-
公开(公告)号：KR1019990034762A
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019970056458
申请日：1997-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 두께가 100Å보다 얇은 물질층을 다층 장벽층의 하나로 포함하는 반도체 장치의 제조공정에서 장벽층 형성방법을 개시한다. 상기 얇은 물질층은 상기 다층 장벽층이 전면에 형성되어 있는 콘택홀에 도전성 플러그 예컨데, 텅스텐 플러그를 채우는 과정에서 텅스텐 플러그의 소오스 가스에서 발생되는 불소와 상기 장벽층내의 반도체 기판과 반응하고 남은 티타늄과 반응하는 것을 억제한다. 이 결과, 상기 콘택홀에 도전성 플러그를 채우는 과정에서 장벽층의 저항이 증가되는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 상기 다층 장벽층을 형성한 이후, 그 결과물을 RTN처리함으로써 상기 도전성 플러그의 콘택저항은 더욱 안정된다.
Search Results
1
records
(took 0.017 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
