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公开(公告)号：KR1019980031810A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960051372
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이도한
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 드라이 방법에 관한 것으로서, 내부에 구멍이 많은 밑판과 하부 경사로를 가지며 내부 또는 외부에 발열 장치가 장착되어 있는 체임버, 체임버의 상부에 부착되어 있는 압력 게이지, 체임버의 하부와 연결되어 있으며 배출 밸브가 형성되어 있는 제1 배출관, 체임버의 한 쪽 측면에 연결되어 있으며 기체의 유입을 조절하는 벤트 밸브가 형성되어 있는 제1 유입관, 체임버의 다른 한 쪽 측면에 연결되어 있으며 압력에 따라 개폐 정도가 달라지는 트로틀 밸브와 진공 밸브가 장착되어 있는 유입 및 배출 통로관, 통로관의 끝에 연결되어 있는 펌프, 펌프와 진공 밸브 사이의 통로관과 연결되며 기체의 유입량을 조절하는 벌라스트 밸브가 장착되어 있는 제2 유입관을 포함하는 장치를 써서 그 진공 웨이퍼 드라이 방법을 구현하는데, 체임버 내에 웨이퍼를 장착하고 웨이퍼의 물기를 일부 제거하는 단계, 펌프를 가동시켜 체임버 내의 공기를 외부로 배출시키는 단계, 체임버 내부의 압력을 상압으로 올리는 단계를 포함한다. 이러한 웨이퍼 드라이 방법은 체임버 내부 압력을 변화시켜 웨이퍼 표면 상의 소이온수를 기화시키고 이를 외부로 배출해 내기 때문에 입자들이 웨이퍼에 부착되거나 물의 무늬 등이 남아있지 않게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990011564A
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019970034702
申请日：1997-07-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 트렌치의 상부 에지 및 바닥면의 코너 부분을 라운딩하게 형성할 수 있는 반도체 장치의 트렌치 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 트렌치가 형성될 영역을 정의하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정과, 상기 트렌치를 포함하여 상기 반도체 기판을 CF
4 와 O
2 의 혼합 가스를 이용하여 식각하는 공정을 포함한다. 이와 같은 반도체 장치의 트렌치 형성 방법에 의해서, 트렌치의 상부 에지 부분 및 하부 코너 부분을 라운딩하게 형성할 수 있고, 따라서, 산화막 씨닝 현상에 의해 트렌치를 게이트로 사용하는 반도체 장치의 브레이크다운 전압이 저하되어 소자 특성이 열화되는 문제점을 해결할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019980033871A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960051680
申请日：1996-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 다층 금속 배선 구조를 갖는 반도체 장치의 금속 배선 콘택용 홀을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 절연막을 사이에 두고 하부 금속 배선막을 형성하는 공정과, 상기 하부 금속 배선막 상에 층간절연막을 사이에 두고 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 층간절연막을 식각하는 공정을 포함하여 상기 하부 금속 배선막 상에 후속 공정에서 형성되는 상부 금속 배선막을 콘택시키기 위한 콘택홀을 형성하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 상기 층간절연막을 불산 용액을 이용하여 소정의 두께로 식각하는 공정을 포함하여, 상기 층간절연막과 포토레지스트의 접착력을 증대시키는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 장치에 의해서, 층간절연막과 포토레지스트와의 표면 접착력을 향상시킬 수 있고, 따라서 비아홀 주변 영역의 층간절연막이 언더컷되는 것을 방지할 수 있으며, 아울러 반도체 장치의 신뢰성이 저하되는 등의 문제점을 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970077297A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960017408
申请日：1996-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 이 발명은 반도체 제조 공정중 트렌치 식각(Trench Etch)시에 트렌치 하부를 라운딩(Rounding)시키는 공정에 관한 것이다.
이 발명의 구성은, 실리콘 기판위에 열산화막과 질화막, 화학기상증착 저온산화막을 일정 두께로 형성하는 마스크 제작 단계와, 사진 및 식각 공정을 통하여 트렌치가 형성될 부분의 마스크를 제거한 후에 트렌치 식각을 실시하는 트렌치 형성단계와, 트렌치 식각중에 발생한 식각 분산물의 처리를 위하여 디핑 처리한 후에 라운딩용 열산화막을 일정 두께 형성하고, 다음에 상기한 라운딩용 열산화막의 제거를 위해 습식식각 공정을 진행하여 트렌치 하부를 라운딩시키는 라운딩 형성 단계로 이루어진다.
이 발명의 효과는 트렌치 형성후 열산화막을 형성하는 단계를 거침으로써 트렌치의 하부 구석 부분의 프로파일을 완만하게 만들 수 있기 때문에 유전 막질을 형성하기 위한 열산화막 공정에서 OSF를 줄여 트렌치의 전기적인 성질을 향상시킨 트렌치 하부의 라운딩 제조 공정을 제공할 수 있다.-
公开(公告)号：KR100206575B1
公开(公告)日：1999-07-01
申请号：KR1019960051372
申请日：1996-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이도한
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 웨이퍼 드라이 방법에 관한 것으로서, 내부에 구멍이 많은 밑판과 하부 경사로를 가지며 내부 또는 외부에 발열 장치가 장착되어 있는 체임버, 체임버의 상부에 부착되어 있는 압력 게이지, 체임버의 하부와 연결되어 있으며 배출 밸브가 형성되어 있는 제1 배출관, 체임버의 한 쪽 측면에 연결되어 있으며 기체의 유입을 조절하는 벤트 밸브가 형성되어 있는 제1 유입관, 체임버의 다른 한 쪽 측면에 연결되어 있으며 압력에 따라 개폐 정도가 달라지는 트로틀 밸브와 진공 밸브가 장착되어 있는 유입 및 배출 통로관, 통로관의 끝에 연결되어 있는 펌프, 펌프와 진공 밸브 사이의 통로관과 연결되며 기체의 유입량을 조절하는 벌라스트 밸브가 장착되어 있는 제2 유입관을 포함하는 장치를 써서 그 진공 웨이퍼 드라이 방법을 구현하는데, 체임버 내에 웨이퍼를 장착하고 웨이퍼의 물기를 일부 제거하는 단계, 펌프를 가동시켜 체임버 내의 공기를 외부로 배출시키는 단계, 체임버 내부의 압력을 상압으로 올리는 단계를 포함한다. 이러한 웨이퍼 드라이 방법은 체임버 내부 압력을 변화시켜 웨이퍼 표면 상의 소이온수를 기화시키고 이를 외부로 배출해 내기 때문에 입자들이 웨이퍼에 부착되거나 물의 무늬 등이 남아있지 않게 된다.
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公开(公告)号：KR100223586B1
公开(公告)日：1999-10-15
申请号：KR1019960017408
申请日：1996-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 이 발명은 반도체 제조 공정중 트렌치 식각(Trench Etch)시에 트렌치 하부를 라운딩(Rounding)시키는 공정에 관한 것이다.
이 발명의 구성은, 실리콘 기판 위에 열산화막과 질화막, 화학기상증착 저온산화막을 일정 두께로 형성하는 마스크 제작 단계와, 사진 및 식각 공정을 통하여 트렌치가 형성될 부분의 마스크를 제거한 후에 트렌치 식각을 실시하는 트렌치 형성 단계와, 트렌치 식각중에 발생한 식각 부산물의 처리를 위하여 디핑 처리한 후에 라운딩용 열산화막을 일정 두께 형성하고, 다음에 상기한 라운딩용 열산화막의 제거를 위해 습식 식각 공정을 진행하여 트렌치 하부를 라운딩시키는 라운딩 형성 단계로 이루어진다..
이 발명의 효과는 트렌치 형성후 열산화막을 형성하는 단계를 거침으로써 트렌치의 하부 구석 부분의 프로파일을 완만하게 만들 수 있기 때문에 유전 막질을 형성하기 위한 열산화막 공정에서 OSF를 줄여 트렌치의 전기적인 성질을 향상시킨 트렌치 하부의 라운딩 제조 공정을 제공할 수 있다.
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