公开(公告)号：KR100374808B1

公开(公告)日：2003-07-18

申请号：KR1019960034722

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  아바시프레케우도에봉

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

Abstract: PURPOSE: A BCSC(Buried Contact Solar Cell) is provided to improve energy conversion efficiency by forming a locally diffused p+ semiconductor layer on the back surface of a substrate. CONSTITUTION: An n+ semiconductor layer(22), a silicon oxide layer(23), a titanium oxide layer(27) and a front electrode(24) are sequentially formed on a p-type semiconductor substrate(21). At this time, the front electrode is formed on a groove. A silicon oxide layer(28), a titanium oxide layer(29) and a back electrode(26) are sequentially formed on the back surface of the substrate. A locally diffused p+ semiconductor layer(30) is formed in the back surface of the substrate.

公开(公告)号：KR1019980015420A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960034723

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  김동섭

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 p형 반도체 기판 후면에 티탄과 산소를 함유한 화합물을 분무증착하여 산화규소막과 산화티탄막을 형성하는 단계; 반도체 기판 전면에 피라미드 구조를 형성하는 단계; 반도체 기판 전면에 n형 불순물을 확산시켜 n+ 반도체층을 형성하는 단계; 반도체 기판 전면의 전극 형성 영역을 제외한 나머지 영역에 티탄과 산소를 함유한 화합물을 분무증착하여 산화규소막과 산화티탄막을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 전면의 전극 형성 영역에 홈을 형성한 다음, 이 홈내로 n형 불순물을 확산시켜 n++ 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 후면에 금속 마스크를 이용하여 알루미늄을 증착, 소결하여 부분확산 p+ 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 전면의 홈에 전도성 금속을 도금하여 전면전극을 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 후면에 전도성 금속을 도금하여 후면전극을 형성하는 단계; 어닐링을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 함몰전극형 태양전지의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 평탄화된 반도체 기판 후면에 부분확산 p+ 반도체층을 형성함으로써 후면에서의 캐리어들의 재결합과 전위결함을 감소시킬 뿐만 아니라, 후면 반사효과로 인하여 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970054575A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950048075

申请日：1995-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지일환 ,  조영현 ,  김동섭 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 실리콘 기판과 그 상부에 형성된 전극을 포함하는 실리콘 태양전지에 있어서, 상기 실리콘 기판의 표면이 꼭지 부분과 바닥 부분이 곡선처리된 피라미드 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 피라미드 꼭지 부분과 바닥 부분에서의 응력감소를 반사방지막의 두께가 균일화되고, 피라미드꼭지 부분과 바닥 부분에 형성된 산화막의 안정으로, 그 부분에 전극이 형성되는 것을 방지함으로써 태양전지의 성능을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970018751A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950032207

申请日：1995-09-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  조은철 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 함몰전극 후면 부분확산형 태양전지에 관한 것으로서, 피라미드 구조가 형성된 기판의 한면에는 n
+ 층이 형성되어 있고, 평면화된 기판의 다른 한면에는 알루미늄의 부분확산 p
+ 층이 형성되어 있는 실리콘 기판과, 전면 전극과, 후면 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 함몰전극 후면부분 확산형 태양전지가 개시되어 있다. 본 발명의 전지는 그 제조과정에서 고가의 확산장비를 필요로 하지 않으며 포토리소그래피 공정도 생략될 수 있으므로 전지의 제조공정이 단순화되어 대량생산이 가능할 뿐만 아니라, 우수한 변화효율을 갖는 BCBL형 태양전지이다.

公开(公告)号：KR100446593B1

公开(公告)日：2005-07-04

申请号：KR1019970007253

申请日：1997-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조은철 ,  김동섭 ,  조영현

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 후면반사효과가 우수한 실리콘 태양전지 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 실리콘 태양전지는 p형 실리콘기판; 텍스처링된 기판 전면에 순차적으로 형성되어 있는 n
+ 형 반도체층 및 산화막; 상기 기판 전면상에 소정간격으로 평형하게 이격되도록 형성되어 있고, 전도성 금속으로 된 복수개의 라인형 전면전극; 평탄화된 기판 후면에 형성되어 있는 p
+ 형
반도체층; 상기 p
+ 형
반도체층 상부에 형성된 후면전극; 및 상기 후면전극 상부에 형성된 전도성 금속층을 구비하여 이루어진다. 본 발명에 따르면, 여분의 캐리어 형성으로 전체적인 광전류가 증가함으로써 개방회로전압과 변환효율이 향상된다.

公开(公告)号：KR100397596B1

公开(公告)日：2003-12-06

申请号：KR1019950039452

申请日：1995-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조은철 ,  조영현 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A buried contact solar cell and a method for manufacturing the same are provided to improve conversion efficiency of the cell by forming a back-side electrode using doping of boron and diffusion. CONSTITUTION: A pn junction is formed by forming a semiconductor layer on a substrate(1). An oxide layer(3) is formed on the front-side and back-side of the substrate. The oxide layer of the back-side is removed. Boron is doped and diffused. A groove is formed at the front-side of the substrate. Impurity is doped into the groove. A front-side electrode(2) is then formed by depositing a conductive layer on the groove. Then, a back-side electrode(4) is formed by depositing a conductive layer on the back-side of the substrate.

公开(公告)号：KR100374811B1

公开(公告)日：2003-03-15

申请号：KR1019960037674

申请日：1996-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김동섭 ,  조영현

IPC: H01M10/04

Abstract: PURPOSE: A process for preparing buried contact solar cell(BCSC) having low shading loss and electric power loss, thereby having excellent energy conversion efficiency, is provided. CONSTITUTION: The process for preparing buried contact solar cell comprises the steps of texturing the p-type semiconductor substrate(1) to form a pyramid structure on the front and rear surfaces of the substrate(1); diffusing an emitter to the substrate(1) to form p-n bonding; forming an oxide layer(3) on the front surface of the substrate(1); forming grooves on the substrate(1); doping the grooves with n-type impurities; vapor depositing conductive materials on the rear surface of the substrate(1) and then sintering to form back electrode(4); electroless plating with nickel onto the grooves to form nickel plating layer; electroplating with copper on the nickel plating layer to form copper plating layer; and electroless plating with silver onto the copper plating layer to form silver plating layer, thereby forming front electrode(2).

公开(公告)号：KR100355806B1

公开(公告)日：2002-12-16

申请号：KR1019950009847

申请日：1995-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이수홍 ,  조영현 ,  조은철

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a silicon thin film for a solar cell is provided to utilize an inexpensive substrate like a glass substrate by using cadmium as a solvent in a liquid phase epitaxy(LPE) method so that silicon and process alloy are fabricated at a low process temperature. CONSTITUTION: A silicon thin film is fabricated through an LPE method. Cadmium is used as a metal solvent so that silicon of 2 atm percent capable of being used as an active region of the solar cell becomes a solid solution at a process temperature not higher than 700 deg.C.

公开(公告)号：KR100351065B1

公开(公告)日：2002-12-12

申请号：KR1019950048075

申请日：1995-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 지일환 ,  조영현 ,  김동섭 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell is provided to form an anti-reflecting coating(ARC) of a uniform thickness by reducing stress on a vertex and a bottom of a pyramid structure, and to prevent an electrode from being formed in the vertex and the bottom of the pyramid structure by stabilizing an oxide layer formed in the vertex and the bottom. CONSTITUTION: The silicon solar cell includes a silicon substrate(1) and an electrode formed on the silicon substrate. The surface of the silicon substrate is anisotropically etched by using a sodium hydroxide solution or potassium hydroxide solution of 1.5-3 weight percent to form a pyramid structure. The silicon substrate is isotropically etched by using a sodium hydroxide solution of 10-40 weight percent so that the bottom and the vertex of the silicon substrate is rounded.

公开(公告)号：KR1019980075546A

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019970011787

申请日：1997-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조영현 ,  아바시프레케우도에봉 ,  이수홍

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

Abstract: 본 발명은 p형 실리콘기판; 피라미드 구조가 형성된 기판 전면에 순차적으로 형성되어 있는 n
+ 형 반도체층, 산화규소(SiO
2 )막 및 산화티타늄(TiO
2 )막; 상기 기판 전면상에 소정간격으로 평형하게 이격되도록 형성되어 있고, 전도성 금속으로 된 복수개의 라인형 전면전극; 전면전극 하부에 형성된 n
++ 형 반도체층; 평탄화된 기판 후면에 순차적으로 형성되어 있는 산화규소막, 산화티탄막 및 전도성 금속으로 된 후면전극; 상기 실리콘 기판 후면 내부로 확산되어 형성된 부분확산 p
+ 형
반도체층; 및 실리콘 기판 후면의 산화티탄막과 후면전극사이의 소정영역에 형성된 전도성 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 후면 부분소결형 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명의 실리콘 태양전지는 실리콘 기판 전면 및 후면에 산화티타늄막과, 기판 후면에 부분확산 에미터층을 각각 형성하는 동시에, 통상적인 함몰전극형 실리콘 태양전지와 구별되는 전면전극을 형성함으로써 제조비용이 절감되는 동시에 에너지 변환효율이 매우 우수하다.