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公开(公告)号：KR20210030533A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020190111467A
申请日：2019-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/11573 , H01L27/102 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11582
CPC classification number: H01L27/11573 , H01L27/1022 , H01L27/11519 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L29/045 , H01L27/11582
Abstract: 제 1 실리콘 기판에 적층되는 복수의 게이트 전극층을 갖는 적층 구조체, 상기 적층 구조체를 관통하여, 상기 기판의 상부면에 수직하는 방향으로 연장되는 복수의 채널 영역, 상기 적층 구조체 상에 배치되는 제 1 층간 절연층, 및 상기 층간 절연층 상에 배치되는 주변 회로 구조체를 포함하는 3차원 반도체 장치를 제공하되, 상기 주변 회로 구조체는 제 2 실리콘 기판의 제 1 면 상에 배치되고, 상기 복수의 채널 영역 및 상기 복수의 게이트 전극층 중 적어도 일부와 전기적으로 연결되는 복수의 주변 회로 소자를 포함하고, 상기 제 1 실리콘 기판은 그의 상부면에 평행한 제 1 결정면을 갖고, 상기 제 2 실리콘 기판은 상기 제 1 면에 평행한 제 2 결정면을 갖고, 상기 제 1 기판의 상기 상부면 상에 노출되는 상기 제 1 결정면의 원자들의 배열 방향과 상기 제 2 기판의 상기 제 1 면 상에 노출되는 상기 제 2 결정면의 원자들의 배열 방향은 서로 교차할 수 있다.
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2.发明专利
公开(公告)号：KR20210025162A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190104615A
申请日：2019-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/10 , G11C16/04 , G11C16/08 , G11C16/34 , H01L27/105
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/0441 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C16/3459 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , G11C7/22 , H01L27/105 , G11C2211/5621
Abstract: 본 발명은 불휘발성 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 불휘발성 메모리 장치의 각 메모리 블록은 제1 필라의 제1 메모리 셀들 및 제2 필라의 제2 메모리 셀들을 포함한다. 불휘발성 메모리 장치는 메모리 블록들 중 선택된 메모리 블록에서 연속한 주소들에 기반하여 프로그램 동작들을 수행할 때, 제1 및 제2 메모리 셀들 중에서 제1 필라와 제2 필라의 경계에 인접하지 않은 비인접 메모리 셀들의 제1 프로그램 동작들을 순차적으로 완료한 후에, 경계에 인접한 인접 메모리 셀의 제2 프로그램 동작을 완료하도록 구성된다.
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公开(公告)号：KR20210025249A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020190105004A
申请日：2019-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0659 , G11C16/14 , G06F3/0604 , G06F3/0652 , G06F3/0653 , G06F3/0679 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/3459
Abstract: 본 개시의 기술적 사상에 따른 메모리 시스템의 동작 방법은, 비휘발성 메모리에 포함된 메모리 그룹의 소거 시점으로부터 프로그램 시점 사이의 시간을 나타내는 EPI(Erase Program Interval)를 검출하고, 검출된 EPI를 기초로 메모리 그룹에 대한 프로그램 모드를, 각 메모리 셀에 저장하는 데이터 비트 수에 따라 미리 정의된 복수의 프로그램 모드들 중 하나로 결정하며, 결정된 프로그램 모드로 메모리 그룹에 대한 프로그램 동작을 수행한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170061739A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020150166120
申请日：2015-11-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C7/1063 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/26 , G11C16/3459 , G11C2211/5621
Abstract: 본발명은스토리지장치에관한것이다. 본발명의스토리지장치는, 불휘발성메모리장치그리고불휘발성메모리장치로제1 데이터, 어드레스및 프로그램시작커맨드를전송하고, 그리고프로그램시작커맨드를전송한후에불휘발성메모리장치로제2 데이터를전송하는컨트롤러를포함한다. 불휘발성메모리장치는프로그램시작커맨드에응답하여제1 데이터에기반한프로그램동작을시작하고, 제2 데이터가전송됨에따라제1 데이터및 제2 데이터에기반하여프로그램동작을지속한다. 불휘발성메모리장치는제1 데이터에기반하여첫 번째프로그램루프의프로그램및 하나의검증전압을이용한검증읽기를수행한다.
Abstract translation: 存储装置技术领域本发明涉及存储装置。 本发明的存储装置，所述火包括易失性存储器装置和非易失性存储装置的Rosetta第一数据，所述地址以及所述程序的控制器，用于发送一个命令的开始，并且将非易失性存储器件的Rosetta 2数据hanhue传输程序开始命令 。 非易失性存储器装置开始响应于节目开始命令基于所述第一数据的程序操作，并且将第二数据持续到第一数据和基于所述第二数据作为发送的节目的操作。 非易失性存储器设备执行由程序读出的数据的基础上，一个第一验证和验证所述第一程序循环的电压。
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公开(公告)号：KR100336524B1
公开(公告)日：2002-05-11
申请号：KR1020000045598
申请日：2000-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 플라즈마의 증착시 챔버내의 열손실이 방지되게 하므로서 투시창에의 폴리머 응착을 극소화시켜 관리가 용이하고, 가공시의 제품 불량률이 저감될 수 있도록 하는 반도체 제조용 화학기상증착 장치의 뷰우포트에 관한 것으로서, 상기의 목적 달성을 위하여 본 발명은 챔버(3)의 외벽을 이루는 제2일렉트로드(10)의 측면 일측에 소정의 크기로 개구(11)를 형성하고, 상기 개구(11)의 외측의 주연부를 돌출되게 형성한 브라켓(20)과; 상기 브라켓(20)의 내부로 삽입되면서 상기 개구(11)의 외측 주연부와는 O링(31)에 의해 긴밀하게 밀착되는 투시창(30)과; 상기 브라켓(20)의 외측면을 개방시킨 홀(21)의 외주연 단부를 따라 구비되며, 상기 브라켓(20)의 서로 대응되는 외주연 단부에 일단이 힌지결합되고, 타단은 체해결이 가능하게 잠금수단(41)에 의해 결합되는 캡부재(40)와; 상기 캡부재(40)의 내측면에 부착되면서 상기 브라켓(20)의 외측면으로 형성한 홀(21)과 상기 투시창(30)의 일면으로 동시에 긴밀하게 밀착되게 삽입되는 단열부재(50)를 포함하는 구성으로 형성되도록 하는데 특징이 있다.
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公开(公告)号：KR1020020012342A
公开(公告)日：2002-02-16
申请号：KR1020000045598
申请日：2000-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: B01J3/004 , C23C16/488 , G02B7/007
Abstract: PURPOSE: A view port of a chemical vapor deposition apparatus for manufacturing a semiconductor is provided to increase endurance and to improve production yield, by easily observing the inside of a chamber through a window and by remarkably lengthening a cleaning period caused by contamination of the window. CONSTITUTION: A predetermined size of an opening(11) is formed in a side of the side surface of the second electrode(10) constituting the outer wall of the chamber, and a bracket(20) is so formed that the outer circumferential portion of the opening is protruded. The window(30) is inserted into the bracket, and is closely adhered to the outer circumferential portion of the opening by an O ring(31). A cap unit(40) is formed along the end portion of the outer circumference of a hole(21) opening a side surface of the bracket. One end of the cap unit is hinge-coupled to a corresponding end portion of the outer circumference of the bracket, and the other end of the cap unit is detachably connected to a corresponding end portion of the bracket by a lock unit(41). An adiabatic unit(50) is closely and simultaneously adhered to the hole formed on the outer side surface of the bracket and the one surface of the window while adhered to the inner side surface of the cap unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体的化学气相沉积设备的观察口，通过容易地通过窗户观察房间的内部并且显着地延长由窗户的污染引起的清洁周期，从而提高耐久性并提高产量 。 构成：在构成室的外壁的第二电极（10）的侧面的一侧形成开口（11）的预定尺寸，并且支架（20）形成为使得外壳 开口突出。 窗口（30）插入到支架中，并且通过O形环（31）紧密地附着在开口的外周部分上。 沿着开口支架的侧面的孔（21）的外周的端部形成有盖单元（40）。 盖单元的一端铰链连接到托架的外圆周的相应端部，并且盖单元的另一端通过锁定单元（41）可拆卸地连接到支架的相应端部。 绝热单元（50）紧密并同时地粘附在形成在支架的外侧表面上的孔和窗口的一个表面上，同时粘附到盖单元的内侧表面。
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公开(公告)号：KR1020170110768A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160034795
申请日：2016-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/3459 , G06F11/2094 , G11C7/106 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리장치는셀 어레이, 제 1 페이지버퍼, 제 2 페이지버퍼를포함할수 있다. 셀어레이는복수의메모리셀을포함할수 있다. 제 1 페이지버퍼는셀 어레이의제 1 메모리셀에연결되고, 프로그램검증동작수행시, 제 1 메모리셀의프로그램완료여부를센싱하여생성한제 1 센싱데이터를저장할수 있다. 제 2 페이지버퍼는셀 어레이의제 2 메모리셀에연결되고, 프로그램검증동작수행시, 제 2 메모리셀의프로그램완료여부를센싱하여생성한제 2 센싱데이터를기초로제 1 검증데이터를생성하여저장하고, 제 1 센싱데이터를제 1 페이지버퍼로부터전송받고, 제 1 센싱데이터및 제 1 검증데이터를누적하여생성한제 2 검증데이터를저장할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的非易失性存储器件可以包括单元阵列，第一页面缓冲器和第二页面缓冲器。 单元阵列可以包括多个存储单元。 第一页缓冲器连接到单元阵列的第一存储器单元，并且当执行编程验证操作时，可以通过感测第一存储器单元的编程完成来存储第一页数据。 第二页缓冲器连接到单元阵列的第二存储单元，当执行编程验证操作时，第二页缓冲器基于通过感测第二存储单元的程序是否完成而生成的第二感测数据来生成并存储1个验证数据 ，从第一页面缓冲器接收第一感应数据，并且可以存储通过累积第一感应数据和第一验证数据而生成的第二验证数据。
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10.发明公开불휘발성 메모리 장치, 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 및 불휘발성 메모리 장치에 데이터를 프로그램 하는 프로그램 방법 审中-实审非易失性存储装置，包括非易失性存储装置的存储装置以及用于在非易失性存储装置中编程数据的编程方法
公开(公告)号：KR1020170062351A
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：KR1020160024580
申请日：2016-02-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의실시예들에따른스토리지장치는, 불휘발성메모리장치, 그리고상기불휘발성메모리장치로제1 데이터, 어드레스및 제1 커맨드를전송하고, 그리고상기제1 커맨드를전송한후에상기불휘발성메모리장치로적어도하나의데이터를더 전송하도록구성되는컨트롤러를포함한다. 상기불휘발성메모리장치는상기제1 커맨드에응답하여상기제1 데이터에기반한프로그램동작을시작하고, 상기적어도하나의데이터가더 전송됨에따라상기제1 데이터및 상기적어도하나의데이터에기반하여상기프로그램동작을지속하도록구성된다.
Abstract translation: 根据本发明，一种非易失性存储器件和非易失性存储器件的Rosetta 1个数据，地址，以及发送所述第一命令的实施例中存储装置，和与所述非易失性hanhue发送第一命令的存储装置 以及控制器，被配置为进一步发送至少一个数据。 的非易失性存储设备可以开始于所述第一命令响应基于所述第一数据的程序操作，并且所述第一数据的至少一个或多个的数据传输，以及基于所述程序的所述至少一个数据 并配置为继续操作。
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