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    반도체 장치의 금속공정
    1.
    发明授权
    반도체 장치의 금속공정 失效
    金属接线方法半导体器件

    公开(公告)号：KR1019940011737B1

    公开(公告)日：1994-12-23

    申请号：KR1019910023383

    申请日：1991-12-18

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 신흥재 ,  하정민

    IPC: H01L21/28

    Abstract: The method includes the steps of forming an insulating layer (2) to be thinner than a half of the metallic wiring film width (W) in thickness on the lower layer (1), patterning the layer (2) to form a metallic wiring pattern, forming a metallic layer (3) to pattern the metallic layer (3), until the patterned film (2') is exposed, to form a metallic wiring film (3'), and forming a second insulating film (4). The method improves the insulating characteristic and planarization.

    Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在下层（1）上形成厚度比金属布线膜宽度（W）的一半更薄的绝缘层（2），图案化层（2）以形成金属布线图案 形成金属层（3），以对金属层（3）进行图案化，直到图案化膜（2'）露出为止，形成金属布线膜（3'），形成第2绝缘膜（4）。 该方法提高了绝缘特性和平坦化。

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