公开(公告)号：KR1020140136594A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：KR1020130056612

申请日：2013-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종철 ,  김범석 ,  정숙진 ,  최근규

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4412

Abstract: 배기 장치는, 공정 챔버 내에서 반응에 참여하지 않은 전구체를 추출하여 외부로 배출하는 배기 펌프, 및 상기 배기 펌프의 내부 표면에 흡착되어 상기 전구체가 상기 배기 펌프의 내부 표면에 흡착되는 것을 방지(prevent)하는 제1 물질을 상기 배기 펌프로 공급하는 제1 물질 공급 장치를 포함한다.

Abstract translation: 排气装置包括：排气泵，其构造成在处理室中提取未反应的前体并将未反应的前体排出所述排气泵; 以及第一材料供给器，被配置为提供被吸附到所述排气泵的内表面以防止未反应的前体被吸收到所述排气泵的内表面的第一材料进入所述排气泵。

公开(公告)号：KR1020120130967A

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：KR1020110049090

申请日：2011-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  이승환 ,  김범석 ,  조규호 ,  권오성 ,  최근규 ,  임지은 ,  탁용석

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/823475 ,  H01L21/823456

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device having a metal plug and a forming method thereof are provided to prevent a leakage current of a capacitor by forming a buried contact plug and a bottom electrode after removing a temporary electrode. CONSTITUTION: A substrate comprises a first source drain region(31), a second source drain region, and a third source drain region. A first conductive plug comes in contact with the first source drain region. An interlayer insulating film(40) covers the first conductive plug and the substrate. A second conductive plug comes in contact with the second source drain region by vertically passing through the interlayer insulating film. A third conductive plug comes in contact with the third source drain region by vertically passing through the interlayer insulating film.

Abstract translation: 目的：提供一种具有金属塞及其形成方法的半导体器件，以在去除临时电极之后通过形成埋入式接触插塞和底部电极来防止电容器的漏电流。 构成：衬底包括第一源极漏极区域（31），第二源极漏极区域和第三源极漏极区域。 第一导电插头与第一源极漏极区域接触。 层间绝缘膜（40）覆盖第一导电插塞和基板。 第二导电插头通过垂直穿过层间绝缘膜与第二源漏区接触。 通过垂直穿过层间绝缘膜，第三导电插头与第三源漏区接触。

公开(公告)号：KR101817970B1

公开(公告)日：2018-01-15

申请号：KR1020100097361

申请日：2010-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  김범석 ,  탁용석 ,  조규호 ,  이승환 ,  권오성 ,  최근규

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L24/32 ,  H01L28/90 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/8385

Abstract: 기판상에다수의금속패턴들이배치된다. 상기금속패턴들사이에지지구조가제공된다. 상기지지구조는서포터(supporter) 및접착막(glue layer)을갖는다. 상기금속패턴들의각각은상기기판상의수직길이가수평길이보다크다. 상기서포터는 4.5 eV 이상의밴드갭 에너지(band gap energy)를갖는다. 상기접착막은상기금속패턴들에접촉된다. 상기서포터및 상기접착막은서로다른물질막이다.

Abstract translation: 多个金属图案设置在基板上。 在金属图案之间提供支撑结构。 支撑结构具有支撑件和胶合层。 每个金属图案在衬底上的垂直长度大于水平长度。 支撑体具有4.5eV以上的带隙能量。 粘合剂膜与金属图案接触。 支撑物和粘合剂膜是不同的材料膜。

公开(公告)号：KR1020120035683A

公开(公告)日：2012-04-16

申请号：KR1020100097361

申请日：2010-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  김범석 ,  탁용석 ,  조규호 ,  이승환 ,  권오성 ,  최근규

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L24/32 ,  H01L28/90 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/8385 ,  H01L27/10808 ,  H01L2924/19041

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent the collapse of lower electrodes by providing a supporting structure between the lower electrodes. CONSTITUTION: A supporting structure includes a supporter(33S) and a glue layer(41) between metal patterns. The metal pattern has a vertical length longer than a horizontal length on a substrate. The supporter has band gap energy of 4.5eV or greater. The glue layer is touched with the metal patterns. The supporter and the glue layer are made of different film materials.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件以通过在下电极之间提供支撑结构来防止下电极的塌陷。 构成：支撑结构包括金属图案之间的支撑件（33S）和胶层（41）。 金属图案具有比基板上的水平长度更长的垂直长度。 支架具有4.5eV或更大的带隙能量。 胶层与金属图案接触。 支撑体和胶层由不同的膜材料制成。

公开(公告)号：KR101993355B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020130026877

申请日：2013-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  이종철 ,  김윤수 ,  유차영 ,  최근규

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

公开(公告)号：KR1020170051642A

公开(公告)日：2017-05-12

申请号：KR1020150151511

申请日：2015-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  주식회사 원익아이피에스

Inventor： 정숙진 ,  이종철 ,  정민화 ,  신재철 ,  이인선 ,  최근규 ,  안중일 ,  이승한 ,  허진필

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45563

Abstract: 본발명의실시예에따른기판처리장치는, 기판에대해공정을처리하는공정챔버, 상기공정챔버내에배치되고, 상기기판을지지하는지지유닛, 상기지지유닛에지지된상기기판상으로공정가스를공급하는가스공급홀들을갖는가스공급부를포함하는가스공급유닛그리고상기공정가스를배출하는배기유닛을포함하되, 상기가스공급부는가스공급영역및 상기가스공급영역과상기배기유닛사이에배치되는가스확산영역을포함하되, 상기가스공급홀들은, 상기가스공급영역및 상기가스확산영역중 상기가스공급영역에배치된다.

Abstract translation: 的基板处理装置根据本发明的一个实施例中，设置在处理室中，处理室的工艺处理对基板，由支撑单元，所述支撑单元，用于支撑所述衬底支撑所述工艺气体在基材上 包括，但包括具有用于供给气体供应单元以及用于排出处理气体，设置在气体供给区域和气体供给区域和排气单元之间的气体供给单元的气体扩散排气单元的气体进料孔的气体供给 其中气体供应孔设置在气体供应区域和气体供应区域中。

公开(公告)号：KR1020160021958A

公开(公告)日：2016-02-29

申请号：KR1020140107130

申请日：2014-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강성호 ,  이선영 ,  이재희 ,  이한기 ,  최근규

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32853 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3247

Abstract: 본발명은플라즈마처리장치및 기판처리방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른플라즈마처리장치는내부공간을형성하는공정챔버; 상기내부공간의가스를플라즈마로여기하는마이크로파인가유닛; 상기챔버의내측벽에형성되어, 상기내부공간의상부로제 1 공정가스를분사하는제 1 노즐; 상기챔버의내측벽에형성되어, 상기내부공간의하부로제 2 공정가스를분사하는제 2 노즐을포함한다.

Abstract translation: 等离子体处理装置及基板处理装置技术领域本发明涉及等离子体处理装置及基板处理装置。 根据本发明的实施例，等离子体处理装置包括：形成内部空间的处理室; 微波施加单元，其通过等离子体激发内部空间中的气体; 形成在所述室的内壁上的第一喷嘴，以将第一处理气体喷射到所述内部空间的上部; 以及形成在所述室的内壁上的第二喷嘴，以将第二处理气体喷射到所述内部空间的下部。 因此，本发明有效地处理基板。

公开(公告)号：KR101908358B1

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：KR1020110049090

申请日：2011-05-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김완돈 ,  이승환 ,  김범석 ,  조규호 ,  권오성 ,  최근규 ,  임지은 ,  탁용석

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 제1 소스/드레인 영역, 제2 소스/드레인 영역, 및 제3 소스/드레인 영역을 갖는 기판이 제공된다. 상기 제1 소스/드레인 영역과 접촉하고, 제1 폭 및 제1 높이를 갖고, 제1 물질을 갖는 제1 전도 플러그가 배치된다. 상기 제1 전도 플러그 및 상기 기판을 덮는 층간 절연 막이 배치된다. 상기 층간 절연 막을 수직으로 관통하여 상기 제2 소스/드레인 영역과 접촉하며, 제2 폭 및 제2 높이를 갖고, 제2 물질을 포함하는 제2 전도 플러그가 배치된다. 상기 층간 절연 막을 수직으로 관통하여 상기 제3 소스/드레인 영역과 접촉하고, 제3 폭 및 제3 높이를 갖고, 제3 물질을 포함하는 제3 전도 플러그가 배치된다. 상기 제2 물질은 귀금속, 귀금속 산화물, 및 페로브스카이트(perovskite) 계열의 도전성 산화물 중 하나를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020170090194A

公开(公告)日：2017-08-07

申请号：KR1020160010753

申请日：2016-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신재철 ,  이종철 ,  최근규 ,  정민화 ,  정숙진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/54 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253

Abstract: 챔버의상부에배치된샤워헤드, 상기샤워헤드상에배치된가스공급부, 상기챔버의내부에배치된서셉터, 및상기챔버의하부에배치된가스배출부를포함하는반도체소자제조설비가설명된다. 상기챔버는가상적으로분리된제1 반응공간및 제2 반응공간을가질수 있다. 상기가스공급부는상기제1 반응공간으로제1 가스를공급하는제1 가스공급관및 상기제2 반응공간으로제2 가스를공급하는제2 가스공급관을포함할수 있다. 상기가스배출부는상기서셉터의양쪽에상기제1 반응공간과가깝도록배치된제1 가스배출관, 상기제2 반응공간과가깝도록배치된제2 가스배출관, 상기제1 가스배출관과공간적으로연결되어상기제2 가스를센싱하는제1 가스센서, 및상기제2 가스배출관과공간적으로연결되어상기제1 가스를센싱하는제2 가스센서를포함할수 있다.

Abstract translation: 描述了包括设置在腔室上部的喷头的半导体器件制造设备，设置在喷头上的气体供给部，设置在腔室内的基座以及设置在腔室下部的气体排出部。 该室可以具有实质上分离的第一反应空间和第二反应空间。 气体供应单元可以包括用于将第一气体供应到第一反应空间的第一气体供应管和用于将第二气体供应到第二反应空间的第二气体供应管。 气体排出部连接到所述基座的每一侧布置成尽可能靠近反应空间中，其中的第二气体出口管布置为尽可能靠近反应空间，该第一气体出口管和所述空间的第一的第一气体出口管 第一气体传感器感测第二气体，第二气体传感器在空间上连接到第二气体排出管以感测第一气体。

公开(公告)号：KR1020140114480A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020130026877

申请日：2013-03-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정숙진 ,  이종철 ,  김윤수 ,  유차영 ,  최근규

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02219 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228

Abstract: The present invention discloses a thin layer forming method. This method includes a step of forming a dielectric layer by using a silicon precursor displayed as HzSi(NR4R5)4-z and a metal precursor displayed as M(OR1R2) or R3yM(NR1R2)x-y. At this time, R1, R2, R3, R4, and R5 are hydrogen or hydrocarbon, R3 is different from R1, R2, R4, and R5, and x=3~5, y=1~4, z=2~3, M is metal, and the dielectric layer is a metal nitride layer doped with silicon or metal silicate.

Abstract translation: 本发明公开了一种薄层形成方法。 该方法包括通过使用显示为HzSi（NR4R5）4-z的硅前体和显示为M（OR1R2）或R3yM（NR1R2）x-y的金属前体形成电介质层的步骤。 此时，R1，R2，R3，R4和R5是氢或烃，R3不同于R1，R2，R4和R5，x = 3〜5，y = 1〜4，z = 2〜3 M是金属，介电层是掺有硅或金属硅酸盐的金属氮化物层。