公开(公告)号：KR20210024384A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020190103975A

申请日：2019-08-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신홍식 ,  노현준 ,  박흥식 ,  성석현 ,  이도행 ,  이원혁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/311 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/785 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

Abstract: 반도체 소자 및 이의 제조 방법이 제공된다. 이 반도체 소자는 기판을 가로지르며, 차례로 적층된 게이트 절연막, 게이트 전극, 게이트 캐핑 패턴을 포함하는 게이트 패턴; 상기 게이트 패턴의 측벽을 덮는 게이트 스페이서; 상기 게이트 패턴의 일 측에 상기 기판에 배치되는 소오스/드레인 패턴; 상기 소오스/드레인 패턴 상에 배치되며 상기 게이트 전극의 상부면 보다 낮은 상부면을 가지는 콘택 패드; 상기 콘택 패드 상의 소오스/드레인 콘택 플러그; 및 상기 게이트 스페이서와 상기 소오스/드레인 콘택 플러그 사이에 개재되며 상기 소오스/드레인 콘택 플러그를 둘러싸는 링 형태를 가지는 보호 스페이서를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020080013041A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020060074006

申请日：2006-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신홍식 ,  이정목

IPC: H01L21/3063

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67086

Abstract: An apparatus and a method for preventing a flow error of a wafer in a wet station apparatus are provided to improve the flow of the wafer by controlling an overflow amount of a chemical solution and a descent speed of a robot. An inner bath(10) mounts a plurality of wafers and overflows a chemical solution. An outer bath(12) is attached to the inner bath to store the chemical solution overflowed from the inner bath. A pump(14) pumps the chemical solution stored in the outer bath. A pump driving unit(16) drives the pump in response to a certain control signal. A robot(24) transfers the wafers. A robot driving unit(26) controls the robot to move upwardly and downwardly in response to a certain control signal. A controller(28) controls the robot driving unit to move the robot downwardly at a first speed when the robot inputs the wafer into the inner bath, and simultaneously, controls the robot driving unit to move the robot downwardly at a second speed suitable for descending the wafer less than the first speed when the wafer is reached to a surface of the chemical solution in the inner bath and the pump overflows with a first flow amount. The controller further outputs a robot driving control signal and a pump driving control signal to the pump driving unit to overflow the pump in the inner bath with a second flow amount less than the first flow amount.

Abstract translation: 提供了一种用于防止湿站设备中的晶片的流量误差的装置和方法，以通过控制化学溶液的溢出量和机器人的下降速度来改善晶片的流动。 内浴（10）安装多个晶片并溢出化学溶液。 外浴（12）附接到内浴，以存储从内浴溢出的化学溶液。 泵（14）泵送存储在外浴中的化学溶液。 泵驱动单元（16）响应于一定的控制信号驱动泵。 机器人（24）传送晶片。 机器人驱动单元（26）响应于一定的控制信号控制机器人上下移动。 当机器人将晶片输入内浴时，控制器（28）控制机器人驱动单元以第一速度向下移动机器人，并且同时控制机器人驱动单元以适合于下降的第二速度向下移动机器人 当晶片到达内浴中的化学溶液的表面时，晶片小于第一速度，并且泵以第一流量溢出。 所述控制器还向所述泵驱动单元输出机器人驱动控制信号和泵驱动控制信号，以使所述内槽中的泵以比所述第一流量小的第二流量来溢出。

公开(公告)号：KR1020160098655A

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020150020255

申请日：2015-02-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두영 ,  김도형 ,  김존수 ,  박흥식 ,  신홍식 ,  최영훈

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/13091

Abstract: 반도체소자의제조방법은기판상에게이트전극, 상기게이트전극의측벽상에제1 스페이서, 상기제1 스페이서상에제2 스페이서를형성하고, 및상기게이트전극의상면상에제공되고상기제1 스페이서및 상기제2 스페이서의상면들상으로연장되는캐핑패턴을형성하는것을포함한다. 상기제2 스페이서의외측벽은상기캐핑패턴의일 측벽에정렬된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅电极; 在所述栅电极的侧壁上形成第一间隔物; 在所述第一间隔物上形成第二间隔物; 以及在所述栅电极的顶部上形成覆盖图案以在所述第一和第二间隔物的顶部上延伸。 第二间隔件的外侧壁与封盖图案的侧壁垂直对齐。