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公开(公告)号：WO2013018937A1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/KR2011/005586
申请日：2011-07-29
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 본 발명은 전자의 오버플로우를 방지하는 동시에 활성층 내로 진입하는 정공의 농도를 증가시켜 발광 효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자에 관한 것으로, n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 적어도 하나의 양자우물층과 적어도 하나의 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 활성층; 상기 활성층 상에 형성되며, 에너지 밴드갭이 서로 다른 3개의 층이 적층된 적어도 하나의 다층구조를 갖되, 상기 3개의 층 중 상기 활성층에 인접한 층이 경사진 에너지 밴드 구조를 가지는 전자차단층; 및 상기 전자차단층 상에 형성된 p형 반도체층;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种防止电子溢出并同时增加进入有源层内部的空穴的浓度从而提高发光效率的半导体发光器件。 本发明包括：n型半导体层; 形成在所述n型半导体层上的有源层，其中至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层交替堆叠; 形成在所述有源层上的电子阻挡层，并且具有至少一层多层结构，其中层叠具有不同能带隙的三层，其中在所述三层中，与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构 ; 以及形成在所述电子阻挡层上的p型半导体层。
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公开(公告)号：WO2013015472A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/KR2011/005570
申请日：2011-07-28
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/20 , H01L33/24
Abstract: 본 발명은 발광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 반도체 발광소자는, 상면에 적어도 하나의 피트를 갖는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 피트를 따라 굴곡진 상면을 갖는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되며, 상기 피트에 대응하는 영역이 상기 활성층의 굴곡을 따라 굴곡진 상면을 갖는 p형 반도체층;을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够提高发光效率的半导体发光装置及其制造方法。 根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：在其顶表面上具有至少一个凹坑的n型半导体层; 形成在所述n型半导体层上的有源层，并且在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹陷的顶面; 以及p型半导体层，其形成在有源层上，并且在其对应于凹坑的区域中具有沿有源层的凹陷凹陷的顶表面。
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公开(公告)号：KR101903359B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020120033492
申请日：2012-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은반도체발광소자에관한것으로, 본발명의일 측면은, n형반도체층및 p형반도체층과, 상기 n형반도체층및 p형반도체층사이에배치된활성층및 상기활성층과상기 p형반도체층사이에배치되며, AlInGaN (0≤x≤1, 0≤y
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公开(公告)号：KR101781435B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020110034401
申请日：2011-04-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/04
Abstract: 본발명의일 실시형태에따른질화물반도체발광소자는, n형및 p형질화물반도체층; 상기 n형및 p형질화물반도체층사이에형성된활성층; 및상기 n형질화물반도체층과상기활성층사이에형성된전자주입층을포함하고, 상기전자주입층은에너지밴드갭이서로다른 3개이상의층이적층된다층구조를구비하되, 상기다층구조는 2회이상반복되며, 상기다층구조를구성하는층들중 적어도하나의층은상기활성층에가까운것일수록에너지밴드갭이작고, 상기다층구조를구성하는층들중 가장작은밴드갭에너지를갖는층은활성층에가까운것일수록두께가두꺼운구성을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的氮化物半导体发光器件包括：n型和p型氮化物半导体层; 在n型和p型氮化物半导体层之间形成的有源层; 并且，在上述n型半导体层与上述活性层之间形成有电子注入层，上述电子注入层具有层叠了能带隙不同的3层以上的层结构， 重复是，构成多层结构的层中的至少一个层是具有接近于更多的能带间隙小的层，构成在靠近活性层中的活性层的多层结构的层的最小带隙能量 结构越厚，其包含的越多。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150092415A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020140012538
申请日：2014-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/32
Abstract: 본 발명의 일 측면에 따른 실시예는, 제1 도전형 질화물 반도체층과, 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 배치된 제1 초격자층과, 상기 제1 초격자층 상에 배치되며 복수의 V자 피트를 갖는 피트 형성층(pit formation layer)과, 상기 V자 피트에 의한 굴곡이 유지되도록 상기 피트 형성층 상에 배치된 제2 초격자층과, 상기 V자 피트에 의한 굴곡이 유지되도록 상기 제2 초격자층 상에 배치된 활성층과, 상기 V자 피트의 굴곡이 충전되도록 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하는 질화물 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面的实施例提供了一种氮化物半导体发光器件，其包括：第一导电氮化物半导体层; 布置在第一导电氮化物半导体层上的第一超晶格层; 凹坑形成层，其布置在第一超晶格层上并具有多个V形凹坑; 第二超晶格层，其布置在凹坑形成层上以通过V形凹坑保持曲率; 布置在第二超晶格层上以通过V形凹坑保持曲率的有源层; 以及布置在有源层上以填充V形凹坑的曲率的第二导电氮化物半导体层。
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公开(公告)号：KR101406788B1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020070117871
申请日：2007-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
Abstract: 발광 효율을 향상시키기 위해 측면을 포함한 발광측으로 요철면을 갖는 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판의 상부 방향으로 n형 질화물 반도체층, 활성층(active layer) 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 포함하는 발광 다이오드로서, 상기 p형 질화물 반도체층의 상부면에 해당하는 제1 면과 상기 n형 질화물 반도체층의 하부면에 해당하여 상기 기판과 접하는 제2 면을 포함하고, 상기 제1 면과 제2 면 사이에서 상기 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층까지의 측면이 다수의 요철이 형성된 요철면인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 따라서, n형 질화물 반도체층으로부터 p형 질화물 반도체층까지의 측면이 균등 간격 또는 비균등 간격으로 굴곡진 패턴으로 형성하여 발광 면적이 최대로 증대되고, 요철면으로 형성된 측면에 의해 발광의 임계각이 증가하여, 이에 따라 발광 효율이 향상된 발광 다이오드를 획득할 수 있다.
주형 패턴, 요철면, 발광 다이오드, 발광 효율-
公开(公告)号：KR1020130005495A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110066925
申请日：2011-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/025 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40
Abstract: PURPOSE: A nitride semiconductor light emitting diode is provided to improve the crystallization of a contact layer by inserting at least one doped p-type nitride film having low concentration on a contact layer. CONSTITUTION: A light emitting structure includes a p-type nitride semiconductor layer(16) and an n-type nitride semiconductor layer(14). The light emitting structure includes an active layer(15) formed between the semiconductor layers. A p-type electrode is electrically connected to the p-type nitride semiconductor layer. An n-type electrode is electrically connected to the n-type nitride semiconductor layer. A contact layer(17) is positioned between the p-type nitride semiconductor layer and the p-type electrode.
Abstract translation: 目的：提供氮化物半导体发光二极管，以通过在接触层上插入至少一种具有低浓度的掺杂p型氮化物膜来改善接触层的结晶。 构成：发光结构包括p型氮化物半导体层（16）和n型氮化物半导体层（14）。 发光结构包括形成在半导体层之间的有源层（15）。 p型电极与p型氮化物半导体层电连接。 n型电极与n型氮化物半导体层电连接。 接触层（17）位于p型氮化物半导体层和p型电极之间。
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公开(公告)号：KR1020120096215A
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：KR1020110015482
申请日：2011-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L21/0237 , H01L33/28
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting device is provided to improve the quality of a semiconductor layer by preventing the damage and deterioration of the semiconductor layer when separating a growth substrate and the semiconductor layer. CONSTITUTION: A sacrificial layer(20) capable of chemically etching is formed on a growth substrate(10). A protective layer(30) is formed on the sacrificial layer and a light emitting structure(40) is formed on the protective layer. The light emitting structure comprises a first conductive nitride-based semiconductor layer(42) and a second conductive nitride-based semiconductor layer(47). A supporting substrate(50) is arranged on the light emitting structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造氮化物基半导体发光器件的方法，用于通过在分离生长衬底和半导体层时防止半导体层的损坏和劣化来提高半导体层的质量。 构成：在生长衬底（10）上形成能够进行化学蚀刻的牺牲层（20）。 在牺牲层上形成保护层（30），在保护层上形成发光结构（40）。 发光结构包括第一导电氮化物基半导体层（42）和第二导电氮化物基半导体层（47）。 支撑衬底（50）布置在发光结构上。
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公开(公告)号：KR1020120044545A
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020100105868
申请日：2010-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/42
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to obtain high light transmittance and electric properties by using a graphene layer with high electric conductivity and a transparent electrode layer. CONSTITUTION: A semiconductor light emitting laminate is formed on a substrate(11) and includes an n type semiconductor layer(12), an active layer(14), and a p type semiconductor layer(15). An n side contact metal(19a) is formed on the upper side of the n type semiconductor layer. A p type contact metal(19b) is formed on the p type semiconductor layer. A high conductive transparent electrode is formed between the p type contact metal and the p type semiconductor layer. The high conductive transparent electrode includes a transparent electrode layer(17) and a graphene layer(18).
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用具有高导电性的石墨烯层和透明电极层来获得高透光率和电特性的半导体发光器件。 构成：半导体发光层叠体形成在基板（11）上并且包括n型半导体层（12），有源层（14）和p型半导体层（15）。 在n型半导体层的上侧形成有n侧接触金属（19a）。 在p型半导体层上形成p型接触金属（19b）。 在p型接触金属和p型半导体层之间形成高导电性透明电极。 高导电性透明电极包括透明电极层（17）和石墨烯层（18）。
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