公开(公告)号：KR102227771B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020140110721A

申请日：2014-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정섭 ,  서연우 ,  이동건 ,  정병규 ,  천대명 ,  최수정

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/52 ,  F21K9/232 ,  F21Y2115/10 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058

Abstract: 본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 서로 이격되도록 배치된 복수의 나노 발광구조물;을 포함하며, 상기 복수의 나노 발광구조물은 각각, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 배치되며 두께 방향에 따른 인듐 조성비가 다른 제1 및 제2 영역으로 구분되는 양자우물을 갖는 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역의 인듐 조성비보다 큰 인듐 조성비를 갖는 나노구조 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020160027352A

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：KR1020140113532

申请日：2014-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정병규 ,  김정섭 ,  최수정 ,  서연우 ,  이동건

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본발명의일 실시예에따른나노구조반도체발광소자는제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층, 및베이스층상에서로이격되어배치된복수의나노발광구조물들을포함하며, 나노발광구조물은제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어, 나노코어의표면에배치되며인듐을함유한질화물반도체를갖는응력제어층, 응력제어층상에배치되는활성층, 활성층상에배치되는제2 도전형질화물반도체층, 및응력제어층의적어도일부상에배치되며, 응력제어층의격자상수보다작은격자상수를갖는질화물반도체를포함하는결함차단층을포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的用于发射长波长的光的纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型氮化物半导体制成的基极层和在基极层上彼此分离的纳米发光结构。 纳米发光结构可以包括由第一导电型氮化物半导体制成的纳米孔，应力控制层，其布置在纳米孔的表面上并且具有包含铟的氮化物半导体，布置在应力控制层上的有源层，第二 布置在有源层上的导电型氮化物半导体，以及布置在应力控制层的至少一部分上并具有晶格常数小于应力控制层的氮化物半导体的缺陷阻挡层。

公开(公告)号：KR1020160025063A

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020140110721

申请日：2014-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정섭 ,  서연우 ,  이동건 ,  정병규 ,  천대명 ,  최수정

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  F21K9/232 ,  F21Y2115/10 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에서로이격되도록배치된복수의나노발광구조물;을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은각각, 제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어와, 상기나노코어의표면에배치되며두께방향에따른인듐조성비가다른제1 및제2 영역으로구분되는양자우물을갖는활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형질화물반도체층을포함하고, 상기제1 영역은상기제2 영역의인듐조성비보다큰 인듐조성비를갖는나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.

Abstract translation: 本发明的实施例提供一种用于提高内部效率的纳米结构半导体发光器件。 纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型氮化物半导体制成的基极层，在基底上彼此分离的发光结构。 每个发光结构包括由第一导电型氮化物半导体制成的纳米孔，具有量子阱的有源层，其具有布置在纳米孔表面上并具有不同铟组成比的第一和第二区域 以及布置在有源层上的第二导电型氮化物半导体层。 第一区域的铟组成比高于第二区域的铟组成比。

公开(公告)号：KR102164796B1

公开(公告)日：2020-10-14

申请号：KR1020140113532

申请日：2014-08-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정병규 ,  김정섭 ,  최수정 ,  서연우 ,  이동건

IPC: H01L33/20

公开(公告)号：KR102227771B1

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：KR1020140110721

申请日：2014-08-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정섭 ,  서연우 ,  이동건 ,  정병규 ,  천대명 ,  최수정

IPC: H01L33/20

Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에서로이격되도록배치된복수의나노발광구조물;을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은각각, 제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어와, 상기나노코어의표면에배치되며두께방향에따른인듐조성비가다른제1 및제2 영역으로구분되는양자우물을갖는활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형질화물반도체층을포함하고, 상기제1 영역은상기제2 영역의인듐조성비보다큰 인듐조성비를갖는나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160029982A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：KR1020140119296

申请日：2014-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최수정 ,  김정섭 ,  정병규 ,  서연우 ,  이동건

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L27/15 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/0845 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에서로이격되도록배치된복수의나노발광구조물;을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은각각, 상기제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어와, 상기나노코어의표면에배치되며인듐을함유한질화물반도체를갖는응력제어층(strain control layer)과, 상기응력제어층상에배치되며인듐을함유한질화물반도체를갖는활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형질화물반도체층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.

Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种用于产生长波长的光的纳米结构半导体发光器件。 纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型氮化物半导体制成的基极层和在基极层上彼此分离的多个纳米发光结构。 每个发光结构包括由第一导电型氮化物半导体制成的纳米孔，应变控制层，其布置在纳米孔的表面上并且具有包含铟的氮化物半导体，布置在应变控制层上的有源层和 具有含有铟的氮化物半导体和配置在有源层上的第二导电型氮化物半导体层。