公开(公告)号：KR1019990033658A

公开(公告)日：1999-05-15

申请号：KR1019970055074

申请日：1997-10-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은아 ,  정정아 ,  박상오 ,  임광신

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조용 케미컬배스에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체장치의 제조공정에 이용되는 케미컬을 수용하는 배스부; 상기 배스부가 밀폐되도록 상기 배스부의 상부에 구비되는 실링부; 상기 배스부에 케미컬을 공급하도록 상기 실링부를 관통하여 상기 배스부의 저면까지로 연장시켜 구비되는 케미컬공급라인; 상기 배스부에 수용되는 케미컬 등에서 발생하는 가스가 외부로 배기되도록 상기 실링부에 구비되는 배기부; 및 상기 배기부가 저온상태를 유지할 수 있도록 상기 배기부의 주변에 구비되어 냉각수를 공급하는 냉각수공급라인을 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 배스부를 밀폐시킴으로써 안정성을 확보할 수 있고, 케미컬이 자연적으로 감소되는 것을 방지할 수 있으며, 또한 케미컬의 농도변화로 인한 불량 등을 방지할 수 있어 생산성이 향상되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980055053A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960074259

申请日：1996-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정정아

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반도체 공정에서 사용되는 각종 재료들로부터 분취한 시료내에 존재하는 망간을 원자흡광분광기를 사용하여 보다 정확하게 정성 및 정량분석할 수 있는 반도체 공정용 시료내의 극미량 망간 분석방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 공정용 시료내의 극미량 망간 분석방법은 건조단계, 탄화단계, 급랭단계 및 원자화단계로 이루어지는 원자흡광분광기를 이용한 금속원소의 분석방법에서 이들 각 단계들의 온도프로파일을 망간의 분석에 최적의 결과를 나타낼 수 있도록 하기 위한 조건으로 조절하고, 원자화된 망간에 흡광시키기 위한 광원의 파장을 재설정한 점에 특징이 있는 것이다.
따라서, 통상의 원자흡광분광기의 가열흑연로분석 프로그램의 온도프로파일과 광원의 파장을 최적화함으로써 금속오염물 중 특히 망간의 정성분석 및 정량분석을 수행할 수 있는 효과가 있다.