公开(公告)号：KR1020060023363A

公开(公告)日：2006-03-14

申请号：KR1020040072183

申请日：2004-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍상균 ,  이종수 ,  연경진 ,  윤대화

IPC: H01L21/203

CPC classification number: H01L21/687 ,  C23C14/34 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 제조 설비가 제공된다. 상기 반도체 제조 설비는 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 설치되고 웨이퍼가 위치하는 웨이퍼 척, 웨이퍼 척을 소정의 온도 이하로 냉각시키는 냉각 장치, 웨이퍼 척 내부에 가스를 분사하여 웨이퍼 척 내부의 공기를 퍼지하는 수분 발생 억제 장치를 포함한다.
PVD, 스퍼터링(sputtering), 척(chuck), 수분, 불활성 가스

公开(公告)号：KR1020060104514A

公开(公告)日：2006-10-09

申请号：KR1020050026741

申请日：2005-03-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 연경진

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4401 ,  H01L21/67017

Abstract: 반도체 소자 제조용 진공장비를 제공한다. 상기 진공장비는 크라이오 펌프를 구비한다. 상기 크라이오 펌프에 퍼지가스 공급부가 연결된다. 배기라인의 일 단부가 상기 크라이오 펌프의 측벽을 통해 상기 크라이오 펌프의 내부에 연결된다. 상기 배기라인의 타 단부는 재생펌프에 연결된다. 상기 배기라인으로부터 분기된 또 다른 배기라인의 일 단부가 크라이오 펌프의 하부를 통해 상기 크라이오 펌프 내부의 하부 영역에 연결된다.
증착챔버, 크라이오 펌프, 배기라인, 퍼지가스 공급부, 콘트롤러