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公开(公告)号：KR1020140075351A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：KR1020120143601
申请日：2012-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/508 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/60
Abstract: A method of manufacturing a light emitting diode package comprises the steps of attaching a plurality of light emitting diode chips which are separated from each other on a mount substrate; forming light reflection patterns which are spaced apart from the light emitting diode chips at a substrate level and located on both sides; and forming a phosphor layer on the light reflection patterns and the light emitting diode chips.
Abstract translation: 制造发光二极管封装的方法包括以下步骤：在安装基板上安装彼此分离的多个发光二极管芯片; 形成在发光二极管芯片处于衬底水平并位于两侧上的光反射图案; 以及在光反射图案和发光二极管芯片上形成荧光体层。
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2.发明公开
公开(公告)号：KR1020120091804A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020110011807
申请日：2011-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L43/02
Abstract: PURPOSE: A magnetic device with vertical magnetic anisotropy using an adjacent amorphous or nano crystal material layer and a manufacturing method thereof are provided to implement a desirable vertical magnetic anisotropy regardless of a texture of a bottom electrode. CONSTITUTION: An amorphous material layer(110) is formed on a substrate(130). The amorphous material layer is made of amorphous metal. A vertical magnetic anisotropic material layer(120) is formed on the amorphous material layer and includes an anti-ferromagnetic material layer. A non-magnetic layer(140) is formed on the vertical magnetic anisotropic material layer.
Abstract translation: 目的：提供使用相邻的非晶或纳米晶体材料层的具有垂直磁各向异性的磁性器件及其制造方法，以实现所希望的垂直磁各向异性，而与底部电极的结构无关。 构成：在衬底（130）上形成无定形材料层（110）。 无定形材料层由非晶态金属制成。 在非晶材料层上形成垂直磁性各向异性材料层（120），并包括反铁磁材料层。 在垂直磁性各向异性材料层上形成非磁性层（140）。
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公开(公告)号：KR100799703B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020050102949
申请日：2005-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76841 , C23C16/4405 , C23C16/45508 , H01L21/28556
Abstract: 막 형성 방법은 제1 웨이퍼에 티타늄 막 및 티타늄 질화막을 순차적으로 형성한다. 상기 티타늄 질화막 형성시 챔버의 내부에 흡착된 반응 부산물을 제거한다. 이후 제2 웨이퍼에 대해 티타늄 막 형성, 티타늄 질화막 형성 및 반응 부산물 제거를 반복하여 수행한다. 따라서 막 형성시 티타늄 질화막 형성에 따른 반응 부산물의 리프팅을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070038197A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093220
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4401 , C23C16/513
Abstract: 반도체 소자의 제조에 사용되는 박막 형성 장치에 관한 것으로서, 펄싱 타입으로 제공되는 소스 물질들을 이용하여 반도체 기판 상부에 박막을 적층하기 위한 반응 공간을 갖는 반응 챔버를 포함한다. 그리고, 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부에 잔류하는 반응 부산물을 제거하기 위한 라디칼 형태의 물질을 생성하는 리모트 플라즈마 생성기를 포함한다. 이때, 상기 소스 물질들은 제1 제공 라인을 통하여 제공되고, 상기 라디칼 형태의 물질은 제2 제공 라인을 통하여 제공된다. 그리고, 상기 박막 형성 장치는 상기 제1 제공 라인과 인접하게 배치되는 시점 이전에 위치하는 제2 제공 라인에 연결되고, 상기 제1 제공 라인으로부터 상기 반응 챔버의 반응 공간으로 상기 소스 물질들을 제공할 때 상기 소스 물질들이 상기 제2 제공 라인으로 역류하는 것을 방지하기 위한 물질을 제공하는 제3 제공 라인을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020070007498A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050062156
申请日：2005-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/76889 , H01L21/28556 , H01L21/76814 , H01L21/76846
Abstract: A method for fabricating a metal silicide contact of a semiconductor device is provided to control fitting generation upon fabricating a metal silicide and to prevent an overgrowth of the metal silicide by depositing a titanium layer in the state of curing defect sites. An insulating layer(102) is formed on a semiconductor substrate(100) having a conductive region on a surface thereof. The insulating layer is etched to form a contact hole(104) exposing the conductive region. The surface of the semiconductor substrate is processed by SiH4 gas. A titanium layer(108) is formed on a sidewall and a bottom surface of the contact hole, at the same time a metal silicide(110) is formed on an interface of the titanium layer and the semiconductor substrate. A titanium nitride layer(112) is formed on the titanium layer. A metal layer(114) is formed on the titanium nitride layer.
Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的金属硅化物接触的方法，以在制造金属硅化物时控制拟合生成，并且通过在固化缺陷部位的状态下沉积钛层来防止金属硅化物的过度生长。 在其表面上具有导电区域的半导体衬底（100）上形成绝缘层（102）。 蚀刻绝缘层以形成暴露导电区域的接触孔（104）。 半导体衬底的表面由SiH 4气体处理。 在接触孔的侧壁和底面上形成钛层108，同时在钛层和半导体衬底的界面上形成金属硅化物110。 在钛层上形成氮化钛层（112）。 在氮化钛层上形成金属层（114）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070004194A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059586
申请日：2005-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/14 , C23C16/4405 , C23C16/505
Abstract: A new film forming method that can improve a removal effect of throughput and chlorine in a film forming process using a source gas comprising a metal and a halogen element is provided. A method of forming a film comprises: a step(S100) of respectively supplying a source gas comprising a metal and a halogen element and a reducing gas for removing the halogen element at a first flux and a second flux, and forming the gases into the plasma state to form a first metal film on a substrate; a step(S110) of respectively supplying the source gas and the reducing gas at a third flux that is less than the first flux and a fourth flux that is the same as or more than the second flux, and forming the gases into the plasma state to form a second metal film on the first metal film; and a step(S120) of performing the step(S100) and the step(S110) alternately and repeatedly to form a metal film with a target thickness on the substrate.
Abstract translation: 提供了一种新的成膜方法，其可以使用包含金属和卤素元素的源气体在成膜过程中提高生产量和氯的去除效果。 一种形成膜的方法包括：分别提供包含金属和卤素元素的源气体和用于以第一通量和第二通量去除卤素元素的还原气体的步骤（S100），并将气体形成为 等离子体状态以在基板上形成第一金属膜; 分别以比第一通量小的第三通量供给源气体和还原气体的步骤（S110）和与第二通量相同或更大的第四通量，并将气体形成为等离子体状态 以在第一金属膜上形成第二金属膜; 以及交替重复执行步骤（S100）和步骤（S110）的步骤（S120），以在基板上形成具有目标厚度的金属膜。
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公开(公告)号：KR1020070001340A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056734
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/44 , C23C16/4408 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , Y10T29/41
Abstract: A chamber insert and a substrate processing apparatus with the same are provided to improve a pumping time and speed by simplifying the structure of the chamber insert itself. A chamber insert includes a body part, a first protrusion part and a second protrusion part. The body part(110) is formed like a cylinder type structure. An upper portion and a lower portion of the body part are opened. The first protrusion part(120) is formed along a lower end portion of the body part and prolonged to an outside direction of the body part. The second protrusion part(130) is prolonged from the upper portion of the body part to the outside direction of the body part.
Abstract translation: 提供腔室插入件和具有该腔室插入件的衬底处理装置，以通过简化腔室插入件本身的结构来改善泵送时间和速度。 腔室插入件包括主体部分，第一突出部分和第二突出部分。 主体部分（110）形成为类似于圆筒型结构。 身体部分的上部和下部打开。 第一突出部分（120）沿着主体部分的下端部分形成并且延伸到主体部分的外侧方向。 第二突起部130从主体部的上部延伸到主体部的外侧。
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公开(公告)号：KR100596495B1
公开(公告)日：2006-07-04
申请号：KR1020050049565
申请日：2005-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/318
Abstract: 금속 화합물 증착 방법 및 장치에 있어서, 금속 및 할로겐 원소를 포함하는 제1 소스 가스와, 상기 금속과 결합 가능한 물질과 상기 할로겐 원소와 결합 가능한 물질을 포함하는 제2 소스 가스를 표면 반응에 의한 증착율이 물질 전달에 의한 증착율보다 큰 제1 유량비로 공급하여 반도체 기판 상에 제1 금속 화합물을 증착한다. 이어서, 상기 제1 소스 가스와 제2 소스 가스를 상기 제1 유량비와 다른 제2 유량비로 공급하여 상기 제1 금속 화합물 상에 제2 금속 화합물을 증착함과 동시에 상기 제1 금속 화합물 및 상기 제2 금속 화합물로부터 원치 않는 물질(unwanted material)을 제거한다. 따라서 상기 원치 않는 물질에 의한 비저항 증가 및 하부막의 특성 열화를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100587688B1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：KR1020040058969
申请日：2004-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4401 , H01L21/67109 , H01L21/67748
Abstract: 본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 즉 본 발명은 프로세스 챔버의 내부에서 하부에는 웨이퍼가 안치되는 히터를 구비하고, 상기 히터의 상부에는 반응 가스 분사용 샤워헤드를 구비한 화학 기상 증착 장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버(10)의 일측에서 외측으로 구비되는 셔터 챔버(20)와; 상기 셔터 챔버(20)의 내부에 구비되어 구동 수단(32)에 의해서 선단부측 블레이드(31)를 상기 프로세스 챔버(10)측으로 직선 왕복이동시키는 이송 로봇(30)과; 상기 이송 로봇(30)의 블레이드(31)에 안치되어 상기 이송 로봇(30)에 의해 상기 프로세스 챔버(10)의 히터(12)에 안치되면서 상기 히터(12)측 복사열이 상기 샤워헤드(13)로 전달되지 않도록 하는 셔터 디스크(40)를 포함하는 구성으로 이루어지도록 하는 것인 바 반응실(11)의 아이들 또는 러닝 상태로의 상호 전환 시 반응실(11)내를 항상 러닝 분위기로 유지한 상태에서 러닝 타임을 보다 연장시키는 동시에 파티클 생성을 보다 억제시키면서 생산성을 대폭적으로 향상시키게 되는 특징이 있다.
화학 기상 증착, 히터, 샤워헤드, 파티클-
公开(公告)号：KR1020050119227A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：KR1020040044265
申请日：2004-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01J37/32357 , C23C16/14 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45525 , C23C16/45527 , C23C16/45538 , C23C16/5096 , H01J37/32082 , H01J37/32192
Abstract: 플라스마 소스를 이용하여 반도체 기판을 가공하는 방법과 장치에 있어서, 반도체 기판을 가공하기 위한 소스를 리모트 플라스마 발생 유닛에 제공하여 제1 에너지 레벨의 플라스마 상태로 여기시킨다. 제1 에너지 레벨의 소스를 프로세스 챔버 내부에 배치된 다이렉트 플라스마 발생 유닛에 제공하여 상기 제1 에너지 레벨의 소스를 제1 에너지 레벨보다 높은 제2 에너지 레벨의 플라스마 상태로 재 여기시킨다. 상기 제2 에너지 레벨의 소스를 사용하여 저온의 반도체 기판을 가공한다. 반도체 기판의 온도 저하로 인한 소스의 반응율 감소는 소스 자체의 에너지 준위의 상승시킴으로써 보상된다. 공정 온도를 저하시킴에 따라 반도체 기판을 정밀하게 가공할 수 있을 뿐만 아니라, 후속 공정에서의 에러율 또한 크게 감소시킬 수 있다.
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