公开(公告)号：KR1020170084519A

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：KR1020160003639

申请日：2016-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이하라,히사노리

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14868

Abstract: 본발명에따른이미지센서는로직회로들을포함하는하부기판; 및픽셀들을갖는상부기판을포함할수 있다. 상부기판에제공되는트랜지스터들각각은서로동일한도전형을가질수 있다. 상기각각의트랜지스터는상기상부기판내에제공되는소스/드레인영역들; 상기상부기판상에배치되는상부게이트; 및상기상부기판및 상기상부게이트사이에배치되고, 상기하부기판및 상기상부게이트와물리적으로접촉하는실리콘산화막을포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的图像传感器包括：包括逻辑电路的下基板; 和具有像素的上基板。 设置在上基板上的每个晶体管可以具有彼此相同的导电类型。 每个晶体管包括设置在顶部衬底中的源极/漏极区域; 设置在上基板上的上栅极; 以及设置在上基板和上栅极之间并与下基板和上栅极物理接触的氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020170084734A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：KR1020160003637

申请日：2016-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이하라,히사노리 ,  안정착

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H04N5/37455 ,  H04N5/3765 ,  H04N5/378

Abstract: 본발명의실시예에따른씨모스이미지센서를제공한다. 씨모스이미지센서는제 1 면및 상기제 1 면과대향하는제 2 면을가지고, 상기제 1 면에서상기제 2 면을향해함몰된제 1 리세스영역을가지는기판, 상기기판상에배치되는트랜스퍼게이트및 상기제 1 리세스영역에배치되는소스팔로워게이트를포함하고, 상기소스팔로워게이트는상기제 1 리세스영역에삽입되고, 상기기판의상기제 1 면의일부를덮는다.

Abstract translation: 它根据本发明的一个实施例提供了一种CMOS图像传感器。 CMOS图像传感器具有一个第一表面和具有面向过所述第一表面的第二表面，具有一第一凹陷区朝向从第一面第二面凹陷的基板，转移被放置在基片上 栅极和设置在源极跟随器栅极，所述第一凹入区域，以及其中，所述源极跟随器栅极被插入到第一凹部区域，并覆盖衬底的第一表面的一部分。

公开(公告)号：KR102209097B1

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：KR1020140023278

申请日：2014-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이하라,히사노리

IPC: H01L27/146

Abstract: 본발명은이미지센서및 이의제조방법을제공한다. 이이미지센서에서는광전변환부의측면과바닥면에인접하도록고정전하막이배치된다.

公开(公告)号：KR102087112B1

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：KR1020130045027

申请日：2013-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이하라,히사노리

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：KR1020160019264A

公开(公告)日：2016-02-19

申请号：KR1020140103787

申请日：2014-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이하라,히사노리

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641

Abstract: 씨모스이미지센서가제공된다. 씨모스이미지센서는기판내에배치되며, 제 1 픽셀영역및 제 2 픽셀영역을정의하는제 1 소자분리막, 상기제 1 및제 2 픽셀영역들각각에서제 1 활성부및 제 2 활성부를정의하는제 2 소자분리막, 상기제 1 픽셀영역의상기제 2 활성부상에배치되는리셋게이트및 선택게이트, 및상기제 2 픽셀영역의상기제 2 활성부상에배치되는소스팔로워게이트를포함하되, 상기소스팔로워게이트의길이는상기리셋게이트및 상기선택게이트들의길이들보다클 수있다.

Abstract translation: 提供了CMOS图像传感器。 CMOS图像传感器包括布置在基板中并限定第一像素区域和第二像素区域的第一器件隔离层; 第二装置隔离层，分别限定第一和第二像素中的第一有源部分和第二有源部分; 复位栅极和选择栅极，其布置在第一像素区域的第二有源部分上; 以及设置在第二像素区域的第二有源部分上的源极跟随器栅极。 源极跟随器栅极的长度可以比​​复位栅极和选择栅极的长度长。

公开(公告)号：KR1020150101681A

公开(公告)日：2015-09-04

申请号：KR1020140023278

申请日：2014-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이하라,히사노리

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14638 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: 본 발명은 이미지 센서 및 이의 제조 방법을 제공한다. 이 이미지 센서에서는 광전변환부의 측면과 바닥면에 인접하도록 고정 전하막이 배치된다.

Abstract translation: 本发明提供一种图像传感器及其制造方法。 在图像传感器中的光电转换单元的底侧和侧面附近设置固定电荷层。

公开(公告)号：KR1020140126622A

公开(公告)日：2014-10-31

申请号：KR1020130045027

申请日：2013-04-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이하라,히사노리

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14647

Abstract: 이미지 센서가 제공된다. 상기 이미지 센서는 기판 내에 리세스된 영역에 형성된 제1 서브 게이트, 상기 제1 서브 게이트 상에, 상기 기판의 상면과 접촉하여 형성된 제2 서브 게이트, 및 상기 기판 내에, 상기 제1 서브 게이트와 이격되어 형성된 소자 분리 영역을 포함하고, 상기 제2 서브 게이트의 하면은 상기 제1 서브 게이트의 상면보다 넓고, 상기 소자 분리 영역의 일부는, 상기 제2 서브 게이트가 있는 영역으로부터 제1 방향으로 제1 거리만큼 이격된다.

Abstract translation: 提供图像传感器。 图像传感器包括：形成在基板中的凹陷区域上的第一子栅极; 形成为与所述第一子栅极上的所述基板的上表面接触的第二子栅极; 以及与衬底中的第一子栅极分开形成的器件隔离区。 第二子栅极的下表面比第一子栅极的上表面宽。 器件隔离区域的一部分在与第一第二子栅极存在的区域的第一方向上间隔一定距离。