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公开(公告)号：KR102227771B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140110721A
申请日：2014-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/52 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0058
Abstract: 본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 서로 이격되도록 배치된 복수의 나노 발광구조물;을 포함하며, 상기 복수의 나노 발광구조물은 각각, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 배치되며 두께 방향에 따른 인듐 조성비가 다른 제1 및 제2 영역으로 구분되는 양자우물을 갖는 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 제2 도전형 질화물 반도체층을 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역의 인듐 조성비보다 큰 인듐 조성비를 갖는 나노구조 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2015065071A1
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：PCT/KR2014/010310
申请日：2014-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , F21K9/232 , F21S41/147 , F21S45/43 , F21S45/47 , F21Y2115/10 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명의 일 실시형태는, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 개구를 갖는 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어지고, 그 측면의 결정면과 다른 결정면을 갖는 상단부를 갖는 나노 코어와, 상기 나노 코어의 표면에 순차적으로 형성된 활성층과 제2 도전형 반도체층과, 상기 활성층과 상기 나노 코어 사이에 위치하도록 상기 나노 코어의 상단부에 형성된 전류차단 중간층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口以暴露所述基底层的部分区域; 形成在由第一导电型半导体构成的基底层的每个暴露区域上并具有与其侧表面的结晶表面不同的结晶表面的上端部的纳米芯; 在纳米芯的表面上连续形成的有源层和第二导电类型半导体层; 以及形成在纳米芯的上端部上的电流阻挡中间层，以位于有源层和纳米芯之间。
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公开(公告)号：KR102227771B1
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：KR1020140110721
申请日：2014-08-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에서로이격되도록배치된복수의나노발광구조물;을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은각각, 제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어와, 상기나노코어의표면에배치되며두께방향에따른인듐조성비가다른제1 및제2 영역으로구분되는양자우물을갖는활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형질화물반도체층을포함하고, 상기제1 영역은상기제2 영역의인듐조성비보다큰 인듐조성비를갖는나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160029982A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020140119296
申请日：2014-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/06 , H01L27/15 , H01L33/0025 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H05B33/0803 , H05B33/0845 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의일 실시예는, 제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에서로이격되도록배치된복수의나노발광구조물;을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은각각, 상기제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어와, 상기나노코어의표면에배치되며인듐을함유한질화물반도체를갖는응력제어층(strain control layer)과, 상기응력제어층상에배치되며인듐을함유한질화물반도체를갖는활성층과, 상기활성층상에배치된제2 도전형질화물반도체층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种用于产生长波长的光的纳米结构半导体发光器件。 纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型氮化物半导体制成的基极层和在基极层上彼此分离的多个纳米发光结构。 每个发光结构包括由第一导电型氮化物半导体制成的纳米孔，应变控制层，其布置在纳米孔的表面上并且具有包含铟的氮化物半导体，布置在应变控制层上的有源层和 具有含有铟的氮化物半导体和配置在有源层上的第二导电型氮化物半导体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150083329A
公开(公告)日：2015-07-17
申请号：KR1020140002948
申请日：2014-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/002 , H01L33/025 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01L33/486 , H01L33/52 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체발광소자는, 제1 도전형반도체베이스층, 및제1 도전형반도체베이스층상에서로이격되어형성되며, 각각제1 도전형반도체코어, 활성층, 전하차단층및 제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물들을포함하고, 제1 도전형반도체코어는결정학적방향이서로다른제1 및제2 결정면을가지며, 전하차단층은제1 농도의불순물을포함하고, 제2 도전형반도체층은제2 농도의불순물을포함하며, 제1 농도는제2 농도의절반이하이다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，半导体发光器件包括：第一导电半导体基底层; 以及多个纳米结构，其形成为在第一导电半导体基底层上彼此分离，并且分别包括第一导电半导体芯，有源层，电荷阻挡层和第二导电半导体层。 第一导电半导体芯具有不同结晶方向的第一和第二晶面。 电荷阻挡层包括第一浓度的杂质，第二导电半导体层包括第二浓度的杂质。 第一浓度小于或等于第二浓度的一半。
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公开(公告)号：KR1020150050284A
公开(公告)日：2015-05-08
申请号：KR1020130164521
申请日：2013-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0079 , H01L33/24 , H01L33/145
Abstract: 본발명의일 실시형태는, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어지고, 그측면의결정면과다른결정면을갖는상단부를갖는나노코어와, 상기나노코어의표면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층과, 상기활성층과상기나노코어사이에위치하도록상기나노코어의상단부에형성된전류차단중간층을포함하는나노구조반도체발광소자를제공한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型半导体制成的基极层，形成在基底层上的绝缘层，并且具有暴露于基底层的一部分的开口，纳米孔 其形成在基底层的露出区域中，由第一导电型半导体制成，具有与侧面不同的结晶面的上端部，有源层和第二导电型半导体层， 在纳米孔的表面上依次形成电流阻挡中间层，其形成在纳米孔的上端部分中，位于活性层和纳米孔之间。
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公开(公告)号：KR1020150097322A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018699
申请日：2014-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명의 일 실시 예는, 나노구조 반도체 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층, 상기 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 배치되며, 상기 제1 도전형 반도체 베이스층이 노출된 복수의 개구부를 가지는 마스크층, 상기 복수의 개구부 상에 배치되며, 각각 제1 도전형 반도체로 이루어진 나노 코어, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노 발광구조물들 및 적어도 일부가 상기 제2 도전형 반도체층 아래에 위치하도록 상기 마스크층 상에 배치되는 다결정성 전류억제층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 本发明的实施例提供一种纳米结构半导体发光器件，其包括：由第一导电型半导体构成的基极层; 掩模层，其设置在所述第一导电型半导体基底层上，并且具有多个开口部，所述第一导电型半导体基底层暴露于所述多个开口部; 多个纳米发光结构，设置在开口部分上，并且分别包括由第一导电类型半导体，有源层和第二导电类型半导体层制成的纳米孔; 以及多个电流限制层，其设置在掩模层上，使得其至少一部分可以位于第二导电类型半导体层下方。
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公开(公告)号：KR1020160027352A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140113532
申请日：2014-08-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명의일 실시예에따른나노구조반도체발광소자는제1 도전형질화물반도체로이루어진베이스층, 및베이스층상에서로이격되어배치된복수의나노발광구조물들을포함하며, 나노발광구조물은제1 도전형질화물반도체로이루어진나노코어, 나노코어의표면에배치되며인듐을함유한질화물반도체를갖는응력제어층, 응력제어층상에배치되는활성층, 활성층상에배치되는제2 도전형질화물반도체층, 및응력제어층의적어도일부상에배치되며, 응력제어층의격자상수보다작은격자상수를갖는질화물반도체를포함하는결함차단층을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例的用于发射长波长的光的纳米结构半导体发光器件包括由第一导电型氮化物半导体制成的基极层和在基极层上彼此分离的纳米发光结构。 纳米发光结构可以包括由第一导电型氮化物半导体制成的纳米孔，应力控制层，其布置在纳米孔的表面上并且具有包含铟的氮化物半导体，布置在应力控制层上的有源层，第二 布置在有源层上的导电型氮化物半导体，以及布置在应力控制层的至少一部分上并具有晶格常数小于应力控制层的氮化物半导体的缺陷阻挡层。
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