公开(公告)号：KR102227128B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020140117063A

申请日：2014-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정수연 ,  이동구 ,  이태종 ,  임재포

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7831 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/7848

Abstract: 소오스/드레인으로 사용되는 에피택셜막의 씨드 역할을 하는 핀의 높이를 줄여줌으로써, 소오스/드레인의 크기를 감소시키고 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 장치 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 반도체 장치는 기판 상에 형성되고, 제1 방향으로 연장되고, 제1 내지 제3 부분을 포함하는 제1 핀형 액티브 패턴으로, 상기 제1 내지 제3 부분은 상기 제1 방향으로 순차적으로 배치되고, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제1 부분의 상면까지의 높이는 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 부분의 상면까지의 높이보다 높고, 상기 기판의 상면으로부터 상기 제2 부분의 상면까지의 높이는 상기 기판의 상면으로부터 상기 제3 부분의 상면까지의 높이보다 높은 제1 핀형 액티브 패턴, 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 부분 상에 형성되는 게이트 전극, 및 상기 제3 부분 상에 형성되는 제1 소오스/드레인을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020160028242A

公开(公告)日：2016-03-11

申请号：KR1020140117063

申请日：2014-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정수연 ,  이동구 ,  이태종 ,  임재포

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1104 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7831

Abstract: 소오스/드레인으로사용되는에피택셜막의씨드역할을하는핀의높이를줄여줌으로써, 소오스/드레인의크기를감소시키고신뢰성을향상시킬수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치는기판상에형성되고, 제1 방향으로연장되고, 제1 내지제3 부분을포함하는제1 핀형액티브패턴으로, 상기제1 내지제3 부분은상기제1 방향으로순차적으로배치되고, 상기기판의상면으로부터상기제1 부분의상면까지의높이는상기기판의상면으로부터상기제2 부분의상면까지의높이보다높고, 상기기판의상면으로부터상기제2 부분의상면까지의높이는상기기판의상면으로부터상기제3 부분의상면까지의높이보다높은제1 핀형액티브패턴, 상기제1 방향과다른제2 방향으로연장되고, 상기제1 부분상에형성되는게이트전극, 및상기제3 부분상에형성되는제1 소오스/드레인을포함한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种半导体器件及其制造方法，其减小了引脚用于作为源极/漏极的外延膜的种子的作用的高度，以减小源极/漏极的尺寸， 提高可靠性。 半导体器件包括：形成在衬底上的第一pin状有源图案沿第一方向延伸，并且包括沿第一方向依次布置的第一至第三部分，并且其中，从 第一部分的上表面的基板高于从基板的上表面到第二部分的上表面的高度，并且从基板的上表面到第二部分的上表面的高度是 高于从所述基板的上表面到所述第三部分的上表面的高度; 在与第一方向不同的第二方向上延伸的栅电极，形成在第一部分上; 以及形成在第三部分上的第一源极/漏极。

公开(公告)号：KR102227128B1

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020140117063

申请日：2014-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정수연 ,  이동구 ,  이태종 ,  임재포

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 소오스/드레인으로사용되는에피택셜막의씨드역할을하는핀의높이를줄여줌으로써, 소오스/드레인의크기를감소시키고신뢰성을향상시킬수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치는기판상에형성되고, 제1 방향으로연장되고, 제1 내지제3 부분을포함하는제1 핀형액티브패턴으로, 상기제1 내지제3 부분은상기제1 방향으로순차적으로배치되고, 상기기판의상면으로부터상기제1 부분의상면까지의높이는상기기판의상면으로부터상기제2 부분의상면까지의높이보다높고, 상기기판의상면으로부터상기제2 부분의상면까지의높이는상기기판의상면으로부터상기제3 부분의상면까지의높이보다높은제1 핀형액티브패턴, 상기제1 방향과다른제2 방향으로연장되고, 상기제1 부분상에형성되는게이트전극, 및상기제3 부분상에형성되는제1 소오스/드레인을포함한다.