-
1.发明公开
公开(公告)号：KR1020120091804A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020110011807
申请日：2011-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L43/02
Abstract: PURPOSE: A magnetic device with vertical magnetic anisotropy using an adjacent amorphous or nano crystal material layer and a manufacturing method thereof are provided to implement a desirable vertical magnetic anisotropy regardless of a texture of a bottom electrode. CONSTITUTION: An amorphous material layer(110) is formed on a substrate(130). The amorphous material layer is made of amorphous metal. A vertical magnetic anisotropic material layer(120) is formed on the amorphous material layer and includes an anti-ferromagnetic material layer. A non-magnetic layer(140) is formed on the vertical magnetic anisotropic material layer.
Abstract translation: 目的：提供使用相邻的非晶或纳米晶体材料层的具有垂直磁各向异性的磁性器件及其制造方法，以实现所希望的垂直磁各向异性，而与底部电极的结构无关。 构成：在衬底（130）上形成无定形材料层（110）。 无定形材料层由非晶态金属制成。 在非晶材料层上形成垂直磁性各向异性材料层（120），并包括反铁磁材料层。 在垂直磁性各向异性材料层上形成非磁性层（140）。
-
公开(公告)号：KR1020110129624A
公开(公告)日：2011-12-02
申请号：KR1020100049113
申请日：2010-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10S977/935
Abstract: PURPOSE: A magnetic tunnel junction device is provided to improve the property of the magnetic tunnel junction device by improving the uniformity of a tunnel insulating layer. CONSTITUTION: In a magnetic tunnel junction device, a free layer(FL) has magnetization in variable direction. A pinned layer(PL) has magnetization in fixed direction. The turner insulating layer is formed between the free layer and the pinned layer. The pinned layer comprises the ferromagnetic films(PL 1,PL 2) and an amorphous metal film(21).
Abstract translation: 目的：提供磁隧道结装置，通过提高隧道绝缘层的均匀性来提高磁隧道结装置的性能。 构成：在磁性隧道结装置中，自由层（FL）具有可变方向的磁化。 钉扎层（PL）在固定方向上具有磁化强度。 转子绝缘层形成在自由层和钉扎层之间。 钉扎层包括铁磁膜（PL 1，PL 2）和非晶金属膜（21）。
-
公开(公告)号：KR101443190B1
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020100049113
申请日：2010-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161
Abstract: 본 발명은 자기 터널 접합 소자에 관한 것이다. 본 발명은 가변 방향으로 자화를 가질 수 있는 자유층; 고정된 방향으로 자화를 갖는 고정층; 및 상기 자유층과 고정층 사이에 형성된 터널 절연막을 포함하고, 상기 고정층은 강자성체막 및 비정질 금속막이 포함된 자기 터널 접합 소자를 제공한다.
본 발명에 의하여 자기 터널 접합 소자의 고정층에 비결정질 금속막을 포함하는 경우, 열처리 공정시 발생할 수 있는 터널 절연막의 불균일성을 개선할 수 있고, 고정층의 하부에 형성될 수 있는 반 강자성체 입자의 확산을 막아주어, 자기저항의 균일성을 개선할 수 있다. 이로 인하여, 자기 터널 접합 소자의 특성을 크게 개선할 수 있다.-
4.发明授权
公开(公告)号：KR101256598B1
公开(公告)日：2013-04-19
申请号：KR1020110011807
申请日：2011-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L43/02
Abstract: 자기 소자, 및 자기 소자 제조 방법이 개시된다. 자기 소자는 비정질 또는 나노 크리스털 물질층, 및 비정질 또는 나노 크리스털 물질층 상에 형성된 수직 자기 이방성 물질층을 포함한다. 비정질 또는 나노 크리스털 물질층은 비정질 물질 또는 나노 크리스털 물질의 층으로서 하부층 상에 형성되고, 수직 자기 이방성 물질층은 비정질 또는 나노 크리스털 물질층 상에 형성된다. 또는 그 적층 순서가 반대인 것도 가능하다. 하부층상에 수직 자기 이방성 물질을 형성하기 위한 버퍼로서, 비정질 물질 또는 나노 크리스털 물질을 채용함으로써, 구조가 단순하면서도 결정의 크기나 구조에 구애받지 않는 버퍼를 구현할 수 있게 된다.
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
