公开(公告)号：KR1020170056952A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020150160456

申请日：2015-11-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창교 ,  신보배 ,  이원영 ,  배용철 ,  안민수 ,  최정환 ,  현석훈

IPC: G11C11/4096 ,  G11C11/4074 ,  G11C7/10 ,  G11C7/22

CPC classification number: G11C7/1057 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4093

Abstract: 본발명에따른메모리장치에있어서, 복수의데이터신호에대한멀티플렉싱동작을수행하는데이터출력회로를포함하고, 상기데이터출력회로는, 제 1 전원전압을이용하여생성된복수의내부클록신호들을수신하고, 상기제 1 전원전압보다전압레벨이높은제 2 전원전압을이용하여상기복수의내부클록신호들을부스팅함으로써복수의부스팅클록신호들을생성하는클록부스팅버퍼부및 상기부스팅클록신호들에동기하여상기복수의데이터신호를멀티플렉싱(Multiplexing)하여출력하는데이터출력부를포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的存储装置包括用于对多个数据信号执行多路复用操作的数据输出电路，并且数据输出电路接收使用第一电源电压生成的多个内部时钟信号 时钟升压缓冲器单元，用于使用具有比第一电源电压高的电压电平的第二电源电压升压多个内部时钟信号以产生多个升压时钟信号， 以及用于输出多路复用数据信号的数据输出单元。