域。

公开(公告)号：KR1020040102601A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：KR1020030034121

申请日：2003-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장호선 ,  하상록 ,  김일구 ,  복승일

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for forming a metal layer is provided to improve the reliability of metal layer by preventing the oxidation of the metal layer. CONSTITUTION: A metal layer(50) made of copper is formed on a semiconductor substrate. A non-oxide dielectric(54) is formed on the metal layer. The non-oxide dielectric layer is etched by a gas mixture comprising a hydrogen-comprising gas and at least one etching gas selected from a carbon fluoride group and a hydrocarbon group. An upper metal layer(64) is formed to connect the metal layer.

Abstract translation: 目的：提供一种形成金属层的方法，以通过防止金属层的氧化来提高金属层的可靠性。 构成：在半导体衬底上形成由铜制成的金属层（50）。 在金属层上形成非氧化物电介质（54）。 通过包含含氢气体和选自氟化碳基团和烃基的至少一种蚀刻气体的气体混合物来蚀刻非氧化物介电层。 形成上金属层（64）以连接金属层。