公开(公告)号：KR100468850B1

公开(公告)日：2005-01-29

申请号：KR1020020025400

申请日：2002-05-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  신형정 ,  정주환

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/40 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B11/08

Abstract: 저항성 팁을 구비하는 반도체 탐침 및 그 제조방법 및 이를 이용한 정보기록 및 재생방법이 개시된다. 개시된 반도체 탐침은, 제 1불순물이 도핑된 팁과, 팁이 말단부에 위치하는 캔티레버를 구비하며, 팁은, 팁의 첨두부에 위치하며, 제1불순물과 다른 제 2불순물이 저농도로 도핑되어 형성된 저항 영역 및, 저항영역과 접촉하도록 저항영역의 주변에 위치하며 제 2불순물이 고농도로 도핑되어 형성되는 제 1 및 제 2반도체 전극 영역을 구비한다. 본 발명의 반도체 탐침은 반도체 전극 영역 사이에 저항 영역을 형성하여 외부전계에 의한 반도체 공핍층의 형성유무를 감지할 수 있으므로 감도가 우수하다.

Abstract translation: 提供了具有电阻性尖端的半导体探针，制造该半导体探针的方法以及使用该半导体探针记录和再现信息的方法。 半导体探头包括尖端和悬臂。 尖端掺杂有第一杂质。 悬臂具有末端部分，尖端位于该末端部分上。 尖端包括电阻区域，以及第一和第二半导体电极区域。 电阻区域位于尖端的尖峰处并轻微掺杂与第一杂质不同的第二杂质。 第一和第二半导体电极区域重掺杂第二杂质并接触电阻区域。

公开(公告)号：KR1020030087372A

公开(公告)日：2003-11-14

申请号：KR1020020025400

申请日：2002-05-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  신형정 ,  정주환

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01Q60/40 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1418 ,  G11B11/08

Abstract: PURPOSE: A semiconductor probe having a resistive tip, a manufacturing method thereof, and a method of recording information and method of reproducing information using the same are provided to be capable of detecting small surface electric charge by forming a semiconductor resistive region at the end portion of the tip. CONSTITUTION: A semiconductor probe is provided with a tip(30) having the first dopants and a cantilever(41). At this time, the tip includes a resistive region formed at the end portion by implanting lightly doped dopants, and a source and drain region located at the peripheral tilted surface of the resistive region for electrically connecting the resistive region to an outer electrode. At the time, the resistive region, and the source and drain region are formed by implanting the second dopants. Preferably, the first and second dopant are a P-type and N-type dopant, respectively.

Abstract translation: 目的：提供一种具有电阻尖端的半导体探针及其制造方法，以及记录信息的方法以及使用其的再现信息的方法，以便能够通过在端部形成半导体电阻区域来检测小表面电荷 的提示。 构成：半导体探针设置有具有第一掺杂剂的尖端（30）和悬臂（41）。 此时，尖端包括通过注入轻掺杂的掺杂剂在端部形成的电阻区域，以及位于电阻区域的外围倾斜表面处的源极和漏极区域，用于将电阻区域电连接到外部电极。 此时，通过注入第二掺杂剂来形成电阻区域和源极和漏极区域。 优选地，第一和第二掺杂剂分别是P型和N型掺杂剂。