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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102255214B1
公开(公告)日：2021-05-24
申请号：KR1020140158055
申请日：2014-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
Abstract: 본발명의기술적사상에의한기판; 상기기판상에형성되는제1 질화물계반도체층, 상기제1 질화물계반도체층상에형성되는제2 질화물계반도체층및 상기제1 질화물계반도체층과상기제2 질화물계반도체층사이에개재되는활성층을포함하는발광적층체; 상기발광적층체의상면에형성되는절연층; 상기절연층상에형성되고, 상면의크기가하면의크기보다작고, 단면이사다리꼴형태를갖는돌출부; 상기발광적층체의상면, 상기절연층의상면및 상기돌출부의상면을덮고, 상기발광적층체의상면, 상기절연층의상면및 상기돌출부의상면을따라일정한두께로형성되는투명전도층; 및상기투명전도층상에서상기돌출부의경사진측면중 적어도하나의측면을덮는전극부; 를포함하는발광소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160062827A
公开(公告)日：2016-06-03
申请号：KR1020140165567
申请日：2014-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L33/36 , Y02E10/544
Abstract: 본발명의일 실시예에의한반도체발광소자는, 제1 및제2 영역으로구분된상면을갖는제1 도전형반도체층과, 상기제1 도전형반도체층의제2 영역상에순차적으로배치된활성층과제2 도전형반도체층을갖는발광구조물; 상기제1 도전형반도체층의제1 영역상에배치된제1 콘택전극; 상기제2 도전형반도체층상에배치된제2 콘택전극; 상기제1 콘택전극과전기적으로연결되며적어도일부영역이상기제2 콘택전극상에배치되는제1 전극패드; 상기제2 콘택전극에전기적으로연결되는제2 전극패드; 및적어도상기제1 전극패드와상기제2 콘택전극사이에개재되며, 서로다른굴절률을갖는복수의절연막들이교대로적층된다층반사구조를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体发光器件包括：发光结构，其包括具有被划分为第一和第二区域的上表面的第一导电型半导体层，依次设置在第二区域上的有源层 的第一导电型半导体层和第二导电型半导体层; 第一接触电极，设置在第一导电型半导体层的第一区域上; 设置在所述第二导电型半导体层上的第二接触电极; 第一电极焊盘，其电连接到所述第一接触电极，并且其至少一部分设置在所述第二接触电极上; 电连接到第二接触电极的第二电极焊盘; 以及多层反射结构，其至少插入在第一电极焊盘和第二接触电极之间，并且其中具有彼此不同的折射率的多个绝缘膜交替堆叠。
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公开(公告)号：KR1020150111485A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140034561
申请日：2014-03-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L21/6838 , B32B43/006 , H01L21/67092 , H01L21/68735 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , Y10T156/1132 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1911 , Y10T156/1944 , Y10T156/1978
Abstract: 본실시형태에따른기판분리장치는, 지지기판, 반도체층및 성장기판의적층구조물에서성장기판을분리하는장치에있어서, 상기적층구조물이놓이며, 상기적층구조물의바닥면을정의하는상기지지기판을파지하는제1 파지수단및 상기적층구조물을가열하는가열수단을구비하는제1 베이스; 및상기제1 파지수단상부에배치되어상기적층구조물의상면을정의하는상기성장기판을파지하는제2 파지수단을구비하는제2 베이스를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的基板分离装置将生长基板与支撑基板，半导体层和生长基板的层叠结构分离。 基板分离装置包括：第一基座，其上装载有层压结构，并且包括第一夹持单元，其夹持限定层压结构的底部的支撑基板和加热层压结构的加热单元;以及第二基座，其包括 第二夹持单元，其设置在第一夹持单元的上侧，并且夹持限定层压结构的上侧的生长基板。
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公开(公告)号：KR1020160057163A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：KR1020140158055
申请日：2014-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명의기술적사상에의한기판; 상기기판상에형성되는제1 질화물계반도체층, 상기제1 질화물계반도체층상에형성되는제2 질화물계반도체층및 상기제1 질화물계반도체층과상기제2 질화물계반도체층사이에개재되는활성층을포함하는발광적층체; 상기발광적층체의상면에형성되는절연층; 상기절연층상에형성되고, 상면의크기가하면의크기보다작고, 단면이사다리꼴형태를갖는돌출부; 상기발광적층체의상면, 상기절연층의상면및 상기돌출부의상면을덮고, 상기발광적층체의상면, 상기절연층의상면및 상기돌출부의상면을따라일정한두께로형성되는투명전도층; 및상기투명전도층상에서상기돌출부의경사진측면중 적어도하나의측면을덮는전극부; 를포함하는발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种发光元件，其向由发光元件发射的光的一部分提供指向性，该发光元件通过布线电极被重新反射到发光元件中并消散以提取光的一部分 到发光元件的外部。 根据本发明，发光元件包括：基板; 发光层叠体，其包含在所述基板上形成的第一氮化物系半导体层; 形成在第一氮化物基半导体层上的第二氮化物基半导体层和设置在第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层之间的有源层; 形成在所述发光层叠体的上表面上的绝缘层; 形成在所述绝缘层上的突起，其上表面的尺寸小于其下表面的尺寸，并且其横截面是梯形的; 覆盖发光层叠体，绝缘层和突起的上表面的透明导电层，沿规定厚度的发光层叠体，绝缘层和突起的上表面形成; 以及电极单元，用于覆盖透明导电层上的突起的倾斜侧中的至少一侧。
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