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公开(公告)号：WO2017023008A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：PCT/KR2016/008219
申请日：2016-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R19/165 , H05B6/062 , H05B2213/05 , Y02B40/126
Abstract: 본 발명의 유도 가열 장치는 선택 가능한 복수 개의 공진 주파수를 갖는 코일 구동부, 및 코일 구동부를 제어하는 제어부를 포함하되, 코일 구동부는 제어부의 제어 신호에 따라 코일을 구동한다. 코일 구동부를 유도 가열 장치에 구비해 사용자가 다양한 공진 주파수를 선택할 수 있도록 함으로써, 사용자의 편의성을 제공한다. 또한, 상기 유도 가열 장치는 선택된 회로의 공진 주파수에 따라 코일에 흐르는 고주파 전류의 범위를 다르게 할 수 있으므로, 사용자가 코일 발열량을 다양한 방법으로 조절할 수 있게 한다.
Abstract translation: 根据本发明的感应加热装置包括：具有多个可选谐振频率的线圈驱动单元; 以及控制单元，用于控制线圈驱动单元，其中线圈驱动单元根据控制单元的控制信号驱动线圈。 线圈驱动单元设置到感应加热装置，使得用户可以选择各种谐振频率，从而提供用户便利。 此外，感应加热装置可以根据所选择的电路谐振频率来改变流过线圈的高频电流的范围，因此用户可以用各种方法来调节线圈的发热值。
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公开(公告)号：KR100227825B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019960040945
申请日：1996-09-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N1/32
Abstract: 반도체제품의 특정 영역에서 발생된 불량을 분석하기 위하여 시료를 제작할 때 도전성 물질을 집속 이온 빔 연마 전에 증착시켜 이온빔연마 및 분석시 발생되는 전하 충전을 방지하도록 개선시킨 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 소정 크기로 절단 및 그라인딩 된 시료를 그리드에 접착한 후 상기 시료의 측정 포인트를 집속 이온 빔(Focused Ion Beam) 방식으로 전하가 투과가능한 두께로 연마한 후 분석하는 투과전자현미경 분석시료 제조 방법에 있어서, 상기 분석시료의 표면에 도전성 물질을 형성한 후 상기 연마 공정을 수행하도록 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 절연층을 포함한 모든 반도체제품의 불량에 대해서 정확한 TEM 분석이 가능하고 그 결과 반도체제품의 생산성을 향상시킬수 있는 효과가 있으며, FIB 연마에서의 충전이 방지되므로 TEM 분석을 위한 정확한 시료의 제조가 용이한 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980068319A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004839
申请日：1997-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 임창섭
IPC: H01L21/02
Abstract: 본 발명은 CMP 슬러리와 같은 액상의 시료에 대한 물질 특성 분석이 용이하도록 한 투과전자현미경(TEM)용 CMP 슬러리의 시료 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 투과전자현미경(TEM)용 시료를 제조하는 방법에 있어서, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 슬러리 시료를 준비하는 단계와; 상기 시료를 소정의 접착 성분(glue)에 담가 희석하는 단계와; 상기 시료가 희석된 상기 접착 성분을 더미 웨이퍼(dummy wafer) 표면에 코팅하는 단계와; 상기 코팅된 더미 웨이퍼를 접합한 후, 건조(dry)시키는 단계로 이루어진 투과전자현미경용 CMP 슬러리의 시료 제조방법을 개시한다.-
公开(公告)号：KR1019890004873B1
公开(公告)日：1989-11-30
申请号：KR1019870006723
申请日：1987-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: The optimization of the initial oxygen concentration of semiconductor in low teperature process is made by using the back side damage wafer for extrinsic gettering effect. The initial oxygen concentration of the used silicon wafer is 13-14 P.P.M.A. (part per million atom). As the result, the refresh-time is increased to 25-80msec, and the SER (soft error rate ) is decreased by 30-40%.
Abstract translation: 通过使用背面损伤晶片进行外部吸杂效应，可以优化低温半导体的初始氧浓度。 所使用的硅晶片的初始氧浓度为13-14P.M.A. （百万分之一原子）。 结果，刷新时间增加到25-80msec，SER（软错误率）降低了30-40％。
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公开(公告)号：KR200124877Y1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR2019940025706
申请日：1994-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N23/22 , G01N23/225
Abstract: 신규한 시료 분석 장치가 개시되어 있다. 상기 시료 분석 장치는, 시료와, 상기 시료를 지지하는 홀더와, 상기 시료의 상부표면에 접속하는 프로브와, 상기 프로브를 지지하며 상기 홀더에 부착되는 프로빙 홀더를 구비한다. 상기 프로빙 홀더를 이용하여 시료 표면에 차아지 업된 전하들을 접지선으로 흘러나가게 함으로써 차아징 효과를 제거할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019920008040B1
公开(公告)日：1992-09-21
申请号：KR1019900008200
申请日：1990-05-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/30 , H01L21/324
Abstract: The method treats silicon wafer with a high temperature before memory integrting process to improve the quality of memory device. The method comprises the first process for heating the wafer at about 1150 deg.C for an hour under O2 and N2 circumstance, the second process for heating the wafer at about 700 deg.C for 10 hours, the third process for heating the wafer at about 950 deg.C, for four hours, and the fourth process for heating the wafer at about 150 deg.C for 1 hours.
Abstract translation: 该方法在存储器整合过程之前处理高温硅晶片，以提高存储器件的质量。 该方法包括在O 2和N 2情况下在约1150℃加热晶片1小时的第一种方法，第二种在约700摄氏度下加热晶片10小时的方法，第三种方法是将晶片加热 约950℃，4小时，以及在约150℃下加热晶片1小时的第四种方法。
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公开(公告)号：KR1020170016608A
公开(公告)日：2017-02-14
申请号：KR1020150109905
申请日：2015-08-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R19/165 , H05B6/062 , H05B2213/05 , Y02B40/126
Abstract: 유도가열장치는선택가능한복수개의공진주파수를갖는코일구동부, 및코일구동부를제어하는제어부를포함하되, 코일구동부는제어부의제어신호에따라코일을구동한다.
Abstract translation: 根据本发明的感应加热装置包括：具有多个可选谐振频率的线圈驱动单元; 以及控制单元，用于控制线圈驱动单元，其中线圈驱动单元根据控制单元的控制信号驱动线圈。 线圈驱动单元设置到感应加热装置，使得用户可以选择各种谐振频率，从而提供用户便利。 此外，感应加热装置可以根据所选择的电路谐振频率来改变流过线圈的高频电流的范围，因此用户可以用各种方法来调节线圈的发热值。
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