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公开(公告)号：KR102239356B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020150023899A
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1604 , G06F1/08 , G06F1/26 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는 플래시 메모리와 메모리 컨트롤러를 포함한다. 상기 메모리 컨트롤러는 상기 플래시 메모리에 동작 오류가 발생한 경우에 제 1 데이터 입출력 속도로 상기 플래시 메모리에 대한 제 1 재처리 동작(retry operation 1)을 수행하고, 상기 제 1 재처리 동작에 의해 상기 플래시 메모리의 동작 오류가 구제되지 않는 경우에 상기 제 1 데이터 입출력 속도보다 낮은 제 2 데이터 입출력 속도로 상기 플래시 메모리에 대한 제 2 재처리 동작(retry operation 2)을 수행한다. 본 발명에 의하면, 추운 온도와 같은 환경에서는 플래시 메모리의 데이터 입출력을 위한 클록의 주파수를 낮추어 주고, 따뜻한 온도 또는 상온에서는 클록 주파수를 높게 설정함으로, 저장 장치의 성능을 극대화하고 동작 오류를 최소화할 수 있다.
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2.发明公开
公开(公告)号：KR1020160101751A
公开(公告)日：2016-08-26
申请号：KR1020150023899
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0629 , G06F3/0604 , G06F3/0679 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C16/32 , G06F11/1604 , G06F1/08 , G06F1/26 , G06F12/0246
Abstract: 본발명의실시예에따른저장장치는플래시메모리와메모리컨트롤러를포함한다. 상기메모리컨트롤러는상기플래시메모리에동작오류가발생한경우에제 1 데이터입출력속도로상기플래시메모리에대한제 1 재처리동작(retry operation 1)을수행하고, 상기제 1 재처리동작에의해상기플래시메모리의동작오류가구제되지않는경우에상기제 1 데이터입출력속도보다낮은제 2 데이터입출력속도로상기플래시메모리에대한제 2 재처리동작(retry operation 2)을수행한다. 본발명에의하면, 추운온도와같은환경에서는플래시메모리의데이터입출력을위한클록의주파수를낮추어주고, 따뜻한온도또는상온에서는클록주파수를높게설정함으로, 저장장치의성능을극대화하고동작오류를최소화할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的存储设备包括闪存和存储器控制器。 存储器控制器在闪存中发生操作错误时以第一数据输入和输出速度在闪速存储器上执行重试操作1，并且以低于第一数据输入的第二数据输入和输出速度在闪速存储器上执行重试操作2 数据输入和输出速度，当闪存中的操作错误不能通过重试操作1被校正时。根据本发明，用于在闪速存储器中输入和输出数据的时钟频率在环境中被设置为低值， 例如低温环境，并且在温暖或室温下设定为高值，从而使存储装置的性能最大化并且最小化操作错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160094765A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：KR1020150016185
申请日：2015-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/064 , G06F3/0653 , G06F3/0665 , G06F3/068 , G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7204 , G11C13/0069 , G11C8/06 , G11C13/0023 , G11C13/0064
Abstract: 오버-라이트가가능한메모리장치, 메모리시스템및 메모리시스템의동작방법이개시된다. 본발명의기술적사상에따른메모리시스템의동작방법은, 하나이상의기록요청과, 이에대응하는논리적어드레스및 데이터를수신하는단계와, 상기수신된기록요청, 논리적어드레스및 데이터중 적어도하나를분석한결과를임계값과비교하는단계및 상기비교결과에기반하여, 제1 업데이트방식또는제2 업데이트방식에따라데이터를기록하는단계를구비하고, 상기제1 업데이트방식이선택될때, 기저장된어드레스맵핑정보에따라상기논리적어드레스에대응하는물리적어드레스가지시하는영역에상기데이터가기록되고, 상기제2 업데이트방식이선택될때, 상기논리적어드레스에대응하는물리적어드레스의정보가변경되고, 상기변경된물리적어드레스가지시하는영역에상기데이터가기록되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了能够覆盖的存储器件和存储器系统以及用于操作存储器系统的方法。 根据本发明的技术精神，用于操作存储器系统的方法包括以下步骤：接收至少一个写入请求，以及与所述至少一个写入请求对应的逻辑地址和数据; 将所接收的写请求，逻辑地址和数据中的至少一个与阈值进行分析的结果进行比较; 以及基于比较结果使用第一更新方法或第二更新方法来写入数据。 当选择第一更新方法时，基于先前存储的地址映射信息将数据写入由与逻辑地址对应的物理地址指示的区域中。 当选择第二更新方法时，改变对应于逻辑地址的物理地址的信息，并且将数据写入由物理地址的改变的信息指示的区域中。
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公开(公告)号：KR1020160101541A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150024312
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/1006 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0035 , G11C13/004 , G11C13/0097 , G11C2013/0076 , G11C13/0023 , G11C29/42
Abstract: 본개시는복수의메모리셀들을포함하는저항성메모리시스템에관한것으로서, 저항성메모리시스템은저항성메모리셀 어레이를포함하는메모리장치; 및메모리셀이가질수 있는소거상태및 복수의프로그램상태에대응하도록입력데이터를인코딩함으로써상기메모리셀 어레이에기입될기입데이터를생성하되, 상기기입데이터에있어서, 제1 프로그램상태를갖는메모리셀의개수및 제2 프로그램상태를갖는메모리셀의개수중 적어도하나의개수가상기소거상태및 다른프로그램상태들을갖는메모리셀들각각의개수중 적어도하나의개수보다적도록상기입력데이터를인코딩하는컨트롤러를포함하고, 상기제1 프로그램상태는상기복수의프로그램상태들중 가장높은저항레벨을갖고, 상기제2 프로그램상태는상기복수의프로그램상태들중 두번째로높은저항레벨을가질수 있다.
Abstract translation: 本公开涉及包括多个存储单元的电阻式存储器系统。 电阻式存储器系统包括：存储器件，其包括电阻存储器单元阵列; 以及控制器，其通过对输入数据进行编码来生成要写入存储单元阵列的写入数据，使得输入数据对应于存储器单元可以进入的擦除状态和多个程序状态，其中输入数据被编码使得 处于第一编程状态的存储单元的数量和第二编程状态的存储单元的数量中的至少一个小于擦除状态下的存储单元的数量和另一个中的存储单元的数量中的至少一个 程序状态 其中第一编程状态可以在编程状态之间具有最高的电阻电平，并且第二编程状态可以在编程状态之间具有第二高的电阻电平。
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公开(公告)号：KR1020160101540A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：KR1020150024311
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C13/004 , G06F11/1048 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/5607 , G11C11/5657 , G11C11/5664 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/72 , G11C5/147 , G11C13/0038 , G11C29/42
Abstract: 본개시는멀티레벨메모리셀로구현되는저항성메모리장치를포함하는저항성메모리시스템의동작방법에관한것으로서, 상기메모리셀의복수의저항상태를판별하는데이용되는복수의기준전압들의전압레벨을설정하는단계; 및상기복수의기준전압에기초하여메모리셀의데이터를독출하는단계를포함하고, 상대적으로고 저항상태를판단하는데이용되는기준전압들간의전압차이는상대적으로저 저항상태를판단하는데이용되는기준전압들간의전압차이보다클 수있다.
Abstract translation: 本公开涉及一种用于操作电阻式存储器系统的方法，其包括包括多级存储器单元的电阻式存储器件。 该方法包括设置用于确定存储单元的电阻状态的参考电压的电压电平的步骤; 以及基于参考电压读取存储器单元的数据的步骤。 用于确定相对高电阻状态的参考电压之间的电压差大于用于确定相对低电阻状态的参考电压之间的电压差。 因此，可以减少读取数据中的错误的产生。
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公开(公告)号：KR102239356B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020150023899
申请日：2015-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시예에따른저장장치는플래시메모리와메모리컨트롤러를포함한다. 상기메모리컨트롤러는상기플래시메모리에동작오류가발생한경우에제 1 데이터입출력속도로상기플래시메모리에대한제 1 재처리동작(retry operation 1)을수행하고, 상기제 1 재처리동작에의해상기플래시메모리의동작오류가구제되지않는경우에상기제 1 데이터입출력속도보다낮은제 2 데이터입출력속도로상기플래시메모리에대한제 2 재처리동작(retry operation 2)을수행한다. 본발명에의하면, 추운온도와같은환경에서는플래시메모리의데이터입출력을위한클록의주파수를낮추어주고, 따뜻한온도또는상온에서는클록주파수를높게설정함으로, 저장장치의성능을극대화하고동작오류를최소화할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170005232A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：KR1020150094142
申请日：2015-07-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0611 , G06F3/0635 , G06F3/0659 , G06F3/067
Abstract: 본발명은스토리지장치에관한것이다. 본발명의스토리지장치는, 스토리지클러스터들, 그리고외부의호스트장치로부터커맨드및 어드레스를수신하고, 수신된어드레스에따라스토리지클러스터들중 하나의스토리지클러스터를선택하고, 그리고수신된커맨드및 어드레스를선택된스토리지클러스터로전송하도록구성되는컨트롤러를포함한다. 컨트롤러는스토리지클러스터들각각이속한구역의온도에따라스토리지클러스터들을정상스토리지클러스터들및 느린스토리지클러스터들로제어하도록구성된다.
Abstract translation: 提供存储设备。 存储设备包括存储集群和控制器。 控制器从外部主机设备接收命令和地址，根据接收到的地址选择存储簇，并将接收到的命令和接收到的地址发送给选定的存储簇。 控制器根据存储集群所属的区域的温度将存储集群控制为普通存储集群和慢存储集群。
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