公开(公告)号：KR100416613B1

公开(公告)日：2004-02-05

申请号：KR1020020015148

申请日：2002-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 기원태 ,  최성운 ,  정태문 ,  진선용

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A mask for measuring flare is provided to determine whether flare of a lens occurs by performing a photolithography process while using a mask having a light blocking region and a light transmitting region which have a plurality of light transmitting patterns. CONSTITUTION: The light blocking region and the light transmitting region are defined on a mask substrate. A plurality of line patterns blocking light and a plurality of light transmitting patterns transmiting light are formed in the light blocking region and the light transmitting region, respectively. The line patterns and the light transmitting patterns correspond to each other in the light blocking region and the light transmitting region. The line patterns have the same line width. The light transmitting patterns have the same line width. The line transmitting pattern is a groove between the line patterns.

Abstract translation: 目的：通过使用具有遮光区域和具有多个透光图案的透光区域的掩模，通过执行光刻工艺来提供用于测量闪光的掩模以确定是否发生透镜的闪光。 构成：遮光区域和透光区域被定义在掩模基板上。 在遮光区域和透光区域中分别形成阻挡光的多个线图案和透射光的多个透光图案。 线图案和透光图案在遮光区域和透光区域中彼此对应。 线条图案具有相同的线宽。 透光图案具有相同的线宽。 线传送图案是线图案之间的凹槽。

公开(公告)号：KR1020030014098A

公开(公告)日：2003-02-15

申请号：KR1020020015148

申请日：2002-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 기원태 ,  최성운 ,  정태문 ,  진선용

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A mask for measuring flare is provided to determine whether flare of a lens occurs by performing a photolithography process while using a mask having a light blocking region and a light transmitting region which have a plurality of light transmitting patterns. CONSTITUTION: The light blocking region and the light transmitting region are defined on a mask substrate. A plurality of line patterns blocking light and a plurality of light transmitting patterns transmiting light are formed in the light blocking region and the light transmitting region, respectively. The line patterns and the light transmitting patterns correspond to each other in the light blocking region and the light transmitting region. The line patterns have the same line width. The light transmitting patterns have the same line width. The line transmitting pattern is a groove between the line patterns.

Abstract translation: 目的：提供用于测量火炬的掩模，以通过在使用具有遮光区域和具有多个透光图案的透光区域的掩模的同时进行光刻工艺来确定透镜的发光。 构成：遮光区域和透光区域被限定在掩模基板上。 分别在遮光区域和光透射区域中分别形成多个阻挡光的线路图案和传输光的多个发光图案。 在遮光区域和透光区域中，线条图案和透光图案彼此对应。 线条图案具有相同的线宽。 透光图案具有相同的线宽。 线传输图案是线图案之间的凹槽。

公开(公告)号：KR1020030083234A

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020020021681

申请日：2002-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성혁 ,  정태문 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: PURPOSE: A waveguide type alternating phase shift mask and a method for manufacturing the same are provided to be capable of effectively reducing the difference of critical dimension and the reversal phenomenon of the critical dimension according to focus, and obtaining a wide phase margin. CONSTITUTION: A waveguide type alternating phase shift mask(100) is provided with a transparent substrate(102) and a plurality of waveguide patterns(104) regularly arrayed at the upper portion of the transparent substrate for defining transmission regions(A,B). At this time, the transmission regions includes inverting transmission regions(A) made of a recess region(108) and noninverting transmission regions(B) alternately arrayed with the inverting transmission regions.

Abstract translation: 目的：提供一种波导型交变相移掩模及其制造方法，能够根据焦点有效地降低临界尺寸的差异和临界尺寸的反转现象，并获得宽的相位裕度。 构造：波导型交变相移掩模（100）设置有透明基板（102），并且多个波导图案（104）有规则排列在透明基板的上部，用于限定透射区域（A，B）。 此时，透射区域包括由凹部区域（108）和与反相透射区域交替排列的反相透射区域（B）构成的反转透射区域（A）。

公开(公告)号：KR100450674B1

公开(公告)日：2004-10-01

申请号：KR1020020013263

申请日：2002-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정태문 ,  김성혁 ,  최성운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/28 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/706

Abstract: 포토 마스크(photo mask), 그 제조 방법 및 이를 이용한 웨이퍼 노광 설비의 광학적 특성을 공정 중에 측정하는 방법을 개시한다. 본 발명의 일 관점에 의한 포토 마스크는 기판, 및 기판 상에 형성된 십자형의 차광 영역 패턴과 차광 영역 패턴에 의해서 구분되어지는 사분면 영역에 형성되며 영역을 투과하는 광들에 각기 차이나는 위상 반전을 야기하여 위상차를 부여하는 다수의 투광 영역 패턴들을 포함하는 포커스(focus) 또는 수차 측정용 패턴을 포함하여 이루어진다. 이러한 포토 마스크를 이용하여 노광 설비의 포커스 정도 및 수차를 정밀하게 측정할 수 있다.

Abstract translation: 本发明提供光掩模，光掩模的制造方法以及晶片曝光系统的光学特性的测定方法，以及使用该光掩模的测定方法。 光掩模包括基板和测量图案，该测量图案包括形成在基板上的不透光区域图案和形成在由不透光区域图案划分的区域中的多个透光区域图案，并引发相移以提供透射光的相位差 通过透光区域。 获得使用光掩模的曝光系统的聚焦度和镜头像差的精确测量。

公开(公告)号：KR100455384B1

公开(公告)日：2004-11-06

申请号：KR1020020021681

申请日：2002-04-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성혁 ,  정태문 ,  신인균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/30

Abstract: 본 발명의 마스크는 노광원에 대해 투명한 기판 및 기판 상에 형성되어 규칙적으로 배열된 복수개의 투광영역들을 정의하는 웨이브 가이드 패턴을 포함하는 웨이브 가이드형 교번 위상 반전 마스크이다. 웨이브 가이드 패턴에 의해 정의되는 복수개의 투광 영역들은 기판 내의 리세스영역으로 이루어진 복수개의 반전 투광 영역들과 상기 반전 투광 영역들과 각각 교대로 배열된 복수개의 비반전 투광 영역들을 포함한다. 본 발명의 마스크는 ΔCD 및 X-현상이 발생하지 않거나 최소화되며, 제조 공정시 공정 마진이 넓고 불투명 결함원이 발생하지 않는다. 본 발명의 마스크를 제조하는 방법 또한 제공된다.

Abstract translation: 波导引交替相移掩模（WGAPSM）包括对来自曝光光源的光透明的基板和形成在基板上的波导图案，以限定规则排列的多个透明区域。 由波导图案限定的透明区域包括由衬底的凹陷区域形成的多个移位透明区域和与移位透明区域交替布置的多个非移位透明区域。 所提供的WGAPSM可将临界尺寸差异和X效应的误差降至最低，同时确保较大的工艺余量并且不会产生不透明的缺陷。 还提供了用于所提供的WGAPSM的制造方法。

公开(公告)号：KR1020030073613A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020020013263

申请日：2002-03-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정태문 ,  김성혁 ,  최성운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/28 ,  G03F1/44 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/706

Abstract: PURPOSE: A photomask is provided to improve the quality of a semiconductor device by easily and precisely analyzing the focus and aberration of exposure equipment during a photolithography process and by obtaining optimum focus and optimum aberration of the exposure equipment. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A mask region pattern(110) is formed on the substrate. A plurality of light transmission region patterns(120,140,160,180) cause a phase shift in the light transmitting the region to deliver a phase difference, formed in a region divided by the mask region pattern of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供光掩模，通过在光刻工艺期间容易且精确地分析曝光设备的焦点和像差以及通过获得曝光设备的最佳聚焦和最佳像差来提高半导体器件的质量。 构成：制备底物。 掩模区域图案（110）形成在基板上。 多个透光区域图案（120,140,​​160,180）在透射该区域的光中引起相位偏移，以形成在由基板的掩模区域图案分割的区域中形成的相位差。