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    반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법
    1.
    发明公开
    반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 无效
    半导体存储器件及其程序方法

    公开(公告)号：KR1020090006637A

    公开(公告)日：2009-01-15

    申请号：KR1020070070166

    申请日：2007-07-12

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장세정

    IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G11C16/06

    CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F3/0679 ,  G11C16/10

    Abstract: A semiconductor memory device and a program method thereof are provided to prevent stress of a memory cell due to repetitive program by using a buffer memory. Data corresponding to logic sector number(a~d) is successively inputted. Each data occupies one sector. The logic sector number(a) is converted to a physical sector number(0) by a flash translation layer according to write request of data corresponding to the logic sector number(a). Data corresponding to the physical sector number(0) is stored in a buffer memory. The buffer memory is comprised of a buffer page. The buffer page includes buffer sectors. Until data of one page is stored in the buffer memory, data corresponding to logic sector number(b~d) is stored in the buffer memory.

    Abstract translation: 提供半导体存储器件及其程序方法，以通过使用缓冲存储器来防止由于重复程序引起的存储单元的应力。 依次输入对应于逻辑扇区号（a〜d）的数据。 每个数据占据一个扇区。 根据对应于逻辑扇区号（a）的数据的写请求，通过闪存转换层将逻辑扇区号（a）转换为物理扇区号（0）。 对应于物理扇区号（0）的数据被存储在缓冲存储器中。 缓冲存储器由缓冲器页面组成。 缓冲区包括缓冲区。 直到一页的数据被存储在缓冲存储器中，对应于逻辑扇区号（b〜d）的数据被存储在缓冲存储器中。

    데이터 신뢰성에 따라 동작 조건을 변경하는 저장 장치의 동작 방법
    3.
    发明公开
    데이터 신뢰성에 따라 동작 조건을 변경하는 저장 장치의 동작 방법 审中-实审
    根据数据可靠性操作存储设备更换操作条件的方法

    公开(公告)号：KR1020170024225A

    公开(公告)日：2017-03-07

    申请号：KR1020150118998

    申请日：2015-08-24

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 문상권 ,  장세정 ,  이희원

    IPC: G06F12/02 ,  G06F3/06

    CPC classification number: G11C16/3495 ,  G06F11/008 ,  G06F11/073 ,  G06F11/0754 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10 ,  G11C16/12 ,  G11C16/16 ,  G11C16/26 ,  G11C16/349 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42

    Abstract: 본발명의실시예에따른플래시메모리를포함하는저장장치의동작방법은, 상기플래시메모리의데이터신뢰도(DRL; data reliability level)를결정하는단계, 그리고상기데이터신뢰도(DRL)와변경기준을비교하고, 비교결과상기데이터신뢰도(DRL)가상기변경기준보다낮아지면, 상기플래시메모리의데이터신뢰도(DRL)을증가하기위해상기플래시메모리의동작조건(operation condition)을변경하는단계를포함한다. 본발명의실시예에따른저장장치는메모리블록의데이터신뢰도(DRL; data reliability level)를관리함으로, 플래시메모리의데이터신뢰성을높일수 있다. 본발명에의하면, 소거나프로그램또는읽기동작시에플래시메모리의동작조건을변경함으로, 플래시메모리의데이터신뢰성을높일수 있다.

    Abstract translation: 一种用于操作包括闪速存储器的存储设备的方法，包括：确定闪速存储器的数据可靠性水平; 将数据可靠性水平与阈值进行比较; 以及当闪速存储器的数据可靠性水平低于阈值时，改变闪速存储器的操作状态以提高闪速存储器的数据可靠性水平。

    다중 채널 플래시 메모리 시스템 및 그것의 액세스 방법
    5.
    发明公开
    다중 채널 플래시 메모리 시스템 및 그것의 액세스 방법 无效
    多通道闪存存储器系统及其访问方法

    公开(公告)号：KR1020090087689A

    公开(公告)日：2009-08-18

    申请号：KR1020080013092

    申请日：2008-02-13

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 장세정 ,  오문욱 ,  이양섭

    IPC: G06F12/00 ,  G06F13/00

    CPC classification number: G06F13/4239

    Abstract: A multichannel flash memory system and an access method thereof are provided to improve the access performance by efficiently using channel. Flash memories(400_0~400_N-1) have a plurality of pages consisting of a plurality of sectors. Channels(10_0~10_N-1) respectively correspond to the flash memories. An interface device(300) accesses the flash memories in one or more sector units through the channels, and divides an address into a plurality of sector unit addresses. So that the divided each address can be jumped as much as predetermined size, the interface device controls the addresses.

    Abstract translation: 提供多通道闪速存储器系统及其访问方法以通过有效地使用信道来改善访问性能。 闪存（400_0〜400_N-1）具有由多个扇区组成的多页。 通道（10_0〜10_N-1）分别对应闪存。 接口设备（300）通过信道以一个或多个扇区单元访问闪速存储器，并将地址划分为多个扇区单元地址。 因此，分割的每个地址可以跳到预定的大小，接口设备控制地址。

    비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법
    6.
    发明公开
    비휘발성 메모리 장치 및 그 구동 방법 审中-实审
    非挥发性记忆体装置及其操作方法

    公开(公告)号：KR1020160004073A

    公开(公告)日：2016-01-12

    申请号：KR1020140082475

    申请日：2014-07-02

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 김동건 ,  안성준 ,  김현석 ,  노양우 ,  배성환 ,  이종열 ,  장세정

    IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

    CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C16/0483 ,  G11C29/021 ,  G11C29/025 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/1202 ,  G11C2029/4402

    Abstract: 비휘발성메모리장치및 그구동방법이제공된다. 상기비휘발성메모리장치의구동방법은제1 및제2 다이(die)와, 상기제1 및제2 다이각각에대한초기리드레벨을제공하고, 상기제1 다이에대한프로그램이완료된시점부터경과한시간을고려하여산출된제1 오프셋을바탕으로, 상기제1 다이에대한초기리드레벨를제1 리드레벨로변경하고, 상기제2 다이에대한프로그램이완료된시점부터경과한시간을고려하여산출된제2 오프셋을바탕으로, 상기제2 다이에대한초기리드레벨를제2 리드레벨로변경하고, 상기제1 리드레벨을이용하여상기제1 다이에저장된데이터를리드하거나, 상기제2 리드레벨을이용하여상기제2 다이에저장된데이터를리드하는것을포함한다.

    Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其操作方法。 用于操作非易失性存储器件的方法包括以下步骤：为第一和第二管芯中的每一个提供第一和第二管芯和初始读取电平; 基于从第一管芯上的程序完成时间起经过的时间计算出的第一偏移，将第一管芯的初始读取电平改变到第一读取电平; 基于从第二模具上的程序完成时间起经过的时间计算出的第二偏移，将第二管芯的初始读取电平改变为第二读取电平; 以及使用第一读取级别读取存储在第一管芯中的数据，或者使用第二读取级别读取存储在第二管芯中的数据。

    메모리 시스템 및 그것의 데이터 저장 방법
    8.
    发明公开
    메모리 시스템 및 그것의 데이터 저장 방법 无效
    存储系统及其数据存储方法

    公开(公告)号：KR1020090102192A

    公开(公告)日：2009-09-30

    申请号：KR1020080027480

    申请日：2008-03-25

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정명수 ,  김성철 ,  박찬익 ,  장세정

    IPC: G06F12/00 ,  G06F9/42

    CPC classification number: G06F12/0804 ,  G06F2212/2022 ,  G06F2212/214 ,  G06F12/00 ,  G06F9/06

    Abstract: PURPOSE: A memory system and a data storing method thereof are provided to change indirect information for user's convenience and assign an index function of information based on the changed information, thereby maximizing usability of electronic dictionary information. CONSTITUTION: A memory system includes a memory device(110) and a memory controller. The memory device has a cache area(112) and a main area(111). The memory controller controls an operation of the memory device. The memory controller dumps file data in the cache area in response to a flush cache command.

    Abstract translation: 目的：提供一种存储系统及其数据存储方法，以便用户方便地更改间接信息，并根据改变的信息分配信息的索引函数，从而最大化电子词典信息的可用性。 构成：存储器系统包括存储器件（110）和存储器控制器。 存储装置具有缓存区域（112）和主区域（111）。 存储器控制器控制存储器件的操作。 内存控制器将缓冲区中的文件数据转储为flush flush命令。

    메모리 시스템 및 그것의 데이터 저장 방법
    9.
    发明公开
    메모리 시스템 및 그것의 데이터 저장 방법 有权
    存储系统和数据存储方法

    公开(公告)号：KR1020080074584A

    公开(公告)日：2008-08-13

    申请号：KR1020070013894

    申请日：2007-02-09

    Applicant: 삼성전자주식회사

    Inventor： 정명수 ,  장세정 ,  박찬익

    IPC: G11C16/10

    CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F3/0605 ,  G06F3/0643 ,  G06F3/0679 ,  G11C2211/5641

    Abstract: A memory system and a data storing method thereof are provided to manage data efficiently, by storing corresponding data to a proper memory region. A first memory region(232) stores data of a first kind. A second memory region(234) stores data of a second kind. A host(210) inputs/outputs data to/from the first and the second memory region, and transmits the data to the first and the second memory region by filtering the data into the data of the first or second kind. The data is filtered on the basis of a symbol in the host. The first and the second memory region are a flash storing device and a HDD(Hard Disk Driver).

    Abstract translation: 提供存储器系统及其数据存储方法，通过将相应的数据存储到适当的存储器区域来有效地管理数据。 第一存储器区域（232）存储第一存储器区域的数据。 第二存储器区域（234）存储第二存储器区域的数据。 主机（210）向/从第一和第二存储器区域输入/输出数据，并且通过将数据过滤到第一和第二类型的数据中来将数据发送到第一和第二存储器区域。 基于主机中的符号对数据进行过滤。 第一和第二存储器区域是闪存存储设备和HDD（硬盘驱动器）。

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