이미지 센서
    1.
    发明公开
    이미지 센서 审中-实审
    图像传感器

    公开(公告)号:KR1020170043140A

    公开(公告)日:2017-04-21

    申请号:KR1020150142310

    申请日:2015-10-12

    Abstract: 자동초점동작이가능한이미지센서가제공된다. 이미지센서는제 1 도전형의반도체기판; 상기반도체기판내에배치되며, 제 1 픽셀영역들및 제 2 픽셀영역들을정의하는소자분리막; 상기제 1 및제 2 픽셀영역들각각의상기반도체기판내에배치되는제 2 도전형의제 1 및제 2 광전변환소자들; 상기제 1 픽셀영역들각각에서, 상기제 1 및제 2 광전변환소자들사이의상기반도체기판내에배치된제 1 격리구조체; 및상기제 2 픽셀영역들각각에서상기제 1 및제 2 광전변환소자들사이의상기반도체기판내에배치되며, 상기제 1 격리구조체와다른굴절률을갖는물질또는다른형태(shape)를갖는제 2 격리구조체를포함하되, 상기제 1 및제 2 픽셀영역들은서로교차하는제 1 방향및 제 2 방향을따라배열되되, 상기제 2 픽셀영역들각각은상기제 1 방향에서인접하는상기제 1 픽셀영역들사이와, 상기제 2 방향에서인접하는상기제 1 픽셀영역들사이에배치될수 있다.

    Abstract translation: 提供了一种能够进行自动对焦操作的图像传感器。 图像传感器包括第一导电类型的半导体衬底; 元件隔离层,设置在所述半导体衬底中,所述元件隔离层限定第一像素区域和第二像素区域; 布置在每个所述半导体基板的所述第一mitje第二像素区域中的第二导电类型的第一mitje第二光电转换元件; 第一隔离结构,设置在所述第一像素区域中的每个第一像素区域中的所述第一和第二光电转换元件之间的所述半导体基板中; 和具有第二隔离结构具有不同的折射率的材料或其它形式(形状),并且,与设置在所述半导体基板从每个所述第二像素区域的第一mitje第二光电转换元件之间的第一隔离结构 包括,但第一mitje第二像素区域doedoe沿着所述第一方向和所述第二方向相互交叉,每个第二像素区域的与第一像素区域相邻的之间在第一方向上布置 可以在第二方向上设置在相邻的第一像素区域之间。

    이미지 센서
    2.
    发明公开
    이미지 센서 审中-实审
    图像传感器

    公开(公告)号:KR1020170019012A

    公开(公告)日:2017-02-21

    申请号:KR1020150112536

    申请日:2015-08-10

    Abstract: 본발명의실시예에따른이미지센서는반도체층, 상기반도체층 내에배치되며, 상기반도체층의단위화소영역을정의하는제 1 분리막, 상기단위화소영역의상기반도체내에배치되는제 1 광전변환소자및 제 2 광전변환소자, 및상기단위화소영역의상기반도체층 내에배치되며, 상기제 1 광전변환소자과상기제 2 광전변환소자사이에배치된제 2 분리막을포함하되, 상기제 1 분리막은상기제 1 광전변환소자및 상기제 2 광전변환소자를둘러싸고, 상기제 1 분리막은수직반사막을포함할수 있다.

    Abstract translation: 图像传感器包括形成在半导体层中的图像传感器像素的二维阵列。 每个图像传感器像素形成在其中具有对应的半导体区域的衬底中。 每个半导体区域至少包含第一和第二光电转换元件,其设置在其中并排位置处。 还提供电绝缘隔离区域,其至少部分延伸穿过半导体区域并且至少部分地延伸在第一和第二光电转换元件之间,第一和第二光电转换元件可以分别配置为第一和第二半导体类型的第一和第二半导体区域(例如,N -类型)。 还提供至少一个光学反射区域,其至少部分地延伸穿过半导体区域并且包围第一和第二光电转换元件中的至少一个的至少一部分。 在半导体区域内提供半导体浮动扩散(FD)区域(例如,N型区域)。

    광전 변환 소자 내에 위치하는 변환 소자 분리막을 포함하는 이미지 센서
    3.
    发明公开
    광전 변환 소자 내에 위치하는 변환 소자 분리막을 포함하는 이미지 센서 审中-实审
    图像传感器具有设置在光电转换装置中的转换装置隔离层

    公开(公告)号:KR1020170006520A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:KR1020150097238

    申请日:2015-07-08

    Abstract: 이미지센서가제공된다. 상기이미지센서는화소분리막에의해둘러싸이는제 1 도전형의제 1 불순물영역; 제 1 방향으로상기제 1 불순물영역을가로지르고, 제 1 측면및 상기제 1 측면과대향하는제 2 측면을포함하는제 1 변환소자분리막; 상기제 1 불순물영역내에위치하고, 상기제 1 변환소자분리막의상기제 1 측면상에위치하는제 2 도전형의제 2 불순물영역; 상기제 1 불순물영역내에위치하고, 상기제 1 변환소자분리막의상기제 2 측면상에위치하는제 2 도전형의제 3 불순물영역; 및상기제 1 방향과수직한제 2 방향으로상기제 1 불순물영역을가로지르는제 2 변환소자분리막을포함한다.

    Abstract translation: 图像传感器包括由像素隔离层包围的第一导电类型的第一杂质区域; 在第一方向上与第一杂质区相交的第一转换器件隔离层; 第二导电类型的第二杂质区域,设置在第一转换器件隔离层的第一侧表面上; 第二导电类型的第三杂质区域,设置在与第一侧表面相对的第一转换器件隔离层的第二侧表面上; 以及在与第一方向垂直的第二方向上与第一杂质区交叉的第二转换器件隔离层。 第二杂质区域和第三杂质区域设置在第一杂质区域内。

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