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公开(公告)号：KR100725360B1
公开(公告)日：2007-06-07
申请号：KR1020040113210
申请日：2004-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/76895 , H01L28/75
Abstract: MIM 캐패시터가 제공된다. MIM 캐패시터는 기판 상에 형성되고 일부가 하부 배선인 도전층으로 이루어진 하부 전극 패턴, 하부 전극 패턴 상에 형성된 유전체 패턴, 유전체 패턴 상에 형성된 평판형 제1 상부 전극 패턴, 제1 상부 전극 패턴, 유전체 패턴 및 하부 전극 패턴을 덮으며 상면이 평탄화된 층간 절연막, 층간 절연막 내에 형성되고 제1 상부 전극 패턴을 노출시키는 제2 상부 전극용 개구 패턴, 개구 패턴을 매립하며 층간 절연막의 상면과 실질적으로 평평한 상면을 구비하는 제2 상부 전극, 및 층간 절연막 상에 형성되고 제2 상부 전극과 접속하는 상부 배선을 포함한다. 또한, MIM 캐패시터의 제조 방법도 제공된다.
MIM 캐패시터, 크랙, 반도체 소자, 트렌치부-
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公开(公告)号：KR100630687B1
公开(公告)日：2006-10-02
申请号：KR1020040051974
申请日：2004-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L28/40 , H01L28/65 , Y10S438/957
Abstract: 아날로그 반도체 소자의 커패시터에서 유전막의 제조공정의 생산성을 높이고, 전극과의 반응성이 낮고, 우수한 누설전류 특성을 얻을 수 있는 다층 유전막을 갖는 아날로그 반도체 소자의 커패시터 및 그 형성방법에 관해 개시한다. 이를 위해 본 발명은 하부전극과 상부전극 사이에 VCC 이차항의 계수가 음의 값을 갖는 하부유전막과 상부유전막을 형성하고, 상부유전막과 하부유전막 사이에 VCC 이차항의 계수가 양의 값을 갖는 중간유전막을 형성한다. 상부 및 하부 유전막은 산화막을 사용할 수 있고, 중간유전막은 산화하프늄(HfO
2 )을 사용할 수 있다.
아날로그 반도체 소자, 커패시터, VCC 이차항의 계수, 다층 유전막.-
公开(公告)号：KR1020060031997A
公开(公告)日：2006-04-14
申请号：KR1020040080998
申请日：2004-10-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/02304 , H01L21/02145 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02332 , H01L21/3144 , H01L27/1085 , H01L28/56 , H01L28/60
Abstract: The present invention is directed to a capacitor having a reaction preventing layer and a method forming the same. A lower electrode of silicon is formed on a substrate. An assistance layer of metal oxide or metal nitride is formed on the lower electrode. A nitridation process is performed to enable the silicon of the lower electrode, the assistance layer, and nitrogen supplied by the nitridation process to react with one another, forming a reaction preventing layer comprising metal silicon oxynitride or metal silicon nitride. A high-k dielectric film and an upper electrode are formed on the reaction preventing layer.
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公开(公告)号：KR100541547B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020030052885
申请日：2003-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: 아날로그 커패시터를 제조하는 방법이 개시된다. 이 방법은 커패시터를 제조하는 것을 포함한다. 상기 커패시터의 전압에 따른 커패시턴스를 측정하고, 상기 측정된 커패시턴스를 분석한다. 그리고, 상기 커패시턴스 분석 결과에 따라 하부전극 후처리 조건(post-treatment condition) 및 유전막 후처리 조건을 설정한다.
아날로그 커패시터, 후처리(post-treatment), 유전막(dielectric layer)-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050014311A
公开(公告)日：2005-02-07
申请号：KR1020030052885
申请日：2003-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an analog capacitor is provided to prevent a leakage current from increasing and fabricate an analog capacitor with a small power supply voltage by setting post-treatment conditions of a lower electrode and a dielectric layer. CONSTITUTION: The first lower insulation layer is formed on a semiconductor substrate. The first lower conductive layer made of at least one conductive layer is formed on the front surface of the semiconductor substrate having the first lower insulation layer. The first dielectric layer and the first upper conductive layer made of at least one conductive layer are sequentially formed on the first lower conductive layer so as to fabricate a capacitor(1). The capacitance of the capacitor is measured according to a voltage(3). The measured capacitance is analyzed(5). The post-treatment conditions of a lower electrode and a dielectric layer are set according to the result of the analysis(7).
Abstract translation: 目的：提供一种制造模拟电容器的方法，通过设置下电极和电介质层的后处理条件，防止漏电流增加并以较小的电源电压制造模拟电容器。 构成：第一下绝缘层形成在半导体衬底上。 在具有第一下绝缘层的半导体衬底的前表面上形成由至少一个导电层制成的第一下导电层。 在第一下导电层上依次形成由至少一个导电层制成的第一介质层和第一上导电层，以制造电容器（1）。 根据电压（3）测量电容器的电容。 分析测量电容（5）。 根据分析结果（7）设定下电极和电介质层的后处理条件。
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公开(公告)号：KR1020040096402A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：KR1020030029516
申请日：2003-05-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film by plasma-intensifying cyclic deposition technique is provided to shorten an interval of process time and improve productivity while guaranteeing the physical property of a thin film. CONSTITUTION: Deposition gas of a pulse type is periodically supplied to the inside of a reactor, wherein the deposition gas starts to be supplied again after the deposition gas is completely purged from a time point of the stopped supply of the deposition gas. Reaction gas of a pulse type is supplied to the inside of the reactor. The supply of the reaction gas starts between a time point of the started supply of the deposition gas and a time point of the complete purge of the deposition gas, and stops between a time point of the complete purge of the deposition gas and a time point of the re-started supply of the deposition gas. Plasma is generated in synchronization with the supply time of the reaction gas in the reactor.
Abstract translation: 目的：提供通过等离子体增强循环沉积技术形成薄膜的方法，以缩短处理时间的间隔并提高生产率，同时保证薄膜的物理性能。 构成：将脉冲型沉积气体周期性地供给到反应器内部，其中在沉积气体从沉积气体的停止供应的时间点完全清除之后，再次开始供给沉积气体。 将脉冲型的反应气体供应到反应器的内部。 反应气体的供给从开始供给沉积气体的时间点到沉积气体的完全吹扫的时间点开始，并且在沉积气体的完全吹扫的时间点和时间点之间停止 重新开始供应沉积气体。 与反应器中的反应气体的供应时间同步地产生等离子体。
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公开(公告)号：KR1020040078476A
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：KR1020030013428
申请日：2003-03-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/515 , C23C16/40 , C23C16/45542
Abstract: PURPOSE: A method for forming a thin film using an atomic layer deposition method is provided to improve the step coverage of the thin film by using the first reactant having a surface absorbing characteristic superior to the source material and the second reactant having the surface absorption characteristic inferior to the source material. CONSTITUTION: A source material is fed to a reaction chamber(S21). The source material of the reaction chamber is purged(S22). The first reactant having a surface absorption characteristic superior to the source material is fed to the reaction chamber and the second reactant having the surface absorption characteristic inferior to the source material is fed to the reaction chamber(S23). The second reactant within the reaction chamber is changed into the state of the plasma(S24).
Abstract translation: 目的：提供一种使用原子层沉积法形成薄膜的方法，以通过使用具有优于源材料的表面吸收特性的第一反应物和具有表面吸收特性的第二反应物来改善薄膜的台阶覆盖 低于源材料。 构成：将源材料送入反应室（S21）。 清洗反应室的原料（S22）。 将具有优于源材料的表面吸收特性的第一反应物送入反应室，将具有劣于源材料的表面吸收特性的第二反应物送入反应室（S23）。 反应室内的第二反应物变为等离子体的状态（S24）。
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公开(公告)号：KR1020040060443A
公开(公告)日：2004-07-06
申请号：KR1020020087241
申请日：2002-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/022 , H01L21/02175 , H01L21/02178 , H01L21/02337 , H01L21/3141 , H01L21/3143 , H01L21/31616 , H01L21/31637 , H01L21/31641 , H01L21/31645 , H01L21/31691 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L28/56 , H01L28/65
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a capacitor of a semiconductor device is provided to lower the boosting frequency and the power consumption by increasing a capacitance value per unit area. CONSTITUTION: A bottom electrode(120) of a capacitor is formed on an upper surface of a semiconductor substrate(110). The first dielectric layer(132) is formed by depositing an aluminum oxide on an upper surface of the bottom electrode of the capacitor. The second dielectric layer(134) is formed on an upper surface of the first dielectric layer. The third dielectric layer(136) is formed on an upper surface of the second dielectric layer. A top electrode(140) of the capacitor is formed on an upper surface of the third dielectric layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的电容器的方法，通过增加每单位面积的电容值来降低升压频率和功耗。 构成：电容器的底部电极（120）形成在半导体衬底（110）的上表面上。 第一电介质层（132）通过在电容器的底部电极的上表面上沉积氧化铝而形成。 第二电介质层（134）形成在第一电介质层的上表面上。 第三电介质层（136）形成在第二电介质层的上表面上。 电容器的顶部电极（140）形成在第三电介质层的上表面上。
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公开(公告)号：KR100871697B1
公开(公告)日：2008-12-08
申请号：KR1020070005419
申请日：2007-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L23/5256 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 반도체 소자의 전기 퓨즈에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자의 전기 퓨즈는 퓨즈 프로그래밍을 위한 퓨즈 트랜지스터; 및 상기 퓨즈 트랜지스터와 연결되어 있는 퓨즈 블록을 포함하되, 상기 퓨즈 블록은 퓨즈 라인 및 상기 퓨즈라인에 연결되어 있는 열발산 구조; 를 포함한다. 본 발명의 전기 퓨즈는 퓨즈 라인에 열발산 구조를 채용함으로써 퓨즈 블로잉시 퓨즈 링크에서 발생하는 열이 열발산 구조로 확산되어 퓨즈의 파열을 방지함으로써 전기 퓨즈의 센싱 마진을 넓게 확보하고 인접 소자가 퓨즈에서 발생하는 열에 의하여 열화되는 것을 방지할 수 있다.
전기 퓨즈, 퓨즈 링크, 열발산 구조, 퓨즈 파열(rupture)
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