질화물 양자점을 갖는 발광 소자 및 그 제조방법
    4.
    发明公开
    질화물 양자점을 갖는 발광 소자 및 그 제조방법 审中-实审
    具有氮化物量子点的发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020170059243A

    公开(公告)日:2017-05-30

    申请号:KR1020150163343

    申请日:2015-11-20

    Inventor: 이재숭 송영호

    Abstract: 질화물양자점을갖는발광소자및 그제조방법이개시되어있다. 개시된발광소자는기판, 상기기판상에형성된질화물계버퍼층(buffer layer), 상기질화물계버퍼층상에수직한방향으로, 서로이격되어형성된복수의나노로드층(nanorod layer), 상기복수의나노로드층상에형성된질화물양자점, 상기복수의나노로드층및 상기질화물양자점을덮는상부콘택트층;을포함한다. 상기복수의나노로드층과상기질화물양자점사이에는피라미드형태의물질층이더 형성될수 있다. 상기각각의나노로드층상에는하나또는복수의질화물양자점이형성될수 있다.

    Abstract translation: 一种具有氮化物量子点的发光器件及其制造方法。 所公开的发光器件包括衬底,形成在衬底上的氮化物缓冲层,在氮化物缓冲层上在垂直方向上彼此间隔开的多个纳米棒层, 以及覆盖形成的氮化物量子点,多个纳米棒层和氮化物量子点的上接触层。 可以在多个纳米棒层和氮化物量子点之间进一步形成金字塔形材料层。 一个或多个氮化物量子点可以形成在每个纳米棒层上。

    양자점을 갖는 전자소자 및 그 제조방법
    5.
    发明公开
    양자점을 갖는 전자소자 및 그 제조방법 审中-实审
    具有量子的电子装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150117912A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:KR1020140043681

    申请日:2014-04-11

    Inventor: 이재숭 김효진

    Abstract: 양자점을갖는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는제1 나노로드와, 상기제1 나노로드의상부면상에형성된양자점과, 상기제1 나노로드의측면과상기양자점을덮는제2 나노로드를포함한다. 상기제1 및제2 나노로드는서로반대되는타입이다. 개시된전자소자의제조방법은기판상에절연막을형성하는과정과, 상기절연막에상기기판이노출되는제1 홀을형성하는과정과, 상기제1 홀을채우는제1 나노로드를형성하는과정과, 상기제1 나노로드의상부면상에양자점을형성하는과정과, 상기절연막상에제2 홀을포함하는수지막을형성하되, 상기제2 홀은상기제1 홀과그 둘레의상기절연막의일부가노출되도록형성하는과정과, 상기노출된절연막상에상기제1 나노로드및 상기양자점을덮는제2 나노로드를형성하는과정과, 상기수지막상에상기제2 나노로드를덮는전도성산화막을형성하는과정과, 상기전도성산화막상에전극을형성하는과정을포함한다.

    Abstract translation: 公开了具有量子点的电子装置及其制造方法。 电子设备包括:第一纳米棒; 形成在第一纳米棒的上表面上的量子点; 以及覆盖所述第一纳米棒和所述量子点的一侧的第二纳米棒,其中所述第一和第二纳米棒是相反的。 电极器件的制造方法包括以下步骤:在衬底上形成绝缘膜; 形成基板暴露于绝缘膜的第一孔; 形成填充第一孔的第一纳米棒; 在第一纳米棒的上表面上形成量子点; 在所述绝缘膜上形成包括第二孔的树脂膜,其中所述第二孔形成为使得所述第一孔和所述绝缘膜的周边的一部分露出; 形成第二纳米棒以覆盖暴露的绝缘膜上的量子点和第一纳米棒; 形成导电氧化膜以覆盖树脂膜上的第二纳米棒; 并在导电氧化膜上形成电极。

    그래핀 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조방법
    8.
    发明公开
    그래핀 전사 방법 및 이를 이용한 소자의 제조방법 审中-实审
    传送石墨的方法和使用该方法制造装置的方法

    公开(公告)号:KR1020130132105A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:KR1020120056230

    申请日:2012-05-25

    CPC classification number: C01B32/194 B01J19/123

    Abstract: Disclosed are a method of transferring graphene and a method of manufacturing a device using the same. The method for transferring graphene is able to comprise a step of transferring graphene formed on a first substrate to a second substrate by using a cheap protective material. The protective material is able to include a material such as polystyrene or polystyrene-based material. A protective layer is able to be manufactured by spraying a mixture of a solvent and polystyrene on the graphene. The solvent has the boiling point of more than about 150°C. An etching solution having the surface tension of more than 32 dyne/cm is able to be used when the protective layer is removed after graphene transfer. The method of transferring graphene is able to additionally comprise a step of process the surface of the second substrate with ultraviolet rays when the graphene is transferred. The surface of the second substrate processed with the ultraviolet rays is able to have hydrophilicity.

    Abstract translation: 公开了转移石墨烯的方法和使用其制造器件的方法。 用于转移石墨烯的方法能够包括通过使用便宜的保护材料将形成在第一衬底上的石墨烯转移到第二衬底的步骤。 保护材料能够包括诸如聚苯乙烯或聚苯乙烯的材料的材料。 能够通过在石墨烯上喷涂溶剂和聚苯乙烯的混合物来制造保护层。 溶剂的沸点高于约150℃。 当石墨烯转移后保护层被去除时,可以使用表面张力大于32达因/厘米的蚀刻溶液。 转移石墨烯的方法能够另外包括当石墨烯转移时用紫外线处理第二基板的表面的步骤。 用紫外线处理的第二基板的表面能够具有亲水性。

    표면 플라즈몬 레이저
    9.
    发明公开
    표면 플라즈몬 레이저 审中-实审
    表面等离子体激光

    公开(公告)号:KR1020130030217A

    公开(公告)日:2013-03-26

    申请号:KR1020120101625

    申请日:2012-09-13

    CPC classification number: H01S5/1046 H01S3/1302 H01S3/169 H01S4/00

    Abstract: PURPOSE: A surface plasmon laser is provided to output a small laser beam exceeding a diffraction limit of a laser. CONSTITUTION: A surface plasmon laser(10) includes a metal layer(20), a gain medium layer(30), and a deformed part. The gain medium layer is placed on the metal layer and includes a circular structure part. The circular structure part generates a whispering gallery mode. The whispering gallery mode enables surface plasmon light generated by surface plasmon resonance on an interface with the metal layer along a circle. The deformed part outputs a part of a laser beam generated from the circular structure part of the gain medium layer.

    Abstract translation: 目的:提供表面等离激元激光器来输出超过激光衍射极限的小激光束。 构成:表面等离子体激元(10)包括金属层(20),增益介质层(30)和变形部分。 增益介质层被放置在金属层上并且包括圆形结构部分。 圆形结构部分产生一个耳语画廊模式。 耳语画廊模式使得通过表面等离子体共振产生的表面等离激元光在与金属层的界面上沿着圆形。 变形部分输出从增益介质层的圆形结构部分产生的激光束的一部分。

    양자점을 갖는 전자소자 및 그 제조방법

    公开(公告)号:KR102205699B1

    公开(公告)日:2021-01-21

    申请号:KR1020140043681

    申请日:2014-04-11

    Inventor: 이재숭 김효진

    Abstract: 양자점을갖는전자소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된전자소자는제1 나노로드와, 상기제1 나노로드의상부면상에형성된양자점과, 상기제1 나노로드의측면과상기양자점을덮는제2 나노로드를포함한다. 상기제1 및제2 나노로드는서로반대되는타입이다. 개시된전자소자의제조방법은기판상에절연막을형성하는과정과, 상기절연막에상기기판이노출되는제1 홀을형성하는과정과, 상기제1 홀을채우는제1 나노로드를형성하는과정과, 상기제1 나노로드의상부면상에양자점을형성하는과정과, 상기절연막상에제2 홀을포함하는수지막을형성하되, 상기제2 홀은상기제1 홀과그 둘레의상기절연막의일부가노출되도록형성하는과정과, 상기노출된절연막상에상기제1 나노로드및 상기양자점을덮는제2 나노로드를형성하는과정과, 상기수지막상에상기제2 나노로드를덮는전도성산화막을형성하는과정과, 상기전도성산화막상에전극을형성하는과정을포함한다.

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