公开(公告)号：KR1020160015506A

公开(公告)日：2016-02-15

申请号：KR1020140097534

申请日：2014-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남상완 ,  윤선민 ,  임봉순 ,  최윤희

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/08 ,  G11C8/08 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C16/3459

Abstract: 본발명의불휘발성메모리장치는메모리셀 어레이, 어드레스디코더, 입출력회로, 전압발생회로, 및제어로직을포함한다. 메모리셀 어레이는복수의스트링들을갖는복수의메모리블록들을포함한다. 어드레스디코더는선택된메모리블록의워드라인들의임피던스정보를측정한다. 전압발생회로는워드라인들에인가되는워드라인전압들을발생한다. 워드라인전압들중 적어도하나는옵셋전압과타켓전압을포함한다. 제어로직은측정된워드라인들의임피던스정보를근거로옵셋전압의레벨및 옵셋시간을조절한다.

Abstract translation: 根据本发明，非易失性存储器件包括存储单元阵列，地址解码器，输入/输出电路，电压产生电路和控制逻辑。 存储单元阵列包括具有多个串的多个存储块。 地址解码器测量所选存储块的字线的阻抗信息。 电压产生电路产生要施加到字线的字线电压。 字线电压中的至少一个包括偏移电压和目标电压。 控制逻辑基于所测量的字线的阻抗信息来调整偏移电压和偏移时间的电平。

公开(公告)号：KR102116671B1

公开(公告)日：2020-06-01

申请号：KR1020140097534

申请日：2014-07-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남상완 ,  윤선민 ,  임봉순 ,  최윤희

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/08