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公开(公告)号：KR100594276B1
公开(公告)日：2006-06-30
申请号：KR1020040037328
申请日：2004-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
Abstract: 큰 아스펙트비 및 작은 CD를 가지는 콘택홀과 같은 리세스 영역을 매립하는 공정을 포함하는 금속 배선 형성 공정에 관하여 개시한다. HCM을 이용하는 스퍼터링 공정에 의하여 메탈릭 모드로 형성된 Ti-리치 TiN막을 형성한다. Ti-리치 TiN막의 증착 시간을 제한하면, 리세스 영역의 외부에서는 비교적 높은 질소 함량을 가지고, 리세스 영역의 내부에서는 비교적 낮은 질소 함량은 가진다. Ti-리치 TiN막을 하지막으로 하여 그 위에 CVD-Al막을 형성함으로써, CVD-Al막의 하지막 의존성에 따라 리세스 영역의 내부에만 선택적으로 Al막이 성장할 수 있도록 한다. CVD-Al막의 하지막 의존성을 유리하게 이용하기 위하여 Ti-리치 TiN막의 증착 시간을 가능한 짧게 설정한다. 그리고, Ti-리치 TiN막 형성 후 진공파괴 없이 인시튜로 CVD-Al막을 형성한다. CVD-Al막 형성시에는 Al 소스의 리세스 영역 외부에서의 반응이 억제된 상태에서 Al 소스가 리세스 영역 내부까지 도달되는 양을 증가시키기 위하여 온도를 가능한 한 낮추고, 증가된 압력 및 캐리어 가스 유량을 적용한다.
Ti-리치 TiN막, CVD-Al, HCM, 하지막 의존성Abstract translation: 公开了一种用于形成诸如具有大纵横比的接触孔和小CD的凹陷区域的工艺。 通过使用HCM的溅射工艺形成以金属模式形成的富Ti TiN膜。 限制富Ti的TiN膜的沉积时间在凹陷区域外具有相对高的氮含量和在凹陷区域内具有相对低的氮含量。 形成富Ti的TiN膜作为基膜，并在其上形成CVD-Al膜，由此根据CVD-Al膜的底层膜依赖性，Al膜可以仅选择性地在凹陷区中生长。 为了有利地利用CVD-Al膜的底层膜依赖性，富Ti的TiN膜的沉积时间尽可能短。 在形成富Ti的TiN膜之后，在没有真空击穿的情况下就地形成CVD-Al膜。 CVD-Al系膜形成是温度当下能够增加Al源的量在所述Al源的凹陷区域外的反应以到达内部凹进区域被抑制状态下，增加的压力和载气流量 已应用。
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公开(公告)号：KR1020050113300A
公开(公告)日：2005-12-02
申请号：KR1020040037328
申请日：2004-05-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
Abstract: 큰 아스펙트비 및 작은 CD를 가지는 콘택홀과 같은 리세스 영역을 매립하는 공정을 포함하는 금속 배선 형성 공정에 관하여 개시한다. HCM을 이용하는 스퍼터링 공정에 의하여 메탈릭 모드로 형성된 Ti-리치 TiN막을 형성한다. Ti-리치 TiN막의 증착 시간을 제한하면, 리세스 영역의 외부에서는 비교적 높은 질소 함량을 가지고, 리세스 영역의 내부에서는 비교적 낮은 질소 함량은 가진다. Ti-리치 TiN막을 하지막으로 하여 그 위에 CVD-Al막을 형성함으로써, CVD-Al막의 하지막 의존성에 따라 리세스 영역의 내부에만 선택적으로 Al막이 성장할 수 있도록 한다. CVD-Al막의 하지막 의존성을 유리하게 이용하기 위하여 Ti-리치 TiN막의 증착 시간을 가능한 짧게 설정한다. 그리고, Ti-리치 TiN막 형성 후 진공파괴 없이 인시튜로 CVD-Al막을 형성한다. CVD-Al막 형성시에는 Al 소스의 리세스 영역 외부에서의 반응이 억제된 상태에서 Al 소스가 리세스 영역 내부까지 도달되는 양을 증가시키기 위하여 온도를 가능한 한 낮추고, 증가된 압력 및 캐리어 가스 유량을 적용한다.
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