公开(公告)号：KR100203779B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960033978

申请日：1996-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영남 ,  이명락 ,  정정관

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 이온주입공정에서의 마스킹 포토레지스트의 두께결정방법에 관한 것이다.
본 발명은 서로다른 도포두께를 가진 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 복수 개 준비하고, 상기 복수 개의 웨이퍼에 일정한 전압, 일정한 이온전류량으로 이온주입공정을 행하는 단계, 상기 공정을 마친 웨이퍼에 SIMS분석을 행하여 표면에서의 깊이에 따른 불순물농도의 변화를 관찰하여 분석장비의 일정검출수준에 해당하는, 시료의 표면으로부터의 투과깊이를 결정하는 단계, 각 포토레지스트 두께와, 분석장비 일정검출수준에 해당하는 상기 투과깊이의 함수관계를 결정하는 단계, 상기 함수관계를 이용하여 투과깊이 0에 해당하는 포토레지스트의 두께를 결정하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래의 방법보다 비교적 적은 숫자의 시료를 가지고도 이온주입조건에 따라 정확한 포토레지스트 도포두께를 결정할 수 있는 이점이 있다.

公开(公告)号：KR1019980014834A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033978

申请日：1996-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영남 ,  이명락 ,  정정관

IPC: H01L21/265

Abstract: 반도체 이온주입공정에서의 마스킹 포토레지스트의 두께결정방법에 관한 것이다.
본 발명은 서로다른 도포두께를 가진 포토레지스트가 도포된 웨이퍼를 복수 개 준비하고, 상기 복수 개의 웨이퍼에 일정한 전압, 일정한 이온전류량으로 이온주입공정을 행하는 단계, 상기 공정을 마친 웨이퍼에 SIMS분석을 행하여 표면에서의 깊이에 따른 불순물농도의 변화를 관찰하여 분석장비의 일정검출수준에 해당하는, 시료의 표면으로부터의 투과깊이를 결정하는 단계, 각 포토레지스트 두께와, 분석장비 일정검출수준에 해당하는 상기 투과깊이의 함수관계를 결정하는 단계, 상기 함수관계를 이용하여 투과깊이 0에 해당하는 포토레지스트의 두께를 결정하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 종래의 방법보다 비교적 적은 숫자의 시료를 가지고도 이온주입조건에 따라 정확한 포토레지스트 도포두께를 결정할 수 있는 이점이 있다.