公开(公告)号：KR100416741B1

公开(公告)日：2004-05-17

申请号：KR1019970011787

申请日：1997-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  아바시프레케우도에봉 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

Abstract: PURPOSE: A rear locally sintered silicon solar cell is provided to omit a conventional oxidation process and eliminate the necessity of expensive equipment like an oxidation furnace by simultaneously forming a titanium oxide layer and a silicon oxide layer on the front and rear surfaces of a silicon substrate. CONSTITUTION: A p-type silicon substrate(21) is prepared. An n¬+ semiconductor layer(24), a SiO2 layer(22') and a TiO2 layer(23') are sequentially formed on the front surface of the substrate having a pyramid structure. A plurality of line-type front surface electrodes(25) are formed of a conductive metal, formed in parallel with the front surface of the substrate and separated from each other by a predetermined interval. An n¬++ semiconductor layer(26) is formed under the front surface electrode. A rear surface electrode(29) is formed on the planarized rear surface of the substrate, composed of a silicon oxide layer, a titanium oxide layer and a conductive metal. A locally diffused p¬+ semiconductor layer(27) is diffused to the inside of the rear surface of the silicon substrate. A conductive metal layer(28) is formed in a predetermined region between the titanium oxide layer and the rear surface electrode on the rear surface of the silicon substrate.

公开(公告)号：KR100403803B1

公开(公告)日：2003-12-18

申请号：KR1019960038745

申请日：1996-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 아바시프레케우도에봉

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A double-faced solar cell and a method for manufacturing the same are provided to improve fill factor and energy conversion efficiency by using an n-p and rear inversion layer. CONSTITUTION: An n+ layer(2), an oxide layer(3) and a front buried electrode(5) are sequentially stacked on a front surface of a p-type silicon substrate(1). A rear oxide layer(3') and a rear electrode(11) are sequentially formed on the rear surface of the silicon substrate. At this time, a rear inversion layer(9) is formed between the rear surface of the silicon substrate and the rear oxide layer.

公开(公告)号：KR1019980075546A

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019970011787

申请日：1997-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  아바시프레케우도에봉 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

Abstract: 본 발명은 p형 실리콘기판; 피라미드 구조가 형성된 기판 전면에 순차적으로 형성되어 있는 n
+ 형 반도체층, 산화규소(SiO
2 )막 및 산화티타늄(TiO
2 )막; 상기 기판 전면상에 소정간격으로 평형하게 이격되도록 형성되어 있고, 전도성 금속으로 된 복수개의 라인형 전면전극; 전면전극 하부에 형성된 n
++ 형 반도체층; 평탄화된 기판 후면에 순차적으로 형성되어 있는 산화규소막, 산화티탄막 및 전도성 금속으로 된 후면전극; 상기 실리콘 기판 후면 내부로 확산되어 형성된 부분확산 p
+ 형
반도체층; 및 실리콘 기판 후면의 산화티탄막과 후면전극사이의 소정영역에 형성된 전도성 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 부분소결형 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명의 실리콘 태양전지는 실리콘 기판 전면 및 후면에 산화티타늄막과, 기판 후면에 부분확산 에미터층을 각각 형성하는 동시에, 통상적인 함몰전극형 실리콘 태양전지와 구별되는 전면전극을 형성함으로써 제조비용이 절감되는 동시에 에너지 변환효율이 매우 우수하다.

公开(公告)号：KR100378347B1

公开(公告)日：2003-05-22

申请号：KR1019960034725

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 아바시프레케우도에봉

IPC: H01M14/00

Abstract: PURPOSE: Provided is a method for producing a solar battery having caved-in electrode having excellent conversion efficiency at small expense, which has lower polluting potential than ever. CONSTITUTION: The method comprises the steps of (i) spin-coating a silicon glass containing n-type contaminants on the front of p-type semiconductor board(11), and then baking the silicon glass, (b) spin-coating a silicon glass containing p-type contaminants on the back of p-type semiconductor board(11), and then baking the silicon glass, (c) forming an n+ semiconductor layer(12) and a p+ semiconductor layer(11) on the front and the back of the semiconductor board respectively, by annealing, (d) forming grooves on the front of the semiconductor board, and diffusing n-type contaminants into the grooves to form an n++ semiconductor layer(15), (e) plating a conducting metal on the top of the grooves to form a front electrode(16), (f) forming a surface coating layer on the front of the semiconductor board, and then selectively removing an oxide film(13) from the back of the semiconductor board, (g) forming a back electrode(17) on the back of the semiconductor board(from which oxide film is removed) by using a screen printing method, (h) removing a surface coating layer from the front of the semiconductor board, (i) forming anti-reflection film(14) on the front of the semiconductor board, and (j) isolating an edge.

公开(公告)号：KR1019980015419A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034722

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  아바시프레케우도에봉

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

Abstract: 본 발명은 p형 반도체 기판, 그 기판 전면에 순차적으로 형성되어 있는 n+ 반도체층, 산화규소막 및 산화티타늄막과 기판 전면내의 하나이상의 홈에 형성되어 있는 전도성 금속으로 된 전면전극, 그 기판 후면에 순차적으로 형성되어 있는 산화규소막, 산화티타늄막 및 전도성 금속으로 된 후면전극과 기판 후면 내부로 확산되어 형성된 부분확산 p+ 반도체층을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 함몰전극형 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따르면, 평탄화된 반도체 기판 후면에 부분확산 p+ 반도체층을 형성함으로써 에너지 변환효율이 향상된 태양전지를 저렴한 제조비용으로 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100374808B1

公开(公告)日：2003-07-18

申请号：KR1019960034722

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  아바시프레케우도에봉

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

Abstract: PURPOSE: A BCSC(Buried Contact Solar Cell) is provided to improve energy conversion efficiency by forming a locally diffused p+ semiconductor layer on the back surface of a substrate. CONSTITUTION: An n+ semiconductor layer(22), a silicon oxide layer(23), a titanium oxide layer(27) and a front electrode(24) are sequentially formed on a p-type semiconductor substrate(21). At this time, the front electrode is formed on a groove. A silicon oxide layer(28), a titanium oxide layer(29) and a back electrode(26) are sequentially formed on the back surface of the substrate. A locally diffused p+ semiconductor layer(30) is formed in the back surface of the substrate.

公开(公告)号：KR1019980015421A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034724

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 아바시프레케우도에봉

IPC: H01M14/00

Abstract: 본 발명은 (a) 세정된 반도체 기판의 전면과 후면에 산화막을 형성하는 단계; (b) 반도체 기판 후면에 표면코팅막을 형성하는 단계; (c) 반도체 기판 전면의 산화막만을 선택적으로 제거하는 단계; (d) 반도체 기판 후면의 표면코팅막을 제거하는 단계; (e) 반도체 기판 전면에 n형 불순물을 확산시켜 n+ 반도체층을 형성하는 단계; (f) 반도체 기판 전면에 산화막을 형성하는 단계; (g) 반도체 기판 전면에 홈을 형성한 다음, 이 홈내로 n형 불순물을 깊게 확산시켜 n++ 반도체층을 형성하는 단계; (h) 상기 홈내에 전도성 금속을 도금하여 전면전극을 형성하는 단계; (i) 반도체 기판 전면에 표면코팅막을 형성하는 단계; (j) 반도체 기판 후면의 산화막을 제거하는 단계; (k) 반도체 기판 후면에 보론을 함유하고 있는 실리콘 글래스를 스핀코팅하고, 베이킹한 다음, 어닐링으로 p+ 반도체층을 형성하고, 이 때 형성된 산화막을 제거하는 단계; (l) 스크린 프린팅 방법을 이용하여 반도체 기판 후면에 전도성 금속으로 후면 전극을 형성하는 단계; (m) 반도체 기판 전면의 표면코팅막을 제거하는 단계; (n) 반도체 기판 전면에 반사방지막을 형성하는 단계; (o) 에지를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 함몰전극형 태양전지의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 저렴한 비용으로 반도체 기판 후면에서의 캐리어들의 재결합을 감소시킴으로써 변환효율이 향상된 태양전지를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR100374810B1

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1019960034724

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 아바시프레케우도에봉

IPC: H01M14/00

Abstract: PURPOSE: A method for preparing a buried contact solar cell is provided, to improve the conversion efficiency of a solar cell by reducing the recombination of carriers at the back face of a semiconductor substrate. CONSTITUTION: The method comprises the steps of forming an oxide layer on the front and back faces of the washed semiconductor substrate; forming a surface coating on the back face of the substrate; removing only the oxide layer on the front face of the substrate selectively; removing the surface coating of the back face; forming an n+ semiconductor layer(22) on the front face of the substrate by diffusing the n-type impurities; forming an oxide layer on the front face of the substrate; forming groove on the front face and diffusing the n-type impurities into the groove deeply to form an n++ semiconductor layer(25); plating a conductive metal inside the groove to form a front electrode(26); forming a surface coating on the front face; removing the oxide layer of the back face; spin coating a silicon glass containing boron on the back face, baking it and annealing it to form a p+ semiconductor layer(27), and removing the oxide layer formed during the process; screen printing a conductive metal on the back face to form a back electrode(28); removing the surface coating of the front face; forming a reflection preventive layer(30) on the front face; and separating an edge.

公开(公告)号：KR1019980020311A

公开(公告)日：1998-06-25

申请号：KR1019960038745

申请日：1996-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 아바시프레케우도에봉

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 np형 후면 반전층 (np and rear inversion layer)을 갖는 양면 태양전지에 관한 것으로서, 전면과 후면에 피라미드 구조가 형성된 p형 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판의 전면에 순차적으로 형성된 n+층 및 산화막, 및 상기 실리콘 기판의 전면 내로 함몰되어 형성된 전면 함몰전극을 포함하는 양면 태양전지에 있어서, 후면 산화막 및 후면 전극이 상기 실리콘 기판의 후면에 순차적으로 형성되어 있고, 후면 반전층이 상기 실리콘 기판의 후면과 상기 후면 산화막 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, np형 후면 반전층을 갖는 양면 태양전지에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양 전지는 후면에 함몰 전극 및 후면 플로팅 접합을 형성하지 않기 때문에 후면 그로브 효과가 나타나지 않는다. 따라서, 전지의 충실도 및 에너지 변환 효율이 우수할 뿐 아니라, 후면에서의 전자와 정공의 재결합도 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980015422A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034725

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 아바시프레케우도에봉

IPC: H01M14/00

Abstract: 본 발명은 (a) p형 반도체 기판 전면에 n형 불순물을 함유하고 있는 실리콘 글래스(silicon glass)를 스핀코팅한 다음, 베이킹하는 단계; (b) 반도체 기판 후면에 p형 불순물을 함유하고 있는 실리콘 글래스를 스핀코팅한 다음, 베이킹하는 단계; (c) 어닐링으로 상기 반도체 기판 전면과 후면에 n+ 반도체층과 p+ 반도체층을 각각 형성하는 단계; (d) 상기 반도체 기판 전면내에 홈을 형성하고, 이 홈내로 n형 불순물을 확산시켜 n++ 반도체층을 형성하는 단계; (e) 상기 홈 상부에 전도성 금속을 도금하여 전면전극을 형성하는 단계; (f) 반도체 기판 전면에 표면 코팅층을 형성하고 나서, 반도체 기판 후면의 산화막만을 선택적으로 제거하는 단계; (g) 스크린 프린팅 방법을 이용하여 산화막이 제거된 반도체 기판 후면에 전도성 금속으로 후면전극을 형성하는 단계; (h) 반도체 기판 전면의 표면 코팅층을 제거하는 단계; (i) 반도체 기판 전면에 반사방지막을 형성하는 단계; (j) 에지(edge)를 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 함몰전극형 태양전지의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 낮은 제조비용으로 변환효율이 우수한 함몰전극형 태양전지를 제조할 수 있다.