公开(公告)号：KR102249196B1

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：KR1020140134127

申请日：2014-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장종광 ,  강성우 ,  김충환 ,  오영묵 ,  이서범 ,  임가현

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/76

Abstract: 본발명은반도체소자의미세패턴형성을위한식각공정의제어방법에관한것으로, 기판상에복수의개구부들을갖는하부패턴을형성하는것, 상기하부패턴의선폭값을획득하는것 및상기선폭값을이용하여상기하부패턴의형성을위한식각공정의공정조건을제어하는것을포함하는반도체소자의미세패턴의형성을위한식각공정의제어방법이제공된다.

公开(公告)号：KR1020160041104A

公开(公告)日：2016-04-18

申请号：KR1020140134127

申请日：2014-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장종광 ,  강성우 ,  김충환 ,  오영묵 ,  이서범 ,  임가현

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/76

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/3085 ,  H01L22/12 ,  H01L27/1104 ,  H01L21/0274

Abstract: 본발명은반도체소자의미세패턴형성을위한식각공정의제어방법에관한것으로, 기판상에복수의개구부들을갖는하부패턴을형성하는것, 상기하부패턴의선폭값을획득하는것 및상기선폭값을이용하여상기하부패턴의형성을위한식각공정의공정조건을제어하는것을포함하는반도체소자의미세패턴의형성을위한식각공정의제어방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成半导体器件的精细图案的蚀刻工艺控制方法。 蚀刻工艺控制方法包括以下步骤：在衬底上形成具有多个开口的下部图案; 获取下图案的线宽值; 以及通过使用线宽值来控制用于形成下部图案的蚀刻处理的处理条件。 因此，可以改善半导体器件的细颗粒之间的接触故障。