公开(公告)号：KR1020170090194A

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020160010753

申请日：2016-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신재철 ,  이종철 ,  최근규 ,  정민화 ,  정숙진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/54 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253

Abstract: 챔버의상부에배치된샤워헤드, 상기샤워헤드상에배치된가스공급부, 상기챔버의내부에배치된서셉터, 및상기챔버의하부에배치된가스배출부를포함하는반도체소자제조설비가설명된다. 상기챔버는가상적으로분리된제1 반응공간및 제2 반응공간을가질수 있다. 상기가스공급부는상기제1 반응공간으로제1 가스를공급하는제1 가스공급관및 상기제2 반응공간으로제2 가스를공급하는제2 가스공급관을포함할수 있다. 상기가스배출부는상기서셉터의양쪽에상기제1 반응공간과가깝도록배치된제1 가스배출관, 상기제2 반응공간과가깝도록배치된제2 가스배출관, 상기제1 가스배출관과공간적으로연결되어상기제2 가스를센싱하는제1 가스센서, 및상기제2 가스배출관과공간적으로연결되어상기제1 가스를센싱하는제2 가스센서를포함할수 있다.

Abstract translation: 描述了包括设置在腔室上部的喷头的半导体器件制造设备，设置在喷头上的气体供给部，设置在腔室内的基座以及设置在腔室下部的气体排出部。 该室可以具有实质上分离的第一反应空间和第二反应空间。 气体供应单元可以包括用于将第一气体供应到第一反应空间的第一气体供应管和用于将第二气体供应到第二反应空间的第二气体供应管。 气体排出部连接到所述基座的每一侧布置成尽可能靠近反应空间中，其中的第二气体出口管布置为尽可能靠近反应空间，该第一气体出口管和所述空间的第一的第一气体出口管 第一气体传感器感测第二气体，第二气体传感器在空间上连接到第二气体排出管以感测第一气体。

公开(公告)号：KR1020160107410A

公开(公告)日：2016-09-19

申请号：KR1020150029947

申请日：2015-03-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 원익아이피에스

Inventor： 정민화 ,  김기철 ,  이종철 ,  한규희 ,  신재철 ,  이인선 ,  문준배 ,  이승한 ,  허진필

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/683 ,  H01L21/02263

Abstract: 본발명은서셉터및 그를구비하는기판제조장치를개시한다. 서셉터는디스크와, 상기디스크상에함몰되어기판을수납하는적어도하나의포켓홈과, 상기디스크상에함몰되어상기포켓홈에서상기디스크의가장자리측벽까지연결되는적어도하나의포켓개방홈을포함한다.

Abstract translation: 根据本发明，公开了一种基座和具有该基座的基板制造装置。 感受体包括：盘; 至少一个凹槽凹陷在盘上并接收基底的凹槽; 以及至少一个凹口在盘上的凹槽开口槽，以从凹槽连接到盘的边缘侧壁。

公开(公告)号：KR1020170051642A

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：KR1020150151511

申请日：2015-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 원익아이피에스

Inventor： 정숙진 ,  이종철 ,  정민화 ,  신재철 ,  이인선 ,  최근규 ,  안중일 ,  이승한 ,  허진필

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563

Abstract: 본발명의실시예에따른기판처리장치는, 기판에대해공정을처리하는공정챔버, 상기공정챔버내에배치되고, 상기기판을지지하는지지유닛, 상기지지유닛에지지된상기기판상으로공정가스를공급하는가스공급홀들을갖는가스공급부를포함하는가스공급유닛그리고상기공정가스를배출하는배기유닛을포함하되, 상기가스공급부는가스공급영역및 상기가스공급영역과상기배기유닛사이에배치되는가스확산영역을포함하되, 상기가스공급홀들은, 상기가스공급영역및 상기가스확산영역중 상기가스공급영역에배치된다.

Abstract translation: 的基板处理装置根据本发明的一个实施例中，设置在处理室中，处理室的工艺处理对基板，由支撑单元，所述支撑单元，用于支撑所述衬底支撑所述工艺气体在基材上 包括，但包括具有用于供给气体供应单元以及用于排出处理气体，设置在气体供给区域和气体供给区域和排气单元之间的气体供给单元的气体扩散排气单元的气体进料孔的气体供给 其中气体供应孔设置在气体供应区域和气体供应区域中。

公开(公告)号：KR1020160089657A

公开(公告)日：2016-07-28

申请号：KR1020150009131

申请日：2015-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 원익아이피에스

Inventor： 이인선 ,  김기철 ,  이종철 ,  한규희 ,  신재철 ,  정민화 ,  원유호 ,  이승한 ,  허진필

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02263

Abstract: 기판상에가스의흡착효율을강화할수 있는가스주입장치를제공하는것이다. 상기가스주입장치는베이스판, 상기베이스판 상의제1 가스분리영역, 상기베이스판 상에, 원주(circumferential) 방향으로상기제1 가스분리영역의양측에인접하고, 소오스가스를제공하는제1 및제2 소오스가스공급영역, 및상기베이스판 상에, 상기제1 가스분리영역및 제1 소오스가스공급영역사이와, 상기제1 가스분리영역및 상기제2 소오스가스공급영역사이에비배치되고, 반응가스를제공하는제1 반응가스공급영역을포함한다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够提高基板上的气体的吸收效率的气体注入装置。 气体注入装置包括：基板; 基板上的第一气体分离区域; 第一和第二源气体供给区域，其在所述基板上沿圆周方向与所述第一气体分离区域的两侧相邻，并且构造成供给源气体; 以及未配置在第一气体分离区域和第一源气体供给区域之间以及第一气体分离区域和第二源气体供给区域之间并构成为供给反应气体的第一反应气体供给区域。