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公开(公告)号：KR1020160120381A
公开(公告)日：2016-10-18
申请号：KR1020150049045
申请日：2015-04-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G06F12/0253 , G06F2212/7205 , G11C7/22 , G11C16/32 , G11C2207/2272
Abstract: 본발명의실시예에따른불휘발성메모리시스템의동작방법은외부장치로부터긴급성레벨을포함하는커맨드를수신하는단계, 수신된커맨드에포함된긴급성레벨에따라커맨드에대응하는동작의동작시간을조절하는단계, 및커맨드에대응하는동작을수행하여조절된동작시간이내에완료하여외부장치로완료응답을전송하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140055445A
公开(公告)日：2014-05-09
申请号：KR1020120122383
申请日：2012-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/16 , G11C11/5628 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641
Abstract: A memory system comprises: a nonvolatile memory device including first memory blocks in which a bit data is stored for each cell and second memory blocks in which multi-bit data is stored for each cell; and a memory controller to control the nonvolatile memory device. When program operation for the second memory block is performed, the memory controller controls the nonvolatile memory device to close an open word line generated in the second memory block.
Abstract translation: 存储器系统包括：非易失性存储器件，包括其中为每个单元存储位数据的第一存储器块和其中为每个单元存储多位数据的第二存储器块; 以及用于控制非易失性存储器件的存储器控制器。 当执行第二存储器块的编程操作时，存储器控制器控制非易失性存储器件以闭合在第二存储器块中产生的打开的字线。
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公开(公告)号：KR1020140011667A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020120078315
申请日：2012-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/32 , G11C2211/5622 , G11C2211/5641
Abstract: A storage device according to an embodiment of the present invention comprises: a plurality of memory chips which include nonvolatile memory cells which are divided into a first memory area and a second memory area; and a memory controller which buffers data from the outside and controls the memory chips to perform a buffer program operation to store the buffered data in the first memory area, and perform a main program operation to write the data stored in the first memory area onto the second memory area. The memory controller buffers data to be written on the second memory chip during the main program operation of the first memory chip, among the plurality of memory chips.
Abstract translation: 根据本发明实施例的存储设备包括：多个存储器芯片，其包括被划分为第一存储区域和第二存储区域的非易失性存储器单元; 以及存储器控制器，其从外部缓冲数据并控制存储器芯片以执行缓冲器程序操作以将缓冲的数据存储在第一存储器区域中，并执行主程序操作以将存储在第一存储器区域中的数据写入到 第二存储区。 存储器控制器在多个存储器芯片中的第一存储器芯片的主程序操作期间缓冲要写入第二存储器芯片的数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160118602A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150046959
申请日：2015-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G06F3/0637 , G06F3/0604 , G06F3/0622 , G06F3/0632 , G06F3/0679
Abstract: 본발명의실시예에따른데이터저장장치는벤더데이터를저장하는제1영역과사용자데이터를저장하는제2영역을포함하는불휘발성메모리장치, 및호스트로부터제1명령을수신하고, 상기제1명령에상기제1영역을액세스할수 있는프로그램의제1ID가존재하는지를판단하고, 판단의결과에따라벤더모드진입여부를결정하는메모리컨트롤러를포함할수 있다.
Abstract translation: 根据示例性实施例的数据存储设备包括：非易失性存储器，其包括被配置为存储供应商数据的第一区域和被配置为存储用户数据的第二区域; 以及存储器控制器，其被配置为从主机接收第一命令，确定在所述第一命令中是否存在允许访问所述第一区域的程序的第一ID，并且决定是否进入用于访问所述第一命令的供应商模式 第一区域根据确定的结果。
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公开(公告)号：KR1020170085775A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020160005321
申请日：2016-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명에따른데이터수신시스템은, 외부로부터다수의싱크데이터패턴및 싱크종료데이터패턴을수신하고, 이를이용하여싱크동작을수행하는데이터수신시스템에있어서, 상기다수의싱크데이터패턴들을이용하여상기다수의싱크데이터패턴들각각에대응되는리커버리데이터패턴들(Recovery Data Pattern)을생성하고, 상기싱크데이터패턴들과상기리커버리데이터패턴들을비교하는 CDR 회로(Clock and Data Recovery Circuit) 및상기비교결과를기반으로상기싱크종료데이터패턴의검출수행여부가결정되고, 상기싱크종료데이터패턴을검출하여동기화동작종료를제어하는싱크종료타이밍검출부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的数据接收系统是一种数据接收系统，用于从外部接收多个同步数据模式和同步结束数据模式并使用该系统执行同步操作， CDR电路（时钟和数据恢复电路）用于产生与同步数据模式的每个同步数据模式相对应的恢复数据模式并将该同步数据模式与恢复数据模式进行比较， 以及同步结束定时检测器，用于检测同步结束数据模式并控制同步操作的结束。
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公开(公告)号：KR1020160062297A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：KR1020140164543
申请日：2014-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C29/028 , G06F13/1689 , G11C29/023 , G11C16/26 , G06F13/14 , G11C16/0483 , G11C16/32
Abstract: 본발명은스토리지장치의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 클럭신호를추적하는단계그리고클럭신호가벤더패턴에대응할때 벤더모드로진입하고, 클럭신호가벤더패턴에대응하지않을때 정상모드를유지하는단계로구성된다. 정상모드에서, 외부의호스트장치로부터수신되는커맨드는제1 규칙에따라수행된다. 벤더모드에서, 외부의호스트장치로부터수신되는커맨드는제1 규칙과다른제2 규칙에따라수행된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种存储装置的操作方法。 操作方法包括以下步骤：跟踪时钟信号; 并且当时钟信号对应于供应商模式并且当时钟信号不对应于供应商模式时保持正常模式时，进入供应商模式。 在正常模式中，根据第一规则执行从外部主机装置接收到的命令。 在供应商模式中，根据与第一规则不同的第二规则来执行从外部主机设备接收到的命令。 因此，存储装置具有改善的操作性能和可靠性。
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公开(公告)号：KR1020140044640A
公开(公告)日：2014-04-15
申请号：KR1020120110859
申请日：2012-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1072 , G06F12/0246 , G06F12/0253 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/52
Abstract: The present invention provides a memory system which includes: a nonvolatile memory device which includes an n-th memory region composed of memory blocks storing m-bit data per cell and a second memory region composed of memory blocks storing multi-bit data per cell; and a memory controller which controls the nonvolatile memory device. If the memory block of the second memory region selected in a reading operation is determined as a reading reclaim operation target, the memory controller completes the reading reclaim operation for the memory block of the second memory region when the effective data of the memory block of the second memory region that is the reading reclaim operation target is programmed in at least one memory block among the memory blocks of the first memory region.
Abstract translation: 本发明提供一种存储系统，包括：非易失性存储器件，其包括由存储每个单元的m位数据的存储器块组成的第n个存储器区域和由每个存储单元存储多位数据的存储器块组成的第二存储器区域; 以及控制非易失性存储装置的存储器控制器。 如果在读取操作中选择的第二存储器区域的存储器块被确定为读取回收操作目标，则当存储器块的存储块的有效数据被存储在存储器块的有效数据时，存储器控制器完成对第二存储器区域的存储块的读取回收操作 作为读取回收操作对象的第二存储器区域被编程在第一存储器区域的存储器块中的至少一个存储器块中。
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