公开(公告)号：KR1020090025944A

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：KR1020070091166

申请日：2007-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박원제 ,  박영훈 ,  박진형 ,  성대철 ,  신안철 ,  정민영 ,  강보배

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/6656

Abstract: An image sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve the reliability of the image sensor by preventing the silicidation of the semiconductor substrate. An image sensor comprises a semiconductor substrate(101); a charge transport unit(130) formed on the semiconductor substrate; a photoelectron transform portion(110) which is formed within one semiconductor substrate of the charge transport unit, and accumulates the electric charge; an electric charge detection part(120) converting the electric charge accumulated in the photoelectron transform portion into the electric signal; the first spacer(210) formed on sidewall and photoelectron transform portion of the charge transport unit; a blocking film(220) which is formed on the semiconductor substrate conformably; the second spacer(230) formed in the sidewall of the charge transport unit in which the blocking film is formed.

Abstract translation: 提供了图像传感器及其制造方法，以通过防止半导体衬底的硅化来提高图像传感器的可靠性。 图像传感器包括半导体衬底（101）; 形成在半导体衬底上的电荷传输单元（130） 形成在电荷输送单元的一个半导体基板内的光电子变换部（110），蓄积电荷; 电荷检测部（120），其将在所述光电子变换部中累积的电荷转换为所述电信号; 形成在电荷输送单元的侧壁和光电子变换部分上的第一间隔物（210） 形成在半导体衬底上的阻挡膜（220）; 形成在其中形成有阻挡膜的电荷输送单元的侧壁中的第二间隔物（230）。

公开(公告)号：KR101478189B1

公开(公告)日：2015-01-02

申请号：KR1020070118136

申请日：2007-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정호 ,  정상일 ,  박영훈 ,  양준석 ,  신안철 ,  정민영

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14643

Abstract: 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 상기 이미지 센서의 제조 방법은 기판에 광전 변환 소자를 형성하고, 광전 변환 소자가 형성된 기판 상에 절연막 구조체를 형성하되, 절연막 구조체는 다층의 층간 절연막과, 다층의 층간 절연막 사이에 배치된 다층의 금속 배선을 포함하고, 광전 변환 소자 상에, 다층의 층간 절연막을 관통하는 캐버티(cavity)를 형성하고, 캐버티가 형성된 기판을 열처리하는 것을 포함한다.
이미지 센서, 캐버티, 열처리, UV 처리

公开(公告)号：KR101412144B1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：KR1020070121000

申请日：2007-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정호 ,  박영훈 ,  정상일 ,  양준석 ,  신안철 ,  정민영

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

Abstract: 금속 배선의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 상기 금속 배선의 제조 방법은 기판 상에 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막 내에 배선 형성 영역을 형성하고, 배선 형성 영역을 형성한 후, 기판을 UV 처리하고, 배선 형성 영역 내에 금속 배선을 형성하는 것을 포함한다.
금속 배선, 이미지 센서, 플라즈마 에칭 공정, UV 처리

公开(公告)号：KR1020090054239A

公开(公告)日：2009-05-29

申请号：KR1020070121000

申请日：2007-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정호 ,  박영훈 ,  정상일 ,  양준석 ,  신안철 ,  정민영

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687

Abstract: 금속 배선의 제조 방법 및 이를 이용한 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 상기 금속 배선의 제조 방법은 기판 상에 층간 절연막을 형성하고, 층간 절연막 내에 배선 형성 영역을 형성하고, 배선 형성 영역을 형성한 후, 기판을 UV 처리하고, 배선 형성 영역 내에 금속 배선을 형성하는 것을 포함한다.
금속 배선, 이미지 센서, 플라즈마 에칭 공정, UV 처리

公开(公告)号：KR1020090051650A

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：KR1020070118136

申请日：2007-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정호 ,  정상일 ,  박영훈 ,  양준석 ,  신안철 ,  정민영

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14687 ,  H01L27/14643

Abstract: 이미지 센서의 제조 방법이 제공된다. 상기 이미지 센서의 제조 방법은 기판에 광전 변환 소자를 형성하고, 광전 변환 소자가 형성된 기판 상에 절연막 구조체를 형성하되, 절연막 구조체는 다층의 층간 절연막과, 다층의 층간 절연막 사이에 배치된 다층의 금속 배선을 포함하고, 광전 변환 소자 상에, 다층의 층간 절연막을 관통하는 캐버티(cavity)를 형성하고, 캐버티가 형성된 기판을 열처리하는 것을 포함한다.
이미지 센서, 캐버티, 열처리, UV 처리