公开(公告)号：KR1020000067614A

公开(公告)日：2000-11-25

申请号：KR1019990015566

申请日：1999-04-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정기상

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: An etching equipment for manufacturing a semiconductor device is provided to eliminate a partial stack of polymer and to prevent a particle from being generated from a shortage of thermal conduction of quartz parts. CONSTITUTION: An etching equipment for manufacturing a semiconductor device comprises an additional heat transfer material for heating parts of a quartz material facing an inner side of a process chamber(1). The additional heat transfer material is heated to heat the parts of a quartz material. And, the heat transfer material is a liquid material of which specific heat is higher than one, and is disposed in the manner that the material fills up a space formed inside the part of the quartz material.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的蚀刻设备，以消除聚合物的部分堆叠，并防止由于石英部件的热传导不足而产生颗粒。 构成：用于制造半导体器件的蚀刻设备包括用于加热面向处理室（1）的内侧的石英材料的部分的附加传热材料。 加热附加的传热材料以加热石英材料的部分。 并且，传热材料是比热高于一种的液体材料，并且以使材料填充形成在石英材料的部分内部的空间的方式设置。

公开(公告)号：KR1019990070789A

公开(公告)日：1999-09-15

申请号：KR1019980005825

申请日：1998-02-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정기상

IPC: H01L21/306

Abstract: 반도체 소자를 제조하는 데 사용되는 건식 식각 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 제조용 건식 식각 장치는 RF 파워가 인가되는 코일과, 진공 상태로 유지되고 내부에 플라즈마가 채워지는 챔버와, 상기 코일과 챔버 사이를 절연시키고, 상기 챔버측에서의 센터 부분이 에지 부분보다 얇은 두께를 가지는 상부 전극과, 웨이퍼를 지지하도록 상기 챔버 내에 설치되어 바이어스 전압을 걸어주는 하부 전극을 포함한다.

公开(公告)号：KR1019970072230A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960009709

申请日：1996-04-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정기상

IPC: H01L21/66

Abstract: 로드락 부의 장착 아암 상에 웨이퍼가 장착되어 있는 여부를 검출하기 위한 웨이퍼 검출기에 대하여 기재되어 있다. 이는 장착 아암으로부터 소정 거리를 두고 이격 되어 구비된 제1광검출기 및 제1광검출기와 대향하도록 장착 아암 상의 소정부에 구비되며, 장착 아암상에 웨이퍼가 있을 때는 그 웨이퍼에 의해 교환되는 광신호가 차단됨으로써 장착 아암 상에 웨이퍼의 장착 여부를 검출하는 제2광검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 로드락 웨이퍼 검출기를 제공한다. 이로써, 로드락부에서 웨이퍼의 검출 동작에서 빈발하는 오작동을 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990041065A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970061597

申请日：1997-11-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황재희 ,  정기상

IPC: H01L21/306

Abstract: 프로세스 챔버 내에서 전극과 가스 링과의 얼라인먼트를 전기적 특성인 커패시턴스 측정에 의하여 모니터링하는 건식 식각 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 건식 식각 장치는 반도체 장치 제조를 위하여 플라즈마를 이용하여 건식 식각 공정을 행하는 프로세스 챔버와, 상기 프로세스 챔버 내에서 웨이퍼를 지지하고, 상기 프로세스 챔버 내에 바이어스 파워를 인가시키는 통로 역할을 하는 전극과, 상기 전극의 둘레에 설치되고, 상기 프로세스 챔버 내에 가스를 분사하는 역할 및 플라즈마가 웨이퍼상으로 포커스되도록 하는 역할을 하는 가스 링과, 상기 전극과 가스 링에 각각 연결되어, 상기 전극과 가스 링 사이의 조립 정도에 따른 얼라인먼트 변화를 커패시턴스로 측정하는 커패시턴스 측정 장치와, 상기 커패시턴스 측정 장치에서 측정된 커패시턴스를 모니터링하는 인터페이스와, 상기 커패시턴스 측정 장치에서 측정된 커패시턴스의 변화를 표시하는 표시 장치를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019990031796A

公开(公告)日：1999-05-06

申请号：KR1019970052633

申请日：1997-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황재희 ,  정기상

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 파티클 부유 수단을 구비하는 반도체 장치의 제조설비에 관해 개시된다. 본 발명은 파티클 부유 수단으로서 반응챔버의 위쪽 측면에 복수개의 정전척을 구비하고 있는데 대칭적이다. 상기 복수개의 정전척은 플라즈마 공정에서 반응챔버내에 발생되는 파티클들을 플라즈마가 오프된 상태에서도 부유시킨다. 이러한 부유 상태는 상기 웨이퍼를 반응챔버로부터 언 로딩시킬 때 까지 유지시킨다. 이후, 부유 상태의 파티클을 반응챔버의 바닥으로 떨어뜨린 후 진공 펌프를 이용하여 반응챔버 밖으로 배기 시킨다. 따라서 플라즈마 공정 중에 발생되는 파티클들에 의해 웨이퍼가 오염되는 것을 방지할 수 있어서 반도체 장치의 수율을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970052682A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950061297

申请日：1995-12-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한석현 ,  심경보 ,  정기상

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 페시베이션막 식각방법에 관한 것으로서, 특히 퓨즈상에서는 복수의 산화막들과 질화막으로 구성되고 패드상에서는 산화막 및 질화막으로 구성된 페시베이션막 식각함에 있어서, 상기 퓨즈상에는 소정두께의 산화막을 남기고 사익 패드상에는 완전히 제거시키는 페시베이션막 식각방법에 있어서, 질화막과 산화막의 식각조건을 동일한 상태로 하고 연속적으로 한 스텝으로 식각하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 원 스텝으로 식각함으로써 공정기간을 단축할 수 있다.