파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터
    1.
    发明公开
    파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터 失效
    具有开口结构的碳纳米管晶体管

    公开(公告)号:KR1020100091932A

    公开(公告)日:2010-08-19

    申请号:KR1020100066998

    申请日:2010-07-12

    Abstract: PURPOSE: The carbon nanotube transistor having the gate structure of getting buried comprises the gate which is formed in the around the carbon nanotube into the longitudinal direction getting buried of structure. CONSTITUTION: The insulating layer comprises the gate hole(101) and CNT hole(102) of nano-size. In the CNT(carbon nanotube transistor) hole, the carbon nanotube(110) locates. In both ends of the carbon nanotube, the drain electrode(120) and source electrode(130) are electrically connected. In the around the gate hole, the gate electrode(142) locates. The gate electrode comprises the extension part(143) expnded as the longitudinal direction of the carbon nanotube.

    Abstract translation: 目的:具有掩埋栅极结构的碳纳米管晶体管包括形成在碳纳米管周围的栅极,被埋设在纵向方向。 构成:绝缘层包括纳米尺寸的门孔(101)和CNT孔(102)。 在CNT(碳纳米管晶体管)孔中,碳纳米管(110)位于。 在碳纳米管的两端,漏电极(120)和源电极(130)电连接。 在栅极孔周围,栅电极(142)位于。 栅极电极包括作为碳纳米管的长度方向分布的延伸部(143)。

    나노 입자 레이어, 나노 입자의 플라즈몬 공명을 이용한디스플레이 패널 및 이를 채용한 디스플레이 장치
    2.
    发明公开
    나노 입자 레이어, 나노 입자의 플라즈몬 공명을 이용한디스플레이 패널 및 이를 채용한 디스플레이 장치 无效
    纳米颗粒层,纳米颗粒显示面板和使用纳米颗粒显示面板的显示设备

    公开(公告)号:KR1020090022187A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:KR1020070087308

    申请日:2007-08-29

    Abstract: A nano particle layer, a display panel using plasmon resonance of a nano particle, and a display device using the same are provided to perform an image of high quality by controlling a wavelength of a radiated light according to a size or a shape of a metal nano particle. A nano particle layer(230) includes a first surface(30a) and a metal nano particle(20). An evanescent wave is radiated on the first surface of the nano particle layer. The metal nano particle is adjacent to the first surface, and generates a plasmon resonance by scattering the evanescent wave. The first surface is included in a transparent film(30). The metal nano particle is embedded inside the transparent film, and has a spherical shape.

    Abstract translation: 提供纳米颗粒层,使用纳米颗粒的等离子体共振的显示面板和使用其的显示装置,以通过根据金属的尺寸或形状控制辐射光的波长来执行高质量的图像 纳米颗粒。 纳米颗粒层(230)包括第一表面(30a)和金属纳米颗粒(20)。 湮灭波辐射在纳米颗粒层的第一表面上。 金属纳米颗粒与第一表面相邻,并通过散射ev逝波产生等离子体共振。 第一表面包括在透明膜(30)中。 金属纳米粒子嵌入透明膜内,呈球状。

    레이저 반점을 제거한 조명계 및 이를 채용한 프로젝션 TV
    3.
    发明授权
    레이저 반점을 제거한 조명계 및 이를 채용한 프로젝션 TV 失效
    照明器与激光点去除和投影电视

    公开(公告)号:KR100682902B1

    公开(公告)日:2007-02-15

    申请号:KR1020040095048

    申请日:2004-11-19

    CPC classification number: H04N5/74 G02B27/46 G02B27/48 H04N5/7416

    Abstract: 레이저 광원의 반점을 제거한 조명계 및 이를 채용한 프로젝션 TV가 개시되어 있다.
    이 개시된 조명계는, 복수의 레이저를 가지는 레이저 광원 유닛; 상기 레이저 광원 유닛에서 출사된 레이저 빔을 파장에 따라 서로 다른 세그먼트에 분리하여 집속시키는 제1 회절광학소자; 상기 집속된 레이저 빔은 복수의 빔렛으로 구성되고, 상기 각각의 빔렛이 중첩적으로 집속되도록 하여 레이저 빔을 공간적으로 평균화시킴으로써 반점을 제거시키는 제2 회절광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
    상기 구성에 의해 레이저 빔으로 인한 반점을 크게 감소시키거나 또는 제거하여 화질을 크게 개선할 수 있다.

    Abstract translation: 公开了一种照明系统和采用该照明系统的投影电视,在该照明系统中激光源的光斑被去除。

    단방향 투명 광학계의 제조 방법
    4.
    发明授权
    단방향 투명 광학계의 제조 방법 有权
    制造单向透明光学系统的方法

    公开(公告)号:KR100634529B1

    公开(公告)日:2006-10-16

    申请号:KR1020040102211

    申请日:2004-12-07

    CPC classification number: G02B5/003 G02B1/11 G02B3/0006 G02B3/0018 G03C1/00

    Abstract: 본 발명은 외부광을 효율적으로 차단하면서 내부광을 거의 그대로 통과시킬 수 있는 단방향 투명 광학계의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단방향 투명 광학계의 제조 방법은, 투명 기판 위에 할로겐화은을 형성하는 단계; 소정의 패턴이 형성된 마스크를 상기 투명 기판의 위에 정렬시킨 후, 상기 마스크를 통해 상기 할로겐화은을 노광하는 단계; 상기 노광된 할로겐화은을 현상 및 정착하여 상기 투명 기판 위에 다수의 광흡수재료를 형성하는 단계; 및 상기 광흡수재료들이 형성된 투명 기판 상에, 상기 광흡수재료들 중 대응하는 하나를 향하여 입사광을 굴절시키는 볼록 렌즈 형태의 돌출구조들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造单向透明光学系统的方法,该单向透明光学系统能够有效地通过内部光线,同时有效地屏蔽外部光线。 根据本发明的制造单向透明光学系统的方法包括:在透明基板上形成卤化银; 在透明基板上对准具有预定图案的掩模,并通过掩模曝光卤化银; 显影并固定暴露的卤化银以在透明基底上形成多种光吸收材料; 并且在其上形成有光吸收材料的透明基板上形成用于使入射光朝向相应的一个光吸收材料折射的凸透镜形凸起结构。

    레이저 텔레비전
    5.
    发明授权
    레이저 텔레비전 失效
    激光电视

    公开(公告)号:KR100605971B1

    公开(公告)日:2006-07-31

    申请号:KR1020040035035

    申请日:2004-05-18

    CPC classification number: H04N9/3129

    Abstract: 본 발명에 따른 레이저 텔레비전은 상호 다른 파장의 간섭성 광들을 생성하기 위한 복수의 레이저들과, 상기 광들로부터 천연색의 영상을 화면상에 재연하기 위한 스캐너와, 상기 레이저들과 상기 스캐너의 사이에 위치되며 상기 광들의 파장에 따라서 확산시키기 위해서 기울기가 연속적으로 변하는 위상 확산기를 포함하며, 상기 위상 확산기는 상기 광들이 상기 스캐너로 출력되는 경계면을 기설정된 각도로 기울어지게 형성함으로써 상기 광들의 파장에 따른 확산되는 범위를 조절한다.
    위상 확산기(Phase diffuser), 레이저 텔레비전, 색수차

    단방향 투명 광학계의 제조 방법
    6.
    发明公开
    단방향 투명 광학계의 제조 방법 有权
    制造单路透明光学系统的方法

    公开(公告)号:KR1020060063127A

    公开(公告)日:2006-06-12

    申请号:KR1020040102211

    申请日:2004-12-07

    CPC classification number: G02B5/003 G02B1/11 G02B3/0006 G02B3/0018 G03C1/00

    Abstract: 본 발명은 외부광을 효율적으로 차단하면서 내부광을 거의 그대로 통과시킬 수 있는 단방향 투명 광학계의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단방향 투명 광학계의 제조 방법은, 투명 기판 위에 할로겐화은을 형성하는 단계; 소정의 패턴이 형성된 마스크를 상기 투명 기판의 위에 정렬시킨 후, 상기 마스크를 통해 상기 할로겐화은을 노광하는 단계; 상기 노광된 할로겐화은을 현상 및 정착하여 상기 투명 기판 위에 다수의 광흡수재료를 형성하는 단계; 및 상기 광흡수재료들이 형성된 투명 기판 상에, 상기 광흡수재료들 중 대응하는 하나를 향하여 입사광을 굴절시키는 볼록 렌즈 형태의 돌출구조들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    단방향 투명 광학계의 제조 방법
    7.
    发明授权
    단방향 투명 광학계의 제조 방법 有权
    单向透明光学系统的制造方法

    公开(公告)号:KR100580655B1

    公开(公告)日:2006-05-16

    申请号:KR1020040090125

    申请日:2004-11-06

    CPC classification number: G02B5/00

    Abstract: 본 발명은 외부광을 효율적으로 차단하면서 내부광을 거의 그대로 통과시킬 수 있는 단방향 투명 광학계의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 한 유형에 따르면, 단방향 투명 광학계의 제조 방법은, 비드(bead) 형태의 광흡수 소자들을 형성하는 단계; 투명 필름 위에 상기 광흡수 소자들을 분산시키는 단계; 및 상기 광흡수 소자들이 분산된 투명 필름을 경화시켜, 상기 투명 필름 위에 분산된 광흡수 소자들을 고착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    반도체 웨이퍼의 이송을 위한 진공척
    9.
    发明授权
    반도체 웨이퍼의 이송을 위한 진공척 失效
    用于转移半导体的真空泵

    公开(公告)号:KR100187439B1

    公开(公告)日:1999-04-15

    申请号:KR1019960005406

    申请日:1996-02-29

    Abstract: 작업자가 웨이퍼를 카세트에 담거나 카세트에서 웨이퍼를 꺼내어 공정을 수행하기 용이한 위치로 옮기는데 사용하는 반도체 웨이퍼의 이송을 위한 진공척에 관한 것이다.
    본 발명은 웨이퍼의 가장자리부를 지지하는 테두리와, 웨이퍼의 중앙부를 지지하는 지지대와, 상기 테두리와 상기 지지대 사이에 형성된 내측홈부와, 몸체부의 내부에 형성되어 상기 내측홈부와 연통하는 진공통로로 구성된 반도체 웨이퍼의 이송을 위한 진공척에 있어서, 상기 내측홈부와 상기 진공통로 사이를 집기관으로 차단하고, 상기 테두리의 내주연을 따라 내부에 진공홀이 형성되어 상기 집기관과 연통되며, 상기 진공홀상에 다수개의 흡입구가 테두리의 표면으로 관통되어 이루어진다.
    따라서, 웨이퍼와 접촉하는 접촉면을 줄임으로써 이물질의 전달에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하고, 흡입구를 효과적으로 배치하여 흡착력을 증대시킴으로써 안정적으로 웨이퍼를 이송시킬 수 있는 효과가 있다.

    파묻힌 게이트 구조를 갖는 탄소나노튜브 트랜지스터

    公开(公告)号:KR101008026B1

    公开(公告)日:2011-01-14

    申请号:KR1020100066998

    申请日:2010-07-12

    Abstract: 개시된 탄소나노튜브 트랜지스터는, 탄소나노튜브와, 이 탄소나노튜브의 길이방향의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극과, 탄소나노튜브로부터 상기 길이방향과 교차되는 옆쪽으로 이격되게 위치되어 탄소나노튜브의 길이방향으로 연장된 연장부를 갖는 게이트 전극을 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 게이트 전극에 인가되는 전압이 소스와 드레인 사이의 채널에 효율적으로 전달되므로 균일한 트랜지스터 특성을 갖는 수직 탄소나노튜브 트랜지스터의 구현이 가능하다.

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