公开(公告)号：KR1020000067356A

公开(公告)日：2000-11-15

申请号：KR1019990015089

申请日：1999-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김경환 ,  최우영 ,  장민우 ,  이강윤 ,  박종우

IPC: H01L21/334

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing MOS(Metal Oxide Semiconductor) transistor with ESD(Elevated Source/Drain) is provided to improve hot carrier effect and short channel effect, and to reduce a photo lithography process by implanting ions for a source and a drain at a same time. CONSTITUTION: A device isolation area(52) is formed on a semiconductor substrate(50) by a shallow trench isolation process. A first nitride layer(54) and an oxidation is laminated on the isolation layer(52). An opening area(56a) is made by etching the oxidation layer(56), the first nitride layer(54), and the substrate(50). A second nitride layer is doped, and through etchback process, a first nitride spacer(58) is build on the side of opening area(56a). Impurity ions are implanted in the substrate. After removing the first nitride spacer(58), a second nitride spacer(62) is created on the side of opening area(56a). Including the opening area(56a), a conduction layer(64) is vapored on the oxidation layer(56). Until exposing the top of the second nitride spacer(62), the conduction layer(64) is etched. The oxidation layer(56) is etched using the second nitride spacer(62) and the conduction layer(64) as etching masks. For making source and drain area(66), ion implantation method is executed. After being doped a third nitride layer(67), a spacer(68) is build on the side of the second nitride spacer(62).

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有ESD（高源/漏极）的MOS（金属氧化物半导体）晶体管的方法，以改善热载流子效应和短沟道效应，并通过在源极和漏极处注入离子来减少光刻工艺 同时。 构成：通过浅沟槽隔离工艺在半导体衬底（50）上形成器件隔离区（52）。 第一氮化物层（54）和氧化层压在隔离层（52）上。 通过蚀刻氧化层（56），第一氮化物层（54）和基板（50）来制造开口区域（56a）。 掺杂第二氮化物层，并且通过回蚀工艺，第一氮化物间隔物（58）构建在开口区域（56a）的一侧。 杂质离子植入基片中。 在去除第一氮化物间隔物（58）之后，在开口区域（56a）侧产生第二氮化物间隔物（62）。 包括开口区域（56a），在氧化层（56）上蒸发导电层（64）。 在暴露第二氮化物间隔物（62）的顶部之前，蚀刻导电层（64）。 使用第二氮化物间隔物（62）和导电层（64）作为蚀刻掩模来蚀刻氧化层（56）。 为了制造源极和漏极区域（66），执行离子注入方法。 在掺杂第三氮化物层（67）之后，在第二氮化物间隔物（62）的侧面上建立间隔物（68）。