Abstract:
A manufacturing process of device is simplified by using the solution process. According to the depth within the organic active layer, the molecular arrangement structure is gradually changed. Therefore, the organic light-emitting device having mobility gradient is formed. Firstly, the bottom electrode(20) is formed on the substrate(10). The organic active material layer is formed by coating the organic active material solution on the bottom electrode. The light is irradiated on the organic active material layer(31). The molecular arrangement structure within the organic active material layer is changed according to the depth. The gradient of the carrier mobility according to depth is formed with the change of the molecular arrangement structure according to depth.
Abstract:
포커싱 제어전극을 구비한 전계방출소자 및 전계방출 표시소자가 개시된다. 개시된 전계방출소자는, 기판 상에 형성된 캐소드전극과, 상기 캐소드전극 위에 형성되며, 상기 캐소드전극의 일부를 노출시키는 제1 캐버티를 가진 포커싱 제어 절연층과, 상기 제1 캐버티의 바닥에 노출된 상기 캐소드전극 위에 마련되는 전자방출원과, 상기 포커싱 제어 절연층 상부에서 상기 제1 캐버티에 대응되는 포커싱 제어 홀이 형성되며, 상기 캐소드전극에 인가되는 전압보다 낮은 전압이 인가되어서 상기 전자방출원으로부터 방출되는 전자빔의 집속을 제어하는 포커싱 제어전극과, 상기 포커싱 제어전극 위에 형성되며, 상기 제1 캐버티에 대응되는 부위에 제2 캐버티가 형성된 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 형성되며, 상기 제2 캐버티에 대응되는 게이트 홀이 형성된 게이트전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자.
Abstract:
용액 공정을 이용한 유기발광소자의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 유기발광소자의 제조 방법은, 기판 위에 하부 전극을 형성하고, 적어도 하나의 광 반응성 물질이 포함된 유기 활성물질 용액을 상기 하부 전극 위에 도포하여 유기 활성물질 층을 형성하고, 상기 유기 활성물질 층에 그 깊이에 따라 점진적으로 다른 특성의 광이 도달하도록 광을 조사함으로써 상기 유기 활성물질 층 내의 분자 배열 구조를 그 깊이에 따라 점진적으로 달라지도록 조정하여, 깊이에 따른 캐리어 이동도(carrier mobility)의 구배(gradient)를 형성하는 것을 특징으로 한다. 유기발광소자, 용액 공정, 광 반응성 물질, 이동도 구배(mobility gradient)
Abstract:
A method of manufacturing a silicon optoelectronic device, a silicon optoelectronic device manufactured by the method, and an image input and/or output apparatus including the silicon optoelectronic device are provided. The method includes preparing an n- or p-type silicon-based substrate, forming a microdefect pattern along a surface of the substrate by etching, forming a control film with an opening on the microdefect pattern, and forming a doping region on the surface of the substrate having the microdefect pattern in such a way that a predetermined dopant of the opposite type to the substrate is injected onto the substrate through the opening of the control film to be doped to a depth so that a photoelectric conversion effect leading to light emission and/or reception by quantum confinement effect in the p-n junction occurs. The silicon optoelectronic device has superior light-emitting efficiency, can be used as at least one of a light-emitting device and a light-receiving device, and has high wavelength selectivity. In addition, the silicon optoelectronic device panel having the two-dimensional array of the silicon optoelectronic devices can be applied in the image input and/or output apparatus capable of directly displaying an image and/or inputting optical information in a screen.
Abstract:
본 발명에 따른 회절 격자는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 홀수 위상 구조를 갖도록 3이상의 홀수 단들을 갖는 계단 형태의 격자부를 포함하며, 상기 격자부의 단들 사이의 위상차는 기준 파장의 광에 대해서 실질적으로 π가 된다. 회절 격자, 간섭성, 위상차
Abstract:
이중 캐소드전극을 구비한 전계방출소자 및 전계방출 표시소자가 개시된다. 개시된 전계방출소자는, 기판 상에 형성된 제1 캐소드전극과, 상기 제1 캐소드전극 위에 형성되며, 상기 제1 캐소드전극의 일부를 노출시키는 제1 캐버티를 가진 캐소드 절연층과, 상기 제1 캐버티의 바닥에 노출된 상기 제1 캐소드전극 위에 마련되는 전자방출원과, 상기 캐소드 절연층 상부에 형성되며, 상기 제1 캐버티에 대응되는 캐소드 홀이 형성된 제2 캐소드전극과, 상기 제2 캐소드전극 위에 형성되며, 상기 제1 캐버티에 대응되는 부위에 제2 캐버티가 형성된 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 상에 형성되며, 상기 제2 캐버티에 대응되는 게이트 홀이 형성된 게이트전극을 구비한다.
Abstract:
입사광을 주사시키는 복수의 스캐너와, 스캐너들 사이에 위치하여 복수의 스캐너 중 하나의 스캐너에서 주사된 광을 인접 스캐너쪽으로 반사시키는 적어도 하나의 미러;를 포함하고, 미러가 스캐너수에 대응되게 주사각도를 증가시키도록 된 것을 특징으로 하는 주사각 확장 광학 시스템 및 이를 적어도 하나의 스캐너 유니트로 적용한 스캐닝 장치가 개시되어 있다. 이러한 스캐닝 장치로 프로젝션 장치를 구성하면, 스캐너의 미러를 적정 크기로 형성함에 의해서도 충분한 주사 속도를 가지는 고해상 디스플레이를 실현할 수 있다.
Abstract:
본 발명의 목적은 조리 용기에 전달되는 열효율을 증대하기 위하여 워킹 코일을 복층 구조로 감기 위한 코일 권선 장치와 이 장치에 의해 권선된 워킹 코일을 이용하여 유도 가열할 수 있는 복합 조리 장치를 제공함에 있다. 본 발명은 권선 장치를 이용하여 복층 구조의 워킹 코일을 손쉽고 간편하게 만들고, 코일 권선 장치에 의하여 권선된 복층 구조의 워킹 코일을 복합 조리 장치의 열원으로 사용하며, 조리 용기에 전달되는 열효율을 증대하면서도 워킹 코일의 과다한 턴수 증가를 억제하여 경제적 부담을 줄일 수 있는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A bubble-jet type inkjet print head and method for manufacturing the same is provided to allow ink to be easily discharged and achieve improved response speed, while permitting heater to generate heat in a uniform manner. CONSTITUTION: A bubble-jet type inkjet print head comprises a substrate having a substantially hemispherical ink chamber, a manifold arranged at the rear surface of the substrate, and an ink channel arranged at the bottom of the ink chamber, which interconnects the ink chamber and the manifold; a nozzle plate deposited onto the substrate, which has a nozzle(160) formed at the position corresponding to the center of the ink chamber; a heater(120) disposed onto the nozzle plate, in such a manner that the heater surrounds the nozzle; and an electrode(144) electrically connected to the heater, which applies current to the heater.
Abstract:
PURPOSE: A bubble-jet type inkjet print head and method for manufacturing the same is provided to allow ink to be easily discharged and achieve improved response speed, while permitting heater to generate heat in a uniform manner. CONSTITUTION: A bubble-jet type inkjet print head comprises a substrate having a substantially hemispherical ink chamber, a manifold arranged at the rear surface of the substrate, and an ink channel arranged at the bottom of the ink chamber, which interconnects the ink chamber and the manifold; a nozzle plate deposited onto the substrate, which has a nozzle(160) formed at the position corresponding to the center of the ink chamber; a heater(120) disposed onto the nozzle plate, in such a manner that the heater surrounds the nozzle; and an electrode(144) electrically connected to the heater, which applies current to the heater.