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公开(公告)号：KR100278646B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019940000875
申请日：1994-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 연속된 산화막질의 선택적 식각공정을 갖는 반도체 장치의 두께 모니터용 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 기판상에 요부형태로 제1 모니터 패턴, 제2 모니터 패턴 및 제3 모니터 패턴과 그 사이에 철부를 형성하고, 상기 제1, 제2, 제3 모니터 패턴을 양분하여 부분적으로 필드 산화막을 형성한다. 이어서 상기 기판 전면에 제1 산화막을 형성한 후 상기 제1 모니터 패턴상의 상기 제1 산화막 및 필드 산화막과 상기 철부상의 상기 제1 산화막을 선택적으로 식각한다. 그 다음에 상기 결과물 전면에 제2 산화막을 형성하고 상기 제2 모니터 패턴상의 상기 제2 산화막, 제1 산화막 및 필드 산화막과 상기 철부상의 제2 산화막을 선택적으로 식각한다. 그 다음에 상기 결과물 전면에 제3 산화막을 형성하고 상기 제3 두께 모니터 패턴상의 상기 제3산화막, 제2 산화막, 제1 산화막 및 필드 산화막과 상기 철부상의 제3 산화막을 선택적으로 식각한다. 본 발명에 의하면, 선택 식각 공정의 공정 안정성을 유지할 수 있고, 개개의 공정문제점을 공정 진행중에 각 스텝에서 바로 알수 있어서, 개개의 문제점을 이전 공정으로 바로 피드백하여 반도체 장치의 신뢰성 향상과 경제적 손실을 최소화 할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070022978A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：KR1020050077059
申请日：2005-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0276 , B05C11/10 , G03F7/091 , H01L21/6715
Abstract: 포토리소그래피 장치는 웨이퍼 카세트를 로딩하기 위한 제1 로딩부 및 상기 웨이퍼 카세트에서 이송된 각각의 웨이퍼에 반사 방지 물질을 도포하기 위한 제1 도포부를 포함하는 도포 유닛을 구비한다. 도포/현상 유닛은 웨이퍼 카세트를 로딩하기 위한 제2 로딩부, 상기 웨이퍼 카세트에서 이송되며 상기 반사 방지 물질이 도포된 각각의 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하기 위한 제2 도포부 및 노광된 포토레지스트를 현상하기 위한 현상부를 포함한다. 노광 유닛은 상기 포토레지스트를 노광한다. 도포 유닛과 도포/현상 유닛을 분리하여 반사 방지 물질 도포와 포토레지스트 도포시 웨이퍼가 정체되는 현상을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100663343B1
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020040016600
申请日：2004-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/0012 , H01L21/67225 , H01L21/67745
Abstract: 독립형(stand-alone) 시스템을 채택하는 포토리쏘그라피 장비를 사용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 사진공정을 제공한다. 상기 사진 공정은 반도체기판 상에 코팅 시스템을 사용하여 포토레지스트막을 형성하는 것과, 상기 포토레지스트막을 하이브리드 노광 시스템의 노광 시스템을 사용하여 상기 포토레지스트막을 노광시키는 것을 구비한다. 상기 노광된 포토레지스트막을 상기 하이브리드 노광 시스템의 노광후 베이크 시스템을 사용하여 경화시키는 노광후 베이크 공정(PEB process)을 실시한다. 상기 노광후 베이크 시스템은 상기 노광 시스템과 인라인 연결을 통하여 링크된다. 상기 노광후 베이크 공정을 통하여 경화된 상기 포토레지스트막을 상기 코팅 시스템과 독립형 방식으로 동작하는 현상 시스템을 사용하여 패터닝한다. 상기 하이브리드 노광 시스템은 상기 코팅 시스템 및 상기 현상 시스템중 적어도 어느 하나와 독립형 방식으로 동작한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100558187B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020000012254
申请日：2000-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유성재
IPC: H01L21/027
Abstract: 포토 마스크에 패턴을 형성시키는 방법이 개시되어 있다. 소정 패턴을 설계한 후, 상기 패턴을 전자 빔 데이터로 변환시킨다. 웨이퍼 상에 형성된 패턴 사이즈를 검출하고, 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴 사이즈에 근거하여 포토 마스크 원판을 스캐닝하므로써 포토 마스크 원판 상에 소정 패턴을 형성시킨다. 웨이퍼 상의 패턴들의 사이즈 차이가 발생하는 구역에 대응하는 포토 마스크 상의 소정 구역에서는 빔의 도스량 또는 스캐닝 속도를 조절하므로써, 포토 마스크 상의 상기 소정 구역의 패턴 사이즈를 줄이거나 늘일 수 있다. 웨이퍼 상의 패턴의 사이즈가 동일하게 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020010088174A
公开(公告)日：2001-09-26
申请号：KR1020000012254
申请日：2000-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유성재
IPC: H01L21/027
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a pattern on a photomask is provided to prevent various kinds of defects and to improve the quality of products, by forming patterns of the same size on a wafer. CONSTITUTION: A predetermined pattern is designed. The pattern is transformed into electron beam data. A mask pattern is formed on a mask manufactured by the electron beam data to make a photomask. A pattern is formed on the wafer by using the photomask. The size of the patterns formed on the wafer is detected. The electron beam data is corrected by the pattern size formed on the wafer to scan the original photomask so that a predetermined pattern is formed on the original photomask.
Abstract translation: 目的：通过在晶片上形成相同尺寸的图案，提供了在光掩模上制造图案的方法，以防止各种缺陷并提高产品的质量。 构成：设计了预定的图案。 该图案被转换成电子束数据。 在由电子束数据制造的掩模上形成掩模图案以制造光掩模。 通过使用光掩模在晶片上形成图案。 检测在晶片上形成的图案的尺寸。 通过形成在晶片上的图案尺寸校正电子束数据，以扫描原始光掩模，使得在原始光掩模上形成预定图案。
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公开(公告)号：KR1019950024277A
公开(公告)日：1995-08-21
申请号：KR1019940000875
申请日：1994-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30
Abstract: 연속된 산화막질의 선택적 식각공정을 갖는 반도체 장치의 두께 모니터용 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. 기판상에 요부형태로 제1모니터 패턴, 제2모니터 패턴 및 제3모니터 패턴과 그 사이에 철부를 형성하고 상기 제1, 제2, 제3모니터 패턴을 양분하여 부분적으로 필드 산화막을 형성한다. 이어서 상기 기판 전면에 제1산화막을 형성한후 상기 제1모니터 패턴상의 상기 제1산화막 및 필드 산화막과 상기 철부상의 상기 제1산화막을 선택적으로 식각한다. 그 다음에 상기 결과물 전면에 제2산화막을 형성하고 상기 제2모니터 패턴상의 상기 제2산화막, 제1산화막 및 필드 산화막과 상기 철부상의 제2산화막을 선택적으로 식각한다. 그 다음에 상기 결과물 전면에 제3산화막을 형성하고 상기 제3두께 모니터 패턴상의 상기 제3산화막, 제2산화막, 제1산화막 및 필드 산화막과 상기 철부상의 제3산화막을 선택적으로 식각한다. 본 발명에 의하면, 선택 식각 공정의 공정 안정성을 유지할 수있고, 개개의 공정문제점을 공정 진행중에 각 스텝에서 바로 알수 있어서 개개의 문제점을 이전 공정으로 바로 피드 백하여 반도체 장치의 신뢰성 향상과 경제적 손실을 최소화 할 수 있다
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公开(公告)号：KR1020050091255A
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：KR1020040016600
申请日：2004-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/0012 , H01L21/67225 , H01L21/67745
Abstract: 독립형(stand-alone) 시스템을 채택하는 포토리쏘그라피 장비 및 이를 사용하는 사진공정을 제공한다. 상기 장비는 하이브리드 노광 시스템, 코팅 시스템 및 현상 시스템을 갖는다. 상기 하이브리드 노광 시스템은 반도체기판 상의 포토레지스트막 상에(onto) 빛을 조사하는 노광 시스템 및 상기 노광 시스템과 인라인 연결(in-line connection)을 통하여 링크된 노광후 베이크(PEB) 시스템을 구비한다. 상기 하이브리드 노광 시스템은 상기 코팅 시스템 및 상기 현상 시스템중 적어도 어느 하나와 독립형 방식(stand-alone manner)으로 동작한다.
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公开(公告)号：KR1019930008130B1
公开(公告)日：1993-08-26
申请号：KR1019900012426
申请日：1990-08-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F7/22
Abstract: This new photosensitive composition is used for transfering the pattern on the surface of semiconductor wafer. The photosensitive composition comprises 15-20 wt.% binder resin, 5-10 wt.% photosensitizer, 0.5-1.0 wt.% additive and 65-70 wt.% solvent. The used binder resin is novolac resin of formula (I) which is soluble in alkali solution. The sensitizer is naphtoquinone diazide deriv. of (II). And the additive is composed of surfactants, plasticizer and pigments. This additive enhances visibility of pattern after developing. Pref. pigments are yellow and blue pigments. The yellow pigment is azobenzene of (III), and the blue is indigo of (IV). The above solvent is selected from acetone, methylethyl ketone, cyclohexanone, isoamylketone, xylene, n- butyl acetate, ethylcelosolv acetate, etc.
Abstract translation: 这种新的感光组合物用于在半导体晶片的表面上转印图案。 感光组合物包含15-20重量％的粘合剂树脂，5-10重量％的光敏剂，0.5-1.0重量％的添加剂和65-70重量％的溶剂。 使用的粘合剂树脂是可溶于碱溶液的式（I）的酚醛清漆树脂。 敏化剂是萘醌二氮嗪衍生物。 的（II）。 并且添加剂由表面活性剂，增塑剂和颜料组成。 这种添加剂在显影后增强图案的可见性。 县。 颜料是黄色和蓝色的颜料。 黄色颜料是（III）的偶氮苯，蓝色是（Ⅳ）的靛蓝。 上述溶剂选自丙酮，甲基乙基酮，环己酮，异戊基酮，二甲苯，乙酸正丁酯，乙基醋酸乙酯等。
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