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公开(公告)号：KR100238215B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960053821
申请日：1996-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01N21/255
Abstract: 반도체 제조 공정 중의 웨이퍼의 표면을 분석하는 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 표면의 분석 방법에 대하여 개시한다. 웨이퍼 표면 분석 장치는, 반응 쳄버 외부에 구비되어 있으며, 그 내부에 광원에서 출발한 빛을 스플리팅하여 그 외부로 유출시키는 빔 스플리터를 구비한 간섭계; 간섭계 외부로 유출된 스플릿된 빛을 받아들여 편광하는 편광기 및 입사부에서 공정 진행 중인 쳄버 내부에 장착된 웨이퍼 표면에 편광된 빛을 반응 쳄버 내부에 장착된 웨이퍼 표면에 입사시키면서 그 입사각을 임의로 조절할 수 있는 입사각조절수단을 구비한 입사부; 웨이퍼 표면에서 반사되어 반응 쳄버 외부로 유출된 반사광의 경로 상에 위치하며, 소정 각도로 공정 진행 중인 쳄버 외부로 출사되는 출사광의 반사 경로에 따라 출사각을 조절할 수 있는 출사각조절수단을 구비한 출사부; 및 출사부로부터 경로 변환된 반사광을 포집하고, 상기 포집된 광을 분석하여 공정 진행 중인 쳄버 내부에 장착된 웨이퍼의 표면 물성을 판별하는 검출기;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 건식 식각 공정이 진행 중인 반응 쳄버 내의 웨이퍼 표면에 대한 분석이 가능하며, 분석된 자료를 통하여 현재 진행 중인 건식 식각 공정을 조절할 수 있으며, 이에 따른 효율적인 후속 공정을 계획함으로써 반도체 제조 공정의 신뢰도를 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980066721A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970002418
申请日：1997-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 반도체막의 식각방법에 대해 개시된다. 이 방법은, 통상적인 MLR 패턴 형성법에 의해서 하부 레지스트막을 패터닝한 후, 플라즈마 에처에서 산소 가스를 주요 에천트로 사용하여 상기 하부 레지스트막을 선택적으로 식각하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 수평방향으로의 식각량에 따라서 CD가 변화하므로 단순히 식각시간을 조절함으로써 CD의 조절이 가능하게 된다.
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公开(公告)号：KR1019980035472A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960053821
申请日：1996-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체 제조 공정이 진행 중인 반응 쳄버 내의 웨이퍼의 표면을 분석하는 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 표면의 분석 방법에 대하여 개시한다. 반도체 제조 공정이 진행 중인 반응 쳄버의 웨이퍼 표면 분석 장치는, 상기 분석 장치의 광원에서 발생된 빛을 상기 웨이퍼 상면에 대한 소정의 입사각을 갖도록 상기 웨이퍼에 입사시키는 입사 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다. 특히, 상기 입사 수단은 상기 입사각을 조절할 수 있으며, 상기 반응 쳄버는 건식 식각 공정이 진행 중인 반응 쳄버이면 더욱 바람직하다. 이로써, 건식 식각 공정이 진행 중인 반응 쳄버 내의 웨이퍼 표면에 대한 분석이 가능하며, 분석된 자료를 통하여 현재 진행 중인 건식 식각 공정을 조절할 수 있으며, 이에 따른 효율적인 후속 공정을 계획함으로써 반도체 제조 공정의 신뢰도를 개선할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019990074120A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980007512
申请日：1998-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: 반도체 장치 제조에 이용되는 플라즈마(plasma) 공정 제어 방법을 개시한다. 본 발명은 챔버(chamber) 및 챔버 내에 빛을 조광하고 수광하는 푸리에 변환 적외선 분광 장치(Fourier transformed infrared spectrometer)를 포함하는 챔버 장치를 이용한다. 이와 같은 챔버 장치의 챔버 내에 플라즈마를 공급한다. 이후에, 플라즈마와의 반응에 의한 플라즈마 반응 부산물의 종류 및 시간 거동을 푸리에 변환 적외선 분광 장치를 이용하여 분석하여 플라즈마와의 반응을 제어한다. 즉, 푸리에 변환 적외선 분광 장치 장치를 이용하여 플라즈마 반응 부산물을 푸리에 변환 적외선 분광 스펙트럼으로 분석하여 플라즈마와의 반응 종말점을 검출하고, 반응 종말점의 검출에 의해서 플라즈마의 공급을 종결하는 방법으로 플라즈마와의 반응을 제어한다.
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公开(公告)号：KR1019970077250A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960018523
申请日：1996-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 플라즈마 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장칭의 에칭 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 반도체 장치를 제조하기 위한 에칭 공정에서 에칭 챔버 주위에 형성된 코일을 통하여 고주파 발생기로부터 발생된 고주파와, 직류 공급 수단에 의해 공급되는 직류 전류를 공급하는 플라즈마 형성 장치를 사용한다. 본 발명에 의하면, 반도체 제조 설비 및 반도체 장치의 오염원을 제거하고, 설비의 효율을 극대화할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970030336A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950039902
申请日：1995-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 중가 절연막의 슬로프 에칭을 이용하여 0.2㎛ 이하의 미세 콘택홀을 형성할 수 있는 방법을 다중 레지스트를 이용한 미세 콘택홀 형성방법에 관한 것이다. 본 발명은 하부 포토 레지스트막, 중간 절연막 및 상부 포토 레지스트막으로 된 다중 레지스트를 이용하여 콘택홀을 형성하는 데 있어서, 콘택홀이 형성될 부위의 상부 포토 레지스트막을 식각하는 공정과, 상부 포토 레지스트막을 마스크로 하여 중간 절연막을 슬로프 에칭하는 공정과, 슬로프 에칭된 중간 절연막을 마스크로 이용하여 상부 포토 레지스트막을 식각하는 공정과, 슬로프 에칭된 중가 절연막과 하부 포토 레지스트막을 마스크로 이용하여 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정을 포함한다. 이때, 중간 절연막의 슬로프 에칭시 산화막에 대한 포토 레지스트막의 식각 선택비가 높은 식각 개스를 이용하여 식각하는데, 식각 개스로 Ar/CHF
3 /CF
4 가 사용된다.-
公开(公告)号：KR1020100130670A
公开(公告)日：2010-12-14
申请号：KR1020090049303
申请日：2009-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정찬욱
CPC classification number: G06K9/00228 , G06T3/0012 , G06T7/40 , H04N19/179
Abstract: PURPOSE: An image acquiring method using the face detection in a portable terminal and a device are provided to acquire the desired image with one choice by guiding various shot types capable of photographing or editing. CONSTITUTION: A portable terminal gets coordinate information of a face from image through face detection(403). The portable terminal calculates the rate of a face in the image through the coordinate information(405). The portable terminal decides the kind of shot according to the rate of the face in the image(407, 409). If a user selects the kind of the image, the portable terminal acquires the image including the area which the portable terminal is corresponded(411, 413).
Abstract translation: 目的：提供一种使用便携式终端和装置中的面部检测的图像获取方法，通过引导能够进行拍摄或编辑的各种拍摄类型，通过一个选择来获取期望的图像。 构成：便携式终端从图像通过面部检测（403）获取面部的坐标信息。 便携式终端通过坐标信息计算图像中的脸部的速率（405）。 便携式终端根据图像中的脸部的速度来决定拍摄的种类（407,409）。 如果用户选择图像的种类，则便携式终端获取包括便携式终端对应的区域的图像（411,413）。
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公开(公告)号：KR100230360B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019960018523
申请日：1996-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 고주파를 이용한 유도 결합형 플라즈마 형성 장치에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 유도 결합형 플라즈마 형성 장치는 고주파를 발생시키는 고주파 발생기와, 플라즈마 에칭 장치의 에칭 챔버 외부에 감겨 있고, 상기 고주파 발생기로부터 고주파를 공급받는 코일과, 상기 고주파 발생기와 상기 코일 사이에 연결되어 임피던스를 정합시키는 매칭 네트워크(matching network)와, 상기 코일을 중심으로 일정 방향으로 순환되는 자기장이 형성될 수 있도록 상기 코일에 직류 전류를 공급하는 직류 공급 수단을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1019990065142A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000271
申请日：1998-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 실리콘을 포함하는 물질층의 버티컬 프로파일 패턴 형성 방법에 관하여 개시한다. (a)실리콘을 포함하는 물질층 상에 반사방지막을 소정 두께로 증착한다. (b)반사방지막보다 더 두꺼운 감광막을 도포한다. (c)감광막을 패터닝하여 반사방지막의 소정 영역을 노출하는 감광막 패턴을 형성한다. (d)감광막 패턴에 의하여 노출된 반사방지막을 소정의 식각 조건에 따라 식각하여 실리콘을 포함하는 물질층의 소정 영역을 노출하는 반사방지막 패턴을 형성하면서, 감광막 패턴에 대한 추가 식각이 병행되어 감광막 패턴이 버티컬한 측벽 구조를 갖도록 변형한다. 마지막으로, (e)그 측벽 구조가 버티컬하게 변형된 감광막 패턴과 반사방지막 패턴을 마스크로 이용하여 실리콘을 포함하는 물질층을 식각한다.
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公开(公告)号：KR1019980041217A
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019960060496
申请日：1996-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/306
Abstract: 측벽 손상을 개선할 수 있는 저저항 금속 실리사이드 물질의 식각방법이 개시되어 있다. 시간 변조 시스템을 사용하여 펄스 플라즈마를 발생시켜 저저항 금속 실리사이드 물질을 식각한다. 펄스 플라즈마의 오프 타임이 증가할수록 전자의 온도가 감소되어 측벽 손상을 개선할 수 있다.
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