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公开(公告)号:KR1020060104392A
公开(公告)日:2006-10-09
申请号:KR1020050026525
申请日:2005-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/31924 , G01R1/0433 , G01R1/07307
Abstract: 본 발명에 따른 반도체 디바이스 테스트 장치는 입력 전송 라인과 출력 전송 라인간을 접속 또는 차단하거나 입력 전송 라인과 비교기의 연결을 유지한 상태로 입력 전송 라인과 반도체 디바이스간을 접속 또는 차단하는 스위칭부를 구비한다. 이에 의하면 단일 전송 라인 구성과 이중 전송 라인 구성 변경이 가능하므로 임피던스 특성이 다른 두 종류의 반도체 디바이스에 대한 임피던스 매칭이 가능하여 정확한 테스트 결과를 얻을 수 있다.
STL, DTL, 소켓, 프로브 카드, 테스트