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公开(公告)号：WO2022250291A1
公开(公告)日：2022-12-01
申请号：PCT/KR2022/005411
申请日：2022-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 다양한 실시 예에 따르면, 케이스는, 베이스 플레이트; 상기 베이스 플레이트에 관통 형성되는 홀; 상기 베이스 플레이트의 일면에 형성되고, 복수 개의 마루와 복수 개의 산을 포함하는 패턴; 상기 홀 및 패턴 사이에 형성되는 경사 영역; 및 상기 경사 영역 및 홀 사이에 형성되는 적어도 하나의 단차를 포함하고, 상기 경사 영역이 상기 홀의 중심축과 이루는 각도인 제 1 각도는, 상기 홀을 통한 화각인 제 2 각도 보다 클 수 있다. 그 외에도 다양한 실시 예들이 가능하다.
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公开(公告)号：WO2023063536A1
公开(公告)日：2023-04-20
申请号：PCT/KR2022/010197
申请日：2022-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은, 다양한 가전기기의 외관에 적용할 수 있는 반사율 및 내구성이 우수한 가전기기용 외장 패널, 외장 패널을 포함하는 가전기기 및 외장 패널의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 상기 가전기기용 외장 패널은 일면에 소정의 폭 및 깊이를 갖는 음각 패턴이 형성되고, 상기 음각 패턴의 표면을 따라 미세 요철이 형성된 알루미늄 기판; 상기 음각 패턴에 형성된 다공성 산화알루미늄 층; 및 상기 다공성 산화알루미늄 층의 복수의 기공을 막도록 형성된 실링층을 포함하며, 상기 알루미늄 기판의 테두리는 챔퍼링(Chamfering; C) 형상 또는 라운딩(Rounding; R) 형상을 가진다.
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公开(公告)号：KR101660243B1
公开(公告)日：2016-09-27
申请号：KR1020100055776
申请日：2010-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/11519
Abstract: 비휘발성메모리장치가제공된다. 비휘발성메모리장치는기판에정의되는다수의액티브영역으로서, 다수의액티브영역은제1 방향으로나란하게연장되어형성된다수의액티브영역, 기판상부에제1 방향과수직인제2 방향으로연장되어형성된선택라인, 기판상부에제2 방향으로연장되어형성된제1 및제2 유전층패턴, 제1 및제2 유전층패턴하부에각각제1 및제2 유전층패턴에정렬되게형성된제1 및제2 플로팅게이트패턴, 및제1 및제2 유전층패턴상부에각각제1 및제2 유전층패턴에정렬되게형성된제1 및제2 워드라인을포함하되, 제1 유전층패턴과제1 플로팅게이트패턴이접촉하는제1 접촉면적은제2 유전층패턴과제2 플로팅게이트패턴이접촉하는제2 접촉면적보다작다.
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公开(公告)号：KR1020110136021A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020100055776
申请日：2010-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/11519 , H01L21/28273 , H01L21/31051 , H01L21/76205
Abstract: PURPOSE: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to reduce the coupling of a first word line and a select line. CONSTITUTION: A select line is formed to be extended to a second direction which is vertical with a first direction on the upper side of a substrate. A first dielectric layer pattern(130) and a second dielectric layer pattern are formed to be extended to the second direction on the upper side of a substrate. A first plotting gate pattern(120) and a second plotting gate pattern are respectively arranged in the lower side of the first dielectric layer pattern and the second dielectric layer pattern. First and second word lines are respectively formed on the upper side of the first dielectric layer pattern and the second dielectric layer pattern. A first contacting area in which the first dielectric layer pattern and the first plotting gate pattern are contacted is bigger than a second contacting area in which the second dielectric layer pattern and the second plotting gate pattern are contacted.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，以减少第一字线和选择线的耦合。 构成：选择线形成为延伸到在衬底的上侧上与第一方向垂直的第二方向。 第一电介质层图案（130）和第二电介质层图案形成为在衬底的上侧延伸到第二方向。 在第一介电层图案和第二介电层图案的下侧分别布置有第一绘图栅极图案（120）和第二绘图栅极图案。 第一和第二字线分别形成在第一介电层图案和第二介电层图案的上侧。 第一电介质层图案和第一绘图栅极图案接触的第一接触区域大于第二介电层图案和第二绘图门图案接触的第二接触区域。
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