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公开(公告)号：KR1020130052753A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：KR1020110081095
申请日：2011-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
CPC classification number: G06F3/04883 , G06F3/04817 , G06F2203/04806 , G06F3/0412 , G06F3/04842 , G06F3/14 , G06F9/44
Abstract: PURPOSE: An application execution method using a touch screen and a terminal device supporting the same are provided to reduce the load of a terminal by recognizing execution applications at once. CONSTITUTION: Multiple touches corresponding to icons are sensed by analyzing one or more touch events(510). A display unit displays a preview image by using an execution screen image. A control unit(530) controls the display unit to execute an application. [Reference numerals] (505) Output an icon; (510) Is the icon touched?; (515) Execute a corresponding function; (523) Display a preview image; (526) Is an application execution condition matched?; (530) Execute an application, and display an execution screen; (AA) Start; (BB) End
Abstract translation: 目的：提供使用触摸屏和支持其的终端设备的应用执行方法，以一次识别执行应用来减少终端的负载。 构成：通过分析一个或多个触摸事件（510）来感测对应于图标的多个触摸。 显示单元通过使用执行画面显示预览图像。 控制单元（530）控制显示单元执行应用。 （附图标记）（505）输出图标; （510）图标是否触动？ （515）执行相应的功能; （523）显示预览图像; （526）应用执行条件是否匹配？ （530）执行应用程序，显示执行画面; （AA）开始; （BB）结束
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公开(公告)号：KR100317239B1
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：KR1019980041624
申请日：1998-10-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: G01K1/08
Abstract: 목적: 가열로의 열팽창에 대응하여 자유로이 신축되는 구조인 가열로 온도검출용 스파이크형 열전대 소자를 제공한다.
구성: 공정의 온도프로파일을 위해 가열로에 설치되며 온도에 따라 가변된 전기적 신호를 검출하는 가열로 온도검출용 스파이크형 열전대 소자에 있어서, 2종 금속이 접합되어 형성되며 그 접합부위가 측온접점인 열전대 소선(素線), 상기 열전대 소선의 형태를 유지하면서 내부 수용하는 보호관, 상기 보호관의 외주연에 소정위치로 결합되는 코어, 상기 보호관이 출입되는 관통공이 형성되며, 상기 코어를 내부로 슬라이딩 가능하게 내재하기 위한 중공이 형성된 단자함, 외부 배선을 위해 상기 단자함의 소정위치에 설치되며 상기 열전대 소선과 연결되는 복수의 단자 및 상기 중공의 단부와 상기코어의 사이에 개재되어 상기 코어를 탄지하는 탄지수단으로 구성된다.
효과: 가열로의 열팽창에 따라 신축되는 동시에 자동으로 본래 위치에 복귀되는 구조이므로 보호관의 이탈 및 파괴가 방지되고 항상 제 위치의 온도검출에 의해 가열로의 온도 프로파일을 정확히 할 수 있도록 한다.-
公开(公告)号：KR100144901B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950009637
申请日：1995-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: G11C7/00
Abstract: 본 발명은 트리플 포트를 가진 디램 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히, 외측 블럭들은 M/2컬럼 * N로우 더미 셀어레이를 가지는 홀수배의 M컬럼 * N로우 셀어레이 블럭들; 인접하는 한 쌍의 M컬럼 * N로우 셀어레이 블럭들 사이에 배치되어 셀어레이 블럭들의 동일 입출력라인을 사용하는 각 M/2컬럼 셀어레이들에 공통으로 연결되고, M/2컬럼 데이타 비트를 가지는 짝수배의 공통 입출력부들을 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 셀어레이 코아부 면적을 축소할 수 있어서 칩사이즈를 줄일 수 있다.-
公开(公告)号：KR100142954B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019950007530
申请日：1995-03-31
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: G11C11/40
Abstract: 본 발명은 다이나믹 램의 메모리쎌 어레이의 복수개의 칼럼어드레스에 대응하는 복수개의 데이터비트를 가지는 시리얼억세스메모리와, 상기 메모리쎌어레이의 복수개의 칼럼어드레스에 대응하는 복수개의 데이터 비트를 가지는 비트마스크레지스터를 가지는 반도체메모리장치에 관한 것으로서, 상기 메모리쎌어레이와 상기 시리얼 억세스 메모리간의 데이터 전송과 상기 메모리쎌어레이와 상기 비트마스크레지스터간의 데이터전송과 상기 시리얼 억세스메모리와 상기 비트마스크레지스터간의 데이터전송에서 공유되며 상기 칼럼어드레스에 대응하는 복수개의 공통전송버스와, 상기 시리얼억세스메모리쎌과 상기 공통전송버스에 연결되며 상기 칼럼어드레스에 대응하는 복수개의 전송트랜지스터와, 상기 복수개의 전송트랜지스터들을 제어하며 상기 칼럼어드레스에 대응하는 복수개의 전송제어회로를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019970012698A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950024718
申请日：1995-08-10
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
반도체 메모리장치
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 메모리장치에서 센싱구간에서 설정된 시간 동안 입출력라인의 센싱 동작을 수행하며, 설정 시간의 지나면 나머지 센싱주기에서 프라차지 동작을 수행하여 사이클 시간을 개선함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
입출력라인의 센싱구간 및 프리차지구간을 제어하는 클럭신호에 동기되어 데이타의 출력을 제어하는 반도체 메모리장치가, 비트라인에 연결되는 메모리어레이와, 비트라인과 입출력라인 사이에 연결되며 컬럼선택신호에 의해 비트라인과 입출력라인을 연결하는 컬럼선택수단과, 입출력라인에 연결되며 센싱활성화신호에 의해 입출력라인의 전압을 센싱 및 증폭하여 출력데이타로 래치하는 센스앰프수단과, 클럭신호를 입력으로 하며, 클럭신호의 센싱구간 시작시점에서 펄스신호를 발생하는 수단과, 지연수단을 구비하고 펄스신호를 입력으로 하며, 펄스신호가 발생되어 센싱구간가 시작되는 천이시점에서 컬럼선택신호 및 센싱활성화신호를 활성화시키고 프리차지신호를 비활성화시키며, 지연수단에 의해 설정되는 지연펄스 신호 발생시 컬럼선 택신호 및 센싱활성화 신호를 비활성화시키고 프리차지 신호를 발황화시키는 제어수단으로 구성되어, 클럭신호의 센싱구간에서 제어 수단에 의해 설정된 시간동안 입출력라인의 센싱전압이 적정 레벨로 디벨로프된 후 센싱 동작을 중단하고 프리차지 등으로 천이시킨다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 메모리장치에서 억세스시간에 손실이 없으면서 사이클시간 중 최대의 프리차지시간을 갖도록 하므로서, 데이타 출력 동작을 안정화시킬 수 있음.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100107367B1
公开(公告)日：1996-11-07
申请号：KR1019930026144
申请日：1993-12-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이정혁
IPC: G11C11/407
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公开(公告)号：KR100106067B1
公开(公告)日：1996-10-14
申请号：KR1019940001465
申请日：1994-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/407
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公开(公告)号：KR101868920B1
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：KR1020110055722
申请日：2011-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C8/10 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/75
Abstract: 저항성메모리장치및 그에따른센싱마진트리밍방법이개시된다. 그러한저항성메모리장치는, 메모리셀 어레이및 트리밍회로를포함한다. 메모리셀 어레이는복수의저항성메모리셀들을구비하며, 트리밍회로는상기저항성메모리셀들의특성분포시프트값에따라트리밍신호를생성한다. 본발명의실시예적구성에따르면, 메모리셀들의특성분포가변화되더라도센싱마진이안정적으로확보되므로리드동작에러가최소화또는감소된다. 따라서, 저항성메모리장치의제조수율이높아진다.
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公开(公告)号：KR101724084B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020110019098
申请日：2011-03-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L22/14 , H01L22/20 , H01L27/101 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 팹아웃이후에상변화물질층을조밀화할수 있는반도체소자의제조방법을제공한다. 본발명의기술적사상에따른반도체소자의제조방법은웨이퍼를준비하는단계; 상기웨이퍼상에상변화물질층을포함하는메모리소자를형성하는단계; 상기웨이퍼를팹아웃(Fab-Out) 하는단계; 및상기상변화물질층을조밀화하기위하여상기웨이퍼에대하여열처리공정을진행하는단계;를포함한다.
Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件能够在晶圆厂退出之后使相变材料层致密化。 根据本发明的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：准备晶片; 在晶片上形成包括相变材料层的存储元件; Fab-Out晶圆; 并且在晶片上执行热处理工艺以使相变材料层致密化。
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